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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIRA64DP-T1-RE3 | 0.9200 |  | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira64 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | +20V, -16V | 3420 pf @ 15 v | - | 27.8W (TC) | |||||
 | sir492dp-t1-ge3 | - | | 7577 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir492 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 12 v | 40A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3.8mohm @ 15a, 4.5v | 1V @ 250µA | 110 nc @ 8 v | ± 8V | 3720 pf @ 6 v | - | 4.2W (TA), 36W (TC) | |||||
 | IRFR9310 | - | | 1609 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9310 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFR9310 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 400 v | 1.8A (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||
 | IRFP450NPBF | - | | 4698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP450 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFP450NPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 500 v | 14A (TC) | 10V | 370mohm @ 8.4a, 10V | 5V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | ± 30V | 2260 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||
 | IRF644SPBF | 3.5900 | | 766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF644 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF644SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| IRF9Z24S | - | | 3563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF9Z24S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 11A (TC) | 10V | 280mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||
 | SISH615ADN-T1-GE3 | 0.5900 | | 1613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SH | SISH615 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 22.1A (TA), 35A (TC) | 2.5V, 10V | 4.4mohm @ 20a, 10V | 1.5V @ 250µA | 183 NC @ 10 v | ± 12V | 5590 pf @ 10 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
| irf610strr | - | | 3373 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF610 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 3.3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 36W (TC) | ||||
 | SI3456BDV-T1-E3 | - | | 1200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4.5A (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 6a, 10V | 3V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.1W (TA) | |||||
| IRLZ14S | - | | 6817 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRLZ14 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRLZ14S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 10A (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2V @ 250µA | 8.4 NC @ 5 v | ± 10V | 400 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||
 | irfl9014tr | - | | 7049 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL9014 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 1.8A (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | SUM50P10-42-E3 | - | | 1570 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | sum50 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 14a, 10V | 3V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 4600 pf @ 50 v | - | 18.8W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SI4196DY-T1-E3 | - | | 9485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4196 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 22 nc @ 8 v | ± 8V | 830 pf @ 10 v | - | 2W (TA), 4.6W (TC) | ||||
| irfr1n60atrrpbf | - | | 3189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR1 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 1.4A (TC) | 10V | 7ohm @ 840ma, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 30V | 229 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | ||||
| irfr120trrpbf | 0.6733 | | 5467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRF9Z34 | - | | 5320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF9Z34 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 60 v | 18A (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 88W (TC) | |||
| SI4894BDY-T1-E3 | 1.3200 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4894 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 8.9A (TA) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12a, 10V | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1580 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | |||||
 | SI6981DQ-T1-GE3 | - | | 2405 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6981 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4.1a | 31mohm @ 4.8a, 4.5v | 900MV @ 300µA | 25NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| SI3993CDV-T1-GE3 | 0.5100 | | 9869 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3993 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 2.9A | 111mohm @ 2.5a, 10V | 2.2V @ 250µA | 8NC @ 10V | 210pf @ 15V | - | |||||||
| SI4890BDY-T1-GE3 | - | | 5032 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4890 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 10A, 10V | 2.6V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 25V | 1535 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
| IRFL9014 | - | | 1285 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL9014 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFL9014 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | p 채널 | 60 v | 1.8A (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||
| sir466dp-t1-ge3 | 1.1800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir466 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 15a, 10V | 2.4V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 2730 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 54W (TC) | |||||
 | IRFD9014PBF | 1.3900 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD9014 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFD9014PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 1.1A (TA) | 10V | 500mohm @ 660ma, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | ||||
| SIHB15N60E-GE3 | 3.1200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB15 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHB15N60EGE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 30V | 1350 pf @ 100 v | - | 180W (TC) | ||||
 | SQM50028EM_GE3 | 3.0300 | | 742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | SQM50028 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2MOHM @ 30A, 10V | 3.5V @ 250µA | 185 NC @ 10 v | ± 20V | 11900 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||
| SIRA14BDP-T1-GE3 | 0.5100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | siRA14 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 21A (TA), 64A (TC) | 4.5V, 10V | 5.38mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | +20V, -16V | 917 pf @ 15 v | - | 3.7W (TA), 36W (TC) | |||||
| irfr320trl | - | | 3616 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR320 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 400 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | SQD50N04-5M6L_GE3 | 1.3300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.6MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 4000 pf @ 25 v | - | 71W (TC) | ||||||
 | SI2308BDS-T1-E3 | 0.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2308 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2.3A (TC) | 4.5V, 10V | 156mohm @ 1.9a, 10V | 3V @ 250µA | 6.8 NC @ 10 v | ± 20V | 190 pf @ 30 v | - | 1.09W (TA), 1.66W (TC) | ||||
 | SI8424DB-T1-E1 | - | | 6622 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8424 | MOSFET (금속 (() | 4 마이크로 푸드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 8 v | 12.2A (TC) | 1.2V, 4.5V | 31mohm @ 1a, 4.5v | 1V @ 250µA | 33 NC @ 5 v | ± 5V | 1950 pf @ 4 v | - | 2.78W (TA), 6.25W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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