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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
IRF730	-	RFQ	9631	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF730	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	400 v	5.5A (TC)	10V	1ohm @ 3.3a, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	700 pf @ 25 v	-	74W (TC)
SI1988DH-T1-E3	-	RFQ	9762	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1988	MOSFET (금속 (()	1.25W	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	1.3a		168mohm @ 1.4a, 4.5v	1V @ 250µA	4.1nc @ 8v		110pf @ 10V	논리 논리 게이트
SIJ494DP-T1-GE3	1.7300	RFQ	4587	Vishay Siliconix	Thunderfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SIJ494	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	150 v	36.8A (TC)	7.5V, 10V	23.2mohm @ 15a, 10V	4.5V @ 250µA	31 NC @ 10 v	± 20V	1070 pf @ 75 v	-	69.4W (TC)
SI9933BDY-T1-E3	-	RFQ	3154	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI9933	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		20V	3.6a		60mohm @ 4.7a, 4.5v	1.4V @ 250µA	9NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SQ2351CES-T1_GE3	-	RFQ	3292	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	-	Rohs3 준수			742-SQ2351CES-T1_GE3TR			1		p 채널	20 v	3.2A (TC)	2.5V, 4.5V	115mohm @ 2.4a, 4.5v	1.5V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 v	± 12V	330 pf @ 10 v	-	2W (TC)
SUM70N04-07L-E3	-	RFQ	7229	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	sum70	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	40 v	70A (TC)	4.5V, 10V	7.4mohm @ 30a, 10V	3V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 20V	2800 pf @ 25 v	-	3.75W (TA), 100W (TC)
SIHK185N60E-T1-GE3	4.4200	RFQ	2	Vishay Siliconix	이자형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerbsfn	SIHK185	MOSFET (금속 (()		PowerPak®10 x 12	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	600 v	19A (TC)	10V	185mohm @ 9.5a, 10V	5V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 30V	1085 pf @ 100 v	-	114W (TC)
SIHG64N65E-GE3	13.3400	RFQ	4732	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	SIHG64	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	650 v	64A (TC)	10V	47mohm @ 32a, 10V	4V @ 250µA	369 NC @ 10 v	± 30V	7497 pf @ 100 v	-	520W (TC)
IRFZ24STRLPBF	1.4700	RFQ	5006	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFZ24	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	60 v	17A (TC)	10V	100mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 60W (TC)
SI4324DY-T1-E3	-	RFQ	5464	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4324	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	36A (TC)	4.5V, 10V	3.2MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	85 NC @ 10 v	± 20V	3510 pf @ 15 v	-	3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI4840BDY-T1-E3	1.6600	RFQ	69	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4840	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	19A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 12.4a, 10V	3V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 20V	2000 pf @ 20 v	-	2.5W (TA), 6W (TC)
SIHB22N65E-T1-GE3	4.8100	RFQ	797	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드		1 (무제한)		742-SIHB22N65E-T1-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	650 v	22A (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 30V	2415 pf @ 100 v	-	227W (TC)
SI7148DP-T1-E3	2.4500	RFQ	6444	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7148	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	75 v	28A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	2900 pf @ 35 v	-	5.4W (TA), 96W (TC)
SQJ403BEEP-T1_BE3	1.6000	RFQ	7997	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)		742-sqj403beep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	30A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	164 NC @ 10 v	± 20V		-	68W (TC)
SUP70040E-GE3	3.0600	RFQ	490	Vishay Siliconix	Trenchfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SUP70040	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	100 v	120A (TC)	7.5V, 10V	4MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	120 nc @ 10 v	± 20V	5100 pf @ 50 v	-	375W (TC)
irfr420atrpbf	1.5500	RFQ	12	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR420	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	500 v	3.3A (TC)	10V	3ohm @ 1.5a, 10V	4.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 30V	340 pf @ 25 v	-	83W (TC)
SI2303BDS-T1-E3	-	RFQ	1859	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2303	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	1.49A (TA)	4.5V, 10V	200mohm @ 1.7a, 10V	3V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 20V	180 pf @ 15 v	-	700MW (TA)
SI7909DN-T1-E3	-	RFQ	1916	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8 듀얼	SI7909	MOSFET (금속 (()	1.3W	PowerPak® 1212-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		12V	5.3A		37mohm @ 7.7a, 4.5v	1V @ 700µA	24NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
sira64dp-t1-ge3	0.3715	RFQ	2544	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sira64	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	2.1mohm @ 10a, 10V	2.2V @ 250µA	65 nc @ 10 v	+20V, -16V	3420 pf @ 15 v	-	27.8W (TC)
IRFR420PBF-BE3	0.7513	RFQ	1006	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR420	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드				742-irfr420pbf-be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	500 v	2.4A (TC)	10V	3ohm @ 1.4a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	360 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI1902DL-T1-E3	0.5300	RFQ	8479	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1902	MOSFET (금속 (()	270MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	660ma		385mohm @ 660ma, 4.5v	1.5V @ 250µA	1.2NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI3483CDV-T1-E3	1.0000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3483	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	8A (TC)	10V	34mohm @ 6.1a, 10V	3V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1000 pf @ 15 v	-	2W (TA), 4.2W (TC)
SIS472ADN-T1-GE3	0.1714	RFQ	7351	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS472	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	24A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 10a, 10V	2.4V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	1515 pf @ 15 v	-	28W (TC)
IRFP350LC	-	RFQ	8028	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP350	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFP350LC	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	400 v	16A (TC)	10V	300mohm @ 9.6a, 10V	4V @ 250µA	76 NC @ 10 v	± 30V	2200 pf @ 25 v	-	190W (TC)
SI4936ADY-T1-GE3	0.9072	RFQ	5028	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4936	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		30V	4.4a		36mohm @ 5.9a, 10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
SQUN700E-T1_GE3	2.4400	RFQ	5083	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	SQUN700	MOSFET (금속 (()	50W (TC), 48W (TC)	주사위	다운로드		1 (무제한)		742-squn700e-t1_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	2,000	2 n 채널 (채널), p 채널		200V, 40V	16A (TC), 30A (TC)		9.2mohm @ 9.8a, 10v, 75mohm @ 5a, 10v, 30mohm @ 6a, 10v	3.5V @ 250µA, 2.5V @ 250µA	23nc @ 10v, 11nc @ 10v, 30.2nc @ 10v		1474pf @ 20v, 600pf @ 100v, 1302pf @ 100v	-
irfl214trpbf-be3	1.4200	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IRFL214	MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	250 v	790MA (TC)	10V	2ohm @ 470ma, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	140 pf @ 25 v	-	2W (TA), 3.1W (TC)
SI4108DY-T1-GE3	-	RFQ	4287	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4108	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	75 v	20.5A (TC)		9.8mohm @ 13.8a, 10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 v		2100 pf @ 38 v	-
IRF9620STR	-	RFQ	3041	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF9620	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	200 v	3.5A (TC)	10V	1.5ohm @ 1.5a, 10V	4V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	350 pf @ 25 v	-	3W (TA), 40W (TC)
sqja64ep-t1_ge3	0.8000	RFQ	1729	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJA64	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	15A (TC)	10V	32mohm @ 4a, 10V	3.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	670 pf @ 25 v	-	45W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²