SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFB9N60APBF Vishay Siliconix IRFB9N60APBF 3.0800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB9N60 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFB9N60APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRLBA3803 Vishay Siliconix IRLBA3803 -
RFQ
ECAD 3337 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Super-220 ™ IRLBA38 MOSFET (금속 (() Super-220 ™ (TO-273AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLBA3803 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 179a (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 71A, 10V 1V @ 250µA 140 nc @ 4.5 v ± 16V 5000 pf @ 25 v - 270W (TC)
SI3458DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3458DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7395 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3458 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 3.2a, 10V 1V @ 250µA (Min) 16 nc @ 10 v ± 20V - 2W (TA)
SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS862DN-T1-GE3 1.1700
RFQ
ECAD 8472 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS862 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 40A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1320 pf @ 30 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
IRFR014TR Vishay Siliconix irfr014tr -
RFQ
ECAD 6550 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQ4532AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4532AEY-T1_GE3 0.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4532 MOSFET (금속 (() 3.3W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 7.3A (TC), 5.3A (TC) 31mohm @ 4.9a, 10v, 70mohm @ 3.5a, 10v 2.5V @ 250µA 7.8nc @ 10v, 10.2nc @ 10v 535pf @ 15v, 528pf @ 15v -
IRFR420PBF Vishay Siliconix IRFR420PBF 1.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFI720GPBF Vishay Siliconix IRFI720GPBF 2.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI720 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI720GPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 2.6A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 30W (TC)
IRLZ24STRR Vishay Siliconix irlz24strr -
RFQ
ECAD 6376 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 17A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
IRFD220 Vishay Siliconix IRFD220 -
RFQ
ECAD 3137 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD220 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD220 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 800MA (TA) 10V 800mohm @ 480ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRFBC20 Vishay Siliconix IRFBC20 -
RFQ
ECAD 1975 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBC20 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 2.2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 50W (TC)
SQV120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix SQV120N10-3M8_GE3 -
RFQ
ECAD 5801 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) SQV120 MOSFET (금속 (() 28 -Soic 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 7230 pf @ 25 v - 250W (TC)
SUD50N03-12P-E3 Vishay Siliconix SUD50N03-12P-E3 -
RFQ
ECAD 6246 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 17.5A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 6.5W (TA), 46.8W (TC)
SI1078X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1078X-T1-GE3 0.3600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1078 MOSFET (금속 (() 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.02A (TC) 2.5V, 10V 142mohm @ 1a, 10V 1.5V @ 250µA 3 NC @ 4.5 v ± 12V 110 pf @ 15 v - 240MW (TC)
IRFR310TRRPBF Vishay Siliconix irfr310trrpbf -
RFQ
ECAD 8625 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIA430DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA430DJT-T1-GE3 0.5500
RFQ
ECAD 4319 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA430 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 12A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 10 v - 19.2W (TC)
SI7892BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7892BDP-T1-GE3 1.9000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7892 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 25A, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 20V 3775 pf @ 15 v - 1.8W (TA)
SI4153DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4153DY-T1-GE3 0.7100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SI4153DY-T1-GE3DKR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 14.3A (TA), 19.3A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 93 NC @ 10 v ± 25V 3600 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 5.6W (TC)
IRFB16N50KPBF Vishay Siliconix IRFB16N50KPBF -
RFQ
ECAD 5772 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB16 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB16N50KPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 17A (TC) 10V 350mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 30V 2210 pf @ 25 v - 280W (TC)
SI2323DS-T1 Vishay Siliconix SI2323DS-T1 -
RFQ
ECAD 9335 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2323 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4.7a, 4.5v 1V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 8V 1020 pf @ 10 v - 750MW (TA)
SI4933DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4933DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3964 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4933 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 12V 7.4A 14mohm @ 9.8a, 4.5v 1V @ 500µA 70NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIR696DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir696dp-t1-ge3 1.3600
RFQ
ECAD 4035 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir696 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 125 v 60A (TC) 7.5V, 10V 11.5mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1410 pf @ 75 v - 104W (TC)
IRF744PBF Vishay Siliconix IRF744PBF -
RFQ
ECAD 8552 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF744 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF744PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 8.8A (TC) 10V 630mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 125W (TC)
SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2325ES-T1_GE3 0.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2325 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 840MA (TC) 10V 1.77ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 50 v - 3W (TC)
SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-GE3 0.4300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2304 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.3A (TA), 3.6A (TC) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.2a, 10V 2.2V @ 250µA 6.7 NC @ 10 v ± 20V 235 pf @ 15 v - 1.1W (TA), 1.7W (TC)
SIB419DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB419DK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5166 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB419 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 11.82 NC @ 5 v ± 8V 562 pf @ 6 v - 2.45W (TA), 13.1W (TC)
IRFPC50A Vishay Siliconix IRFPC50A -
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC50 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFPC50A 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 580mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 2100 pf @ 25 v - 180W (TC)
SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4154DY-T1-GE3 1.4900
RFQ
ECAD 9625 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4154 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 36A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 4230 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
V30368-T1-E3 Vishay Siliconix V30368-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1524 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v30368 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
SIB433EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB433EDK-T1-GE3 0.5300
RFQ
ECAD 7902 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB433 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 58mohm @ 3.7a, 4.5v 1V @ 250µA 21 NC @ 8 v ± 8V - 2.4W (TA), 13W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고