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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI5410DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5410DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1748 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5410 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 6.6a, 10V 3V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
SI3445ADV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3445ADV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7092 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3445 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 4.4A (TA) 1.8V, 4.5V 42mohm @ 5.8a, 4.5v 1V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.1W (TA)
SISA10BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA10BDN-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 26A (TA), 104A (TC) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 36.2 NC @ 10 v +20V, -16V 1710 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 63W (TC)
IRF9530SPBF Vishay Siliconix IRF9530SPBF 2.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 12A (TC) 10V 300mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SI5449DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5449DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9765 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5449 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.1A (TA) 2.5V, 4.5V 85mohm @ 3.1a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 11 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
SQM120N04-1M7L_GE3 Vishay Siliconix SQM120N04-1M7L_GE3 3.4300
RFQ
 ECAD 3976 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM120 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 285 NC @ 10 v ± 20V 14606 PF @ 20 v - 375W (TC)
SI4914BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4914 MOSFET (금속 (() 2.7W, 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 8.4a, 8a 21mohm @ 8a, 10V 2.7V @ 250µA 10.5nc @ 4.5v - -
SIHG22N60E-E3 Vishay Siliconix SIHG22N60E-E3 4.4500
RFQ
 ECAD 5021 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG22 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHG22N60EE3 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 227W (TC)
SQM40061EL_GE3 Vishay Siliconix SQM40061EL_GE3 1.8400
RFQ
 ECAD 5993 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM40061 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 5.1MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 280 nc @ 10 v ± 20V 14500 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI7945DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7945DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6605 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7945 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 7a 20mohm @ 10.9a, 10V 3V @ 250µA 74NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIHF12N50C-E3 Vishay Siliconix SIHF12N50C-E3 5.2600
RFQ
 ECAD 994 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF12 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 555mohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 1375 pf @ 25 v - 36W (TC)
SIZ702DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ702DT-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1905 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-PowerPair ™ Siz702 MOSFET (금속 (() 27W, 30W 6-PowerPair ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 16A 12MOHM @ 13.8A, 10V 2.5V @ 250µA 21NC @ 10V 790pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIHA2N80E-GE3 Vishay Siliconix siha2n80e-ge3 1.6500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA2 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 2.8A (TC) 10V 2.75ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 19.6 NC @ 10 v ± 30V 315 pf @ 100 v - 29W (TC)
IRF634STRRPBF Vishay Siliconix IRF634STRRPBF 2.1700
RFQ
 ECAD 2403 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF634 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 8.1A (TC) 10V 450mohm @ 5.1a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 770 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SISA16DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA16DN-T1-GE3 0.1995
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA16 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TA) 6.8mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 47 NC @ 10 v 2060 pf @ 15 v - -
SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj963ep-t1_ge3 1.8600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ963 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 60V 8A (TC) 85mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250µA 40NC @ 10V 1140pf @ 30V -
SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7232DN-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 8529 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7232 MOSFET (금속 (() 23W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 25A 16.4mohm @ 10a, 4.5v 1V @ 250µA 32NC @ 8V 1220pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI4004DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4004DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7965 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4004 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 12A (TC) 13.8mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 250µA 33 NC @ 10 v 1280 pf @ 10 v -
SI4906DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4906DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8687 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4906 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 6.6a 39mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 22NC @ 10V 625pf @ 20V -
SQJ443EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ443EP-T2_GE3 1.1200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2030 pf @ 20 v - 83W (TC)
SIHP21N60EF-BE3 Vishay Siliconix SIHP21N60EF-BE3 2.9200
RFQ
 ECAD 4159 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP21 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 176mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 30V 2030 pf @ 100 v - 227W (TC)
SI2304DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-BE3 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2304 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-si2304dds-t1-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.3A (TA), 3.6A (TC) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.2a, 10V 2.2V @ 250µA 6.7 NC @ 10 v ± 20V 235 pf @ 15 v - 1.1W (TA), 1.7W (TC)
SI1539CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1539CDL-T1-BE3 0.4300
RFQ
 ECAD 6787 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1539 MOSFET (금속 (() 290MW (TA), 340MW (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1539CDL-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 700ma (TA), 700ma (TC), 400MA (TA), 500MA (TC) 388mohm @ 600ma, 10v, 890mohm @ 400ma, 10v 2.5V @ 250µA 1.5NC @ 10V, 3NC @ 10V 28pf @ 15v, 34pf @ 15v -
SIHK125N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK125N60E-T1-GE3 5.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerbsfn MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 30V 1811 pf @ 100 v - 132W (TC)
IRFZ20PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFZ20PBF-BE3 1.9000
RFQ
 ECAD 657 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irfz20pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 50 v 15A (TC) 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 40W (TC)
SI2319CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2319CDS-T1-BE3 0.5700
RFQ
 ECAD 216 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2319 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 3.1A (TA), 4.4A (TC) 4.5V, 10V 77mohm @ 3.1a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 595 pf @ 20 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SQS460CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS460CENW-T1_GE3 0.8000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W SQS460 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqs460cenw-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 8A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 5.3a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 580 pf @ 25 v - 27W (TC)
SQ3426AEEV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3426AEEV-T1_BE3 0.7100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3426 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 30 v - 5W (TC)
SUD50P10-43L-GE3 Vishay Siliconix SUD50P10-43L-GE3 2.6500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 100 v 37.1A (TC) 4.5V, 10V 43mohm @ 9.2a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 50 v - 8.3W (TA), 136W (TC)
SIR108DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir108dp-t1-re3 1.7100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir108 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 12.4A (TA), 45A (TC) 7.5V, 10V 13.5mohm @ 10a, 10V 3.6V @ 250µA 41.5 nc @ 10 v ± 20V 2060 pf @ 50 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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