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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on)
SIR698DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir698dp-t1-ge3 1.3100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir698 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.5A (TC) 6V, 10V 195mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 210 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 23W (TC)
SIHG73N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG73N60E-GE3 12.6600
RFQ
 ECAD 7443 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG73 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 73A (TC) 10V 39mohm @ 36a, 10V 4V @ 250µA 362 NC @ 10 v ± 30V 7700 pf @ 100 v - 520W (TC)
SQ3456BEV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3456BEV-T1_GE3 0.6900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3456 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.8A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 370 pf @ 15 v - 4W (TC)
IRF9640SPBF Vishay Siliconix IRF9640SPBF 2.4000
RFQ
 ECAD 569 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 11A (TC) 10V 500mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3W (TA), 125W (TC)
SIHG33N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3 4.4659
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG33 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 32.4A (TC) 10V 105mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 173 NC @ 10 v ± 30V 4040 pf @ 100 v - 313W (TC)
SI1070X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1070X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1268 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1070 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.2A (TA) 2.5V, 4.5V 99mohm @ 1.2a, 4.5v 1.55V @ 250µA 8.3 NC @ 5 v ± 12V 385 pf @ 15 v - 236MW (TA)
SI1304BDL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1304BDL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3486 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1304 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 900ma (TC) 2.5V, 4.5V 270mohm @ 900ma, 4.5v 1.3V @ 250µA 2.7 NC @ 4.5 v ± 12V 100 pf @ 15 v - 340MW (TA), 370MW (TC)
SI7138DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7138DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6191 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7138 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 30A (TC) 6V, 10V 7.8mohm @ 19.7a, 10V 4V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V 6900 pf @ 30 v - 5.4W (TA), 96W (TC)
TP0610K-T1-E3 Vishay Siliconix TP0610K-T1-E3 0.5000
RFQ
 ECAD 830 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TP0610 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 185MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 500ma, 10V 3V @ 250µA 1.7 NC @ 15 v ± 20V 23 pf @ 25 v - 350MW (TA)
SI4398DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4398DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4398 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 19A (TA) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5620 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5908DC-T1-E3 1.3900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5908 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.4a 40mohm @ 4.4a, 4.5v 1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIA950DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA950DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3492 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA950 MOSFET (금속 (() 7W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 190V 950ma 3.8ohm @ 360ma, 4.5v 1.4V @ 250µA 4.5NC @ 10V 90pf @ 100v 논리 논리 게이트
SUD50P04-13L-GE3 Vishay Siliconix SUD50P04-13L-GE3 -
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 3120 pf @ 25 v - 3W (TA), 93.7W (TC)
SI2327DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2327DS-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6148 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2327 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 200 v 380MA (TA) 6V, 10V 2.35ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 510 pf @ 25 v - 750MW (TA)
SI2343CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2343CDS-T1-GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2343 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5.9A (TC) 4.5V, 10V 45mohm @ 4.2a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SI3464DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3464DV-T1-GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3464 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 7.5a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 8V 1065 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.6W (TC)
SI4823DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4823DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4938 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4823 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 4.1A (TC) 2.5V, 4.5V 108mohm @ 3.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 660 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.7W (TA), 2.8W (TC)
SI4850EY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4850EY-T1-GE3 1.7700
RFQ
 ECAD 558 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4850 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6A (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V - 1.7W (TA)
SI7872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7872DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2380 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7872 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 6.4a 22mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SQJ454EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ454EP-T1_GE3 1.3100
RFQ
 ECAD 6267 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ454 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 13A (TC) 4.5V, 10V 145mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 68W (TC)
SUP85N03-3M6P-GE3 Vishay Siliconix SUP85N03-3M6P-GE3 -
RFQ
 ECAD 8312 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup85 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 85A (TC) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 22a, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3535 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 78.1W (TC)
2N4392-2 Vishay Siliconix 2N4392-2 -
RFQ
 ECAD 8641 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4392 1.8 w TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 14pf @ 20V 40 v 25 ma @ 20 v 2 v @ 1 na 60 옴
TP0202K-T1-E3 Vishay Siliconix TP0202K-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9227 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TP0202 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 385MA (TA) 4.5V, 10V 1.4ohm @ 500ma, 10V 3V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 31 pf @ 15 v - 350MW (TA)
IRF530STRR Vishay Siliconix IRF530STRR -
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
IRFD210PBF Vishay Siliconix IRFD210PBF 1.3900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD210 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD210PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 600MA (TA) 10V 1.5ohm @ 360ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRFR9210 Vishay Siliconix IRFR9210 -
RFQ
 ECAD 2040 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9210 MOSFET (금속 (() D-PAK - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 200 v 1.9A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir626LDP-T1-RE3 1.8000
RFQ
 ECAD 3581 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir626 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 45.6a (TA), 186a (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V 5900 pf @ 30 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SISS30DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss30dn-t1-ge3 1.1400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS30 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 15.9A (TA), 54.7A (TC) 7.5V, 10V 8.25mohm