SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SI4484EY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4484EY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2659 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4484 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 4.8A (TA) 6V, 10V 34mohm @ 6.9a, 10V 2V @ 250µA (Min) 30 nc @ 10 v ± 20V - 1.8W (TA)
SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay Siliconix SUD50N04-8M8P-4GE3 1.2900
RFQ
ECAD 3233 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 14A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 48.1W (TC)
SST4416-T1-E3 Vishay Siliconix SST4416-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4154 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST4416 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 2.2pf @ 15V 30 v 5 ma @ 15 v 3 v @ 1 na
SIS438DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS438DN-T1-GE3 0.8500
RFQ
ECAD 67 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS438 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 16A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.3V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 880 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 27.7W (TC)
IRFZ44STRR Vishay Siliconix IRFZ44STRR -
RFQ
ECAD 7485 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SIRA50DP-T1-RE3 Vishay Siliconix siRA50DP-T1-RE3 1.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira50 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 62.5A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 194 NC @ 10 v +20V, -16V 8445 pf @ 20 v - 6.25W (TA), 100W (TC)
SI4062DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4062DY-T1-GE3 1.7500
RFQ
ECAD 7684 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4062 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 32.1A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 20A, 10V 2.6V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 3175 pf @ 30 v - 7.8W (TC)
IRF9620L Vishay Siliconix IRF9620L -
RFQ
ECAD 6745 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF9620 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF9620L 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - -
SI6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6954ADQ-T1-E3 0.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6954 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.1a 53mohm @ 3.4a, 10V 1V @ 250µA (Min) 16NC @ 10V - 논리 논리 게이트
IRFBC20STRL Vishay Siliconix irfbc20strl -
RFQ
ECAD 6920 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 2.2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
V30433-T1-GE3 Vishay Siliconix V30433-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9520 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v30433 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
SUP85N15-21-E3 Vishay Siliconix SUP85N15-21-E3 5.4000
RFQ
ECAD 7896 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup85 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 150 v 85A (TC) 10V 21mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4750 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 300W (TC)
SI4936CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4936CDY-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4936 MOSFET (금속 (() 2.3W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.8A 40mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 9NC @ 10V 325pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIE802DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE802DF-T1-E3 1.8574
RFQ
ECAD 5701 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE802 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 23.6a, 10V 2.7V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 7000 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SI7812DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7812DN-T1-E3 2.0800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7812 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 16A (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 7.2a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 840 pf @ 35 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI4411DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4411DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2800 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4411 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 65 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
IRF644SPBF Vishay Siliconix IRF644SPBF 3.5900
RFQ
ECAD 766 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF644SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRLZ14S Vishay Siliconix IRLZ14S -
RFQ
ECAD 6817 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ14S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 10A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRF840LCSTRRPBF Vishay Siliconix IRF840LCSTRRPBF 1.8458
RFQ
ECAD 6696 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI3456BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3456BDV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1200 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3456 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V - 1.1W (TA)
IRF610STRR Vishay Siliconix irf610strr -
RFQ
ECAD 3373 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF610 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3W (TA), 36W (TC)
IRFP344PBF Vishay Siliconix IRFP344PBF -
RFQ
ECAD 8743 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP344 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP344PBF 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 450 v 9.5A (TC) 10V 630mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5933CDC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9300 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5933 MOSFET (금속 (() 2.8W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.7a 144mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 250µA 6.8NC @ 5V 276pf @ 10V -
IRFU9210 Vishay Siliconix IRFU9210 -
RFQ
ECAD 5981 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU9210 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 200 v 1.9A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIHA22N60AEL-GE3 Vishay Siliconix siha22n60ael-ge3 -
RFQ
ECAD 3849 0.00000000 Vishay Siliconix 엘자 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA22 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 30V 1757 pf @ 100 v - 35W (TC)
SIRA64DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA64DP-T1-RE3 0.9200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira64 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 65 nc @ 10 v +20V, -16V 3420 pf @ 15 v - 27.8W (TC)
SIR492DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir492dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 7577 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir492 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 40A (TC) 2.5V, 4.5V 3.8mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 110 nc @ 8 v ± 8V 3720 pf @ 6 v - 4.2W (TA), 36W (TC)
IRFP450NPBF Vishay Siliconix IRFP450NPBF -
RFQ
ECAD 4698 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP450 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP450NPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 370mohm @ 8.4a, 10V 5V @ 250µA 77 NC @ 10 v ± 30V 2260 pf @ 25 v - 200W (TC)
IRF720PBF Vishay Siliconix IRF720PBF 1.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF720 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF720PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 3.3A (TC) 10V 1.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 50W (TC)
SQD97N06-6M3L_GE3 Vishay Siliconix SQD97N06-6M3L_GE3 1.6600
RFQ
ECAD 8375 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD97 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 97A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V 6060 pf @ 25 v - 136W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고