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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
sqj418ep-t1_ge3	1.1800	RFQ	25	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ418	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	48A (TC)	10V	14mohm @ 10a, 10V	3.5V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	1700 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SIHFR9310-GE3	0.3091	RFQ	3932	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SIHFR9310	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIHFR9310-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	400 v	1.8A (TC)	10V	7ohm @ 1.1a, 10V	4V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	270 pf @ 25 v	-	50W (TC)
SIA907EDJ-T1-GE3	-	RFQ	9300	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-	-	SIA907	-	-	-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	-		-	-		-	-	-		-	-
SI7366DP-T1-E3	-	RFQ	4870	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7366	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	13A (TA)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	25 nc @ 4.5 v	± 20V		-	1.7W (TA)
SI5440DC-T1-GE3	-	RFQ	4577	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5440	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	6A (TC)	4.5V, 10V	19mohm @ 9.1a, 10V	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 10 v	-	2.5W (TA), 6.3W (TC)
SI2399DS-T1-GE3	0.5100	RFQ	4257	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2399	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	6A (TC)	2.5V, 10V	34mohm @ 5.1a, 10V	1.5V @ 250µA	20 nc @ 4.5 v	± 12V	835 pf @ 10 v	-	2.5W (TC)
IRFI9630G	-	RFQ	2507	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	IRFI9630	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFI9630G	귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널	200 v	4.3A (TC)	10V	800mohm @ 2.6a, 10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 v	± 20V	700 pf @ 25 v	-	35W (TC)
sqj208ep-t1_ge3	1.4800	RFQ	9567	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ208	MOSFET (금속 (()	27W (TC), 48W (TC)	PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	20A (TC), 60A (TC)		9.4mohm @ 6a, 10v, 3.9mohm @ 10a, 10v	2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA	33nc @ 10v, 75nc @ 10v		1700pf @ 25v, 3900pf @ 25v	-
SIS407DN-T1-GE3	1.0000	RFQ	60	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS407	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	25A (TC)	1.8V, 4.5V	9.5mohm @ 15.3a, 4.5v	1V @ 250µA	93.8 nc @ 8 v	± 8V	2760 pf @ 10 v	-	3.6W (TA), 33W (TC)
SI4116DY-T1-GE3	1.2500	RFQ	2837	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4116	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	25 v	18A (TC)	2.5V, 10V	8.6mohm @ 10a, 10V	1.4V @ 250µA	56 NC @ 10 v	± 12V	1925 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 5W (TC)
SI4390DY-T1-E3	-	RFQ	2263	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4390	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	8.5A (TA)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 12.5a, 10V	2.8V @ 250µA	15 nc @ 4.5 v	± 20V		-	1.4W (TA)
V30419-T1-GE3	-	RFQ	4403	Vishay Siliconix	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				v30419				-	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	3,000
SI4923DY-T1-E3	-	RFQ	2788	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4923	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		30V	6.2A		21mohm @ 8.3a, 10V	3V @ 250µA	70NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
IRFBC40LCSTRL	-	RFQ	3147	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFBC40	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	-	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	600 v	6.2A (TC)	10V	1.2ohm @ 3.7a, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 30V	1100 pf @ 25 v	-	125W (TC)
SI7216DN-T1-E3	1.6600	RFQ	5455	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8 듀얼	SI7216	MOSFET (금속 (()	20.8W	PowerPak® 1212-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	6A		32mohm @ 5a, 10V	3V @ 250µA	19NC @ 10V		670pf @ 20V	-
SI7413DN-T1-E3	-	RFQ	1497	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7413	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	8.4A (TA)	1.8V, 4.5V	15mohm @ 13.2a, 4.5v	1V @ 400µA	51 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
SI2327DS-T1-E3	-	RFQ	2232	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2327	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	200 v	380MA (TA)	6V, 10V	2.35ohm @ 500ma, 10V	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	510 pf @ 25 v	-	750MW (TA)
SQ9945AEY-T1-E3	-	RFQ	1369	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ9945	MOSFET (금속 (()	2.4W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		60V	3.7a		80mohm @ 3.7a, 10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
SI6968BEDQ-T1-GE3	0.7800	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6968	MOSFET (금속 (()	1W	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수		20V	5.2A		22mohm @ 6.5a, 4.5v	1.6V @ 250µA	18NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
IRLR024PBF	1.6800	RFQ	6921	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRLR024	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	60 v	14A (TC)	4V, 5V	100mohm @ 8.4a, 5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 v	± 10V	870 pf @ 25 v	-	42W (TC)
SUM110N04-05H-E3	-	RFQ	6719	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SUM110	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	40 v	110A (TC)	10V	5.3MOHM @ 30A, 10V	5V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 20V	6700 pf @ 25 v	-	3.75W (TA), 150W (TC)
SQJ148EP-T1_GE3	0.6900	RFQ	8962	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ148	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	15A (TC)	4.5V, 10V	33mohm @ 7a, 10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	600 pf @ 25 v	-	45W (TC)
SI4090DY-T1-GE3	1.5000	RFQ	4820	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4090	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	19.7A (TC)	6V, 10V	10mohm @ 15a, 10V	3.3V @ 250µA	69 NC @ 10 v	± 20V	2410 pf @ 50 v	-	3.5W (TA), 7.8W (TC)
SQ2364EES-T1_GE3	0.6700	RFQ	17	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2364	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	2A (TC)	1.5V, 4.5V	240mohm @ 2a, 4.5v	1V @ 250µA	2.5 NC @ 4.5 v	± 8V	330 pf @ 25 v	-	3W (TC)
SI4401DY-T1-GE3	-	RFQ	8411	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4401	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	40 v	8.7A (TA)	4.5V, 10V	15.5mohm @ 10.5a, 10V	1V @ 250µA (Min)	50 nc @ 5 v	± 20V		-	1.5W (TA)
SIHD6N80AE-GE3	1.3200	RFQ	2	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SIHD6	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	800 v	5A (TC)	10V	950mohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	22.5 nc @ 10 v	± 30V	422 pf @ 100 v	-	62.5W (TC)
SQM70060EL_GE3	2.6800	RFQ	61	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SQM70060	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	100 v	75A (TC)	4.5V, 10V	5.9mohm @ 30a, 10V	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	5500 pf @ 25 v	-	166W (TC)
SUP90N03-03-E3	-	RFQ	8019	Vishay Siliconix	Trenchfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	sup90	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	30 v	90A (TC)	4.5V, 10V	2.9mohm @ 28.8a, 10V	2.5V @ 250µA	257 NC @ 10 v	± 20V	12065 pf @ 15 v	-	3.75W (TA), 250W (TC)
SI5410DU-T1-GE3	-	RFQ	1748	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® ChipFet ™ 싱글	SI5410	MOSFET (금속 (()		PowerPak® ChipFet ™ 싱글	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	12A (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 6.6a, 10V	3V @ 250µA	32 NC @ 10 v	± 20V	1350 pf @ 20 v	-	3.1W (TA), 31W (TC)
SI3445ADV-T1-E3	-	RFQ	7092	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3445	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	8 v	4.4A (TA)	1.8V, 4.5V	42mohm @ 5.8a, 4.5v	1V @ 250µA	19 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.1W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²