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![]() | SI2318CDS-T1-GE3 | 0.4600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2318 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 5.6A (TC) | 4.5V, 10V | 42MOHM @ 4.3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 9 NC @ 10 v | ± 20V | 340 pf @ 20 v | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | ||||
![]() | SI4170DY-T1-GE3 | - | ![]() | 3389 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4170 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 15a, 10V | 2.6V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 4355 pf @ 15 v | - | 3W (TA), 6W (TC) | ||||
![]() | SI1012R-T1-GE3 | 0.4500 | ![]() | 214 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1012 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 500MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 700mohm @ 600ma, 4.5v | 900MV @ 250µA | 0.75 nc @ 4.5 v | ± 6V | - | 150MW (TA) |
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