견적요청
BOM
문의하기

전화: +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-comComponents.com

디스크리트 반도체(5717)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)
IRFD210PBF	1.3900	보상요청	13	비세이 실리코닉스	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	4-DIP(0.300", 7.62mm)	IRFD210	MOSFET(금속)		4-HVMDIP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		*IRFD210PBF	EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	200V	600mA(타)	10V	1.5옴 @ 360mA, 10V	4V @ 250μA	8.2nC @ 10V	±20V	25V에서 140pF	-	1W(타)
SQJA34EP-T1_GE3	1.1100	보상요청	4562	비세이 실리코닉스	자동차, AEC-Q101, TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® SO-8	SQJA34	MOSFET(금속)		PowerPAK® SO-8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	40V	75A(Tc)	10V	4.3m옴 @ 10A, 10V	250μA에서 3.5V	50nC @ 10V	±20V	25V에서 2800pF	-	68W(Tc)
SI6983DQ-T1-E3	-	보상요청	8098	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭)	SI6983	MOSFET(금속)	830mW	8-TSSOP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 P채널(듀얼)		20V	4.6A		24m옴 @ 5.4A, 4.5V	1V에서 400μA	30nC @ 4.5V		-	게임 레벨 레벨
IRF740AS	-	보상요청	4466	비세이 실리코닉스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF740	MOSFET(금속)		D²PAK(TO-263)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	*IRF740AS	EAR99	8541.29.0095	50		N채널	400V	10A(TC)	10V	550m옴 @ 6A, 10V	4V @ 250μA	36nC @ 10V	±30V	25V에서 1030pF	-	3.1W(Ta), 125W(Tc)
SI8851EDB-T2-E1	0.6200	보상요청	7006	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	30-XFBGA	SI8851	MOSFET(금속)		파워 마이크로 풋(2.4x2)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000		P채널	20V	7.7A(타)	1.8V, 4.5V	8m옴 @ 7A, 4.5V	1V @ 250μA	180nC @ 8V	±8V	6900pF @ 10V	-	660mW(타)
IRF520PBF	1.1900	보상요청	6891	비세이 실리코닉스	-	튜브	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	IRF520	MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		*IRF520PBF	EAR99	8541.29.0095	50		N채널	100V	9.2A(Tc)	10V	270m옴 @ 5.5A, 10V	4V @ 250μA	16nC @ 10V	±20V	360pF @ 25V	-	60W(Tc)
IRLZ14L	-	보상요청	1494	비세이 실리코닉스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA	IRLZ14	MOSFET(금속)		TO-262-3	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	*IRLZ14L	EAR99	8541.29.0095	50		N채널	60V	10A(TC)	4V, 5V	200m옴 @ 6A, 5V	2V @ 250μA	8.4nC @ 5V	±10V	25V에서 400pF	-	3.7W(Ta), 43W(Tc)
SI5935DC-T1-GE3	-	보상요청	2667	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SMD, 플랫 리드	SI5935	MOSFET(금속)	1.1W	1206-8 ChipFET™	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 P채널(듀얼)		20V	3A		86m옴 @ 3A, 4.5V	1V @ 250μA	8.5nC @ 4.5V		-	게임 레벨 레벨
SIHH240N60E-T1-GE3	2.8000	보상요청	38	비세이 실리코닉스	EF	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	SIHH240	MOSFET(금속)		PowerPAK® 8x8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		742-SIHH240N60E-T1-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	600V	12A(TC)	10V	240m옴 @ 5.5A, 10V	5V @ 250μA	23nC @ 10V	±30V	100V에서 783pF	-	89W(Tc)
SIE818DF-T1-GE3	1.9970	보상요청	1947년	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	10-PolarPAK® (L)	SIE818	MOSFET(금속)		10-PolarPAK® (L)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	75V	60A(Tc)	4.5V, 10V	9.5m옴 @ 16A, 10V	3V @ 250μA	95nC @ 10V	±20V	3200pF @ 38V	-	5.2W(Ta), 125W(Tc)
SI3473DV-T1-GE3	-	보상요청	2506	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6	SI3473	MOSFET(금속)		6-TSOP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	12V	5.9A(타)	1.8V, 4.5V	23m옴 @ 7.9A, 4.5V	1V @ 250μA	33nC @ 4.5V	±8V		-	1.1W(타)
SI3407DV-T1-E3	-	보상요청	7620	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6	SI3407	MOSFET(금속)		6-TSOP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	20V	8A(TC)	2.5V, 4.5V	24m옴 @ 7.5A, 4.5V	250μA에서 1.5V	63nC @ 10V	±12V	10V에서 1670pF	-	2W(Ta), 4.2W(Tc)
SIHG33N60E-E3	4.1309	보상요청	3921	비세이 실리코닉스	이자형	튜브	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	SIHG33	MOSFET(금속)		TO-247AC	다운로드		1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	500		N채널	600V	33A(티씨)	10V	99m옴 @ 16.5A, 10V	4V @ 250μA	150nC @ 10V	±30V	100V에서 3508pF	-	278W(Tc)
SQS460CENW-T1_GE3	0.8000	보상요청	50	비세이 실리코닉스	자동차, AEC-Q101, TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® 1212-8W	SQS460	MOSFET(금속)		PowerPAK® 1212-8W	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		742-SQS460CENW-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	60V	8A(TC)	4.5V, 10V	30m옴 @ 5.3A, 10V	2.5V @ 250μA	11nC @ 10V	±20V	25V에서 580pF	-	27W(Tc)
