SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI2323DS-T1 Vishay Siliconix SI2323DS-T1 -
RFQ
ECAD 9335 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2323 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4.7a, 4.5v 1V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 8V 1020 pf @ 10 v - 750MW (TA)
SI4933DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4933DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3964 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4933 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 12V 7.4A 14mohm @ 9.8a, 4.5v 1V @ 500µA 70NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIR696DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir696dp-t1-ge3 1.3600
RFQ
ECAD 4035 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir696 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 125 v 60A (TC) 7.5V, 10V 11.5mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1410 pf @ 75 v - 104W (TC)
IRF744PBF Vishay Siliconix IRF744PBF -
RFQ
ECAD 8552 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF744 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF744PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 8.8A (TC) 10V 630mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 125W (TC)
SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2325ES-T1_GE3 0.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2325 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 840MA (TC) 10V 1.77ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 50 v - 3W (TC)
SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-GE3 0.4300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2304 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.3A (TA), 3.6A (TC) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.2a, 10V 2.2V @ 250µA 6.7 NC @ 10 v ± 20V 235 pf @ 15 v - 1.1W (TA), 1.7W (TC)
SIB419DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB419DK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5166 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB419 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 11.82 NC @ 5 v ± 8V 562 pf @ 6 v - 2.45W (TA), 13.1W (TC)
IRFPC50A Vishay Siliconix IRFPC50A -
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC50 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFPC50A 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 580mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 2100 pf @ 25 v - 180W (TC)
SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4154DY-T1-GE3 1.4900
RFQ
ECAD 9625 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4154 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 36A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 4230 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SIB433EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB433EDK-T1-GE3 0.5300
RFQ
ECAD 7902 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB433 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 58mohm @ 3.7a, 4.5v 1V @ 250µA 21 NC @ 8 v ± 8V - 2.4W (TA), 13W (TC)
SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8851EDB-T2-E1 0.6200
RFQ
ECAD 7006 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 30-XFBGA SI8851 MOSFET (금속 (() Power Micro Foot® (2.4x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 7.7A (TA) 1.8V, 4.5V 8mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 180 NC @ 8 v ± 8V 6900 pf @ 10 v - 660MW (TA)
SIA450DJ-T1-E3 Vishay Siliconix SIA450DJ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7182 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA450 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 240 v 1.52A (TC) 2.5V, 10V 2.9ohm @ 700ma, 10V 2.4V @ 250µA 7.04 NC @ 10 v ± 20V 167 pf @ 120 v - 3.3W (TA), 15W (TC)
IRFR214TRRPBF Vishay Siliconix irfr214trrpbf 0.6159
RFQ
ECAD 5566 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF644NSTRL Vishay Siliconix irf644nstrl -
RFQ
ECAD 2203 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 240mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI3529DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3529DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2037 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3529 MOSFET (금속 (() 1.4W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 40V 2.5a, 1.95a 125mohm @ 2.2a, 10V 3V @ 250µA 7NC @ 10V 205pf @ 20V 논리 논리 게이트
SUM70040M-GE3 Vishay Siliconix SUM70040M-GE3 3.0600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) SUM70040 MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TC) 7.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 50 v - 375W (TC)
SI4401BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4401BDY-T1-GE3 1.9500
RFQ
ECAD 9135 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4401 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 8.7A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 10.5a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SUM70N03-09CP-E3 Vishay Siliconix SUM70N03-09CP-E3 -
RFQ
ECAD 9154 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum70 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 93W (TC)
SIHB065N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB065N60E-GE3 6.8400
RFQ
ECAD 6078 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB065 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 40A (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 2700 pf @ 100 v - 250W (TC)
IRFR24N10D Vishay Siliconix irfr24n10d -
RFQ
ECAD 1847 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR24 MOSFET (금속 (() D-PAK - rohs 비준수 1 (무제한) *IRFR24N10D 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v - - - - -
SUM50N06-16L-E3 Vishay Siliconix SUM50N06-16L-E3 -
RFQ
ECAD 8922 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum50 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 16MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 10 v 1325 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 93W (TC)
SISS10ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix Siss10ADN-T1-GE3 0.9600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS10 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 31.7A (TA), 109A (TC) 4.5V, 10V 2.65mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 61 NC @ 10 v +20V, -16V 3030 pf @ 20 v - 4.8W (TA), 56.8W (TC)
SISS98DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS98DN-T1-GE3 1.0800
RFQ
ECAD 3279 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISS98 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 14.1A (TC) 7.5V, 10V 105mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 14 NC @ 7.5 v ± 20V 608 pf @ 100 v - 57W (TC)
IRF730SPBF Vishay Siliconix IRF730SPBF 1.1708
RFQ
ECAD 4448 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF730 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF730SPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRLZ14PBF Vishay Siliconix IRLZ14PBF 1.1100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRLZ14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRLZ14PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 10A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 43W (TC)
SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7655DN-T1-GE3 1.6400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SI7655 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 40A (TC) 2.5V, 10V 3.6MOHM @ 20A, 10V 1.1V @ 250µA 225 NC @ 10 v ± 12V 6600 pf @ 10 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
IRFBF20STRLPBF Vishay Siliconix IRFBF20STRLPBF 2.4700
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBF20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 1.7A (TC) 10V 8ohm @ 1a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 54W (TC)
SI2318CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2318CDS-T1-GE3 0.4600
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2318 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 5.6A (TC) 4.5V, 10V 42MOHM @ 4.3A, 10V 2.5V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 340 pf @ 20 v - 1.25W (TA), 2.1W (TC)
SI4170DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4170DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3389 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4170 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 15a, 10V 2.6V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4355 pf @ 15 v - 3W (TA), 6W (TC)
SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1012R-T1-GE3 0.4500
RFQ
ECAD 214 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1012 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 500MA (TA) 1.8V, 4.5V 700mohm @ 600ma, 4.5v 900MV @ 250µA 0.75 nc @ 4.5 v ± 6V - 150MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고