SUP90N03-03-E3	-	보상요청	8019	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	SUP90	MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	500		N채널	30V	90A(Tc)	4.5V, 10V	2.9m옴 @ 28.8A, 10V	2.5V @ 250μA	257nC @ 10V	±20V	12065pF @ 15V	-	3.75W(Ta), 250W(Tc)
SI1072X-T1-E3	-	보상요청	7584	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-563, SOT-666	SI1072	MOSFET(금속)		SC-89 (SOT-563F)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000		N채널	30V	1.3A(타)	4.5V, 10V	93m옴 @ 1.3A, 10V	3V @ 250μA	8.3nC @ 10V	±20V	15V에서 280pF	-	236mW(타)
SI7236DP-T1-GE3	-	보상요청	3838	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® SO-8 듀얼	SI7236	MOSFET(금속)	46W	PowerPAK® SO-8 듀얼	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N채널(듀얼)		20V	60A		5.2m옴 @ 20.7A, 4.5V	250μA에서 1.5V	105nC @ 10V		4000pF @ 10V	-
SI7860DP-T1-GE3	-	보상요청	4846	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® SO-8	SI7860	MOSFET(금속)		PowerPAK® SO-8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	30V	11A(타)	4.5V, 10V	8m옴 @ 18A, 10V	3V @ 250μA	18nC @ 4.5V	±20V		-	1.8W(타)
IRF9540PBF-BE3	2.1500	보상요청	3	비세이 실리코닉스	-	튜브	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	IRF9540	MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		1(무제한)		742-IRF9540PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		P채널	100V	19A(TC)		200m옴 @ 11A, 10V	4V @ 250μA	61nC @ 10V	±20V	25V에서 1400pF	-	150W(Tc)
SIHB186N60EF-GE3	2.9600	보상요청	2	비세이 실리코닉스	EF	튜브	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB186	MOSFET(금속)		D²PAK(TO-263)	다운로드		1(무제한)		742-SIHB186N60EF-GE3	EAR99	8541.29.0095	50		N채널	600V	8.4A(Tc)	10V	193m옴 @ 9.5A, 10V	5V @ 250μA	32nC @ 10V	±30V	100V에서 1081pF	-	156W(Tc)
SI2328DS-T1-E3	0.8600	보상요청	7093	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2328	MOSFET(금속)		SOT-23-3(TO-236)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000		N채널	100V	1.15A(타)	10V	250m옴 @ 1.5A, 10V	4V @ 250μA	5nC @ 10V	±20V		-	730mW(타)
SQJ481EP-T1_BE3	1.0000	보상요청	3518	비세이 실리코닉스	자동차, AEC-Q101, TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® SO-8		MOSFET(금속)		PowerPAK® SO-8	다운로드		1(무제한)		742-SQJ481EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	80V	16A(티씨)	4.5V, 10V	80m옴 @ 10A, 10V	2.5V @ 250μA	50nC @ 10V	±20V	2000pF @ 25V	-	45W(Tc)
SIHH20N50E-T1-GE3	4.8500	보상요청	7820	비세이 실리코닉스	이자형	튜브	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	SIHH20	MOSFET(금속)		PowerPAK® 8x8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	500V	22A(TC)	10V	147m옴 @ 10A, 10V	4V @ 250μA	84nC @ 10V	±30V	100V에서 2063pF	-	174W(Tc)
SIA483DJ-T1-GE3	0.5100	보상요청	118	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® SC-70-6	SIA483	MOSFET(금속)		PowerPAK® SC-70-6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	30V	12A(TC)	4.5V, 10V	21m옴 @ 5A, 10V	2.2V @ 250μA	45nC @ 10V	±20V	1550pF @ 15V	-	3.5W(Ta), 19W(Tc)
SI2307CDS-T1-BE3	0.5100	보상요청	7	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2307	MOSFET(금속)		SOT-23-3(TO-236)	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	30V	2.7A(Ta), 3.5A(Tc)	4.5V, 10V	88m옴 @ 3.5A, 10V	3V @ 250μA	6.2nC @ 4.5V	±20V	15V에서 340pF	-	1.1W(Ta), 1.8W(Tc)
SIS698DN-T1-GE3	0.3045	보상요청	2231	비세이 실리코닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® 1212-8	SIS698	MOSFET(금속)		PowerPAK® 1212-8	다운로드		1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	100V	6.9A(Tc)	6V, 10V	195m옴 @ 2.5A, 10V	250μA에서 3.5V	8nC @ 10V	±20V	50V에서 210pF	-	19.8W(Tc)
SI2323CDS-T1-GE3	0.7500	보상요청	6436	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2323	MOSFET(금속)		SOT-23-3(TO-236)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	20V	6A(TC)	1.8V, 4.5V	39m옴 @ 4.6A, 4.5V	1V @ 250μA	25nC @ 4.5V	±8V	1090pF @ 10V	-	1.25W(Ta), 2.5W(Tc)
TP0202K-T1-GE3	-	보상요청	2224	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TP0202	MOSFET(금속)		SOT-23-3(TO-236)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000		P채널	30V	385mA(타)	4.5V, 10V	1.4옴 @ 500mA, 10V	3V @ 250μA	1nC @ 10V	±20V	15V에서 31pF	-	350mW(타)
SUM70N04-07L-E3	-	보상요청	7229	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	자70	MOSFET(금속)		TO-263(D²Pak)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800		N채널	40V	70A(Tc)	4.5V, 10V	7.4m옴 @ 30A, 10V	3V @ 250μA	75nC @ 10V	±20V	25V에서 2800pF	-	3.75W(Ta), 100W(Tc)
SI5938DU-T1-E3	-	보상요청	5930	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® ChipFET™ 듀얼	SI5938	MOSFET(금속)	8.3W	PowerPAK® ChipFet 듀얼	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N채널(듀얼)		20V	6A		39m옴 @ 4.4A, 4.5V	1V @ 250μA	16nC @ 8V		520pF @ 10V	게임 레벨 레벨

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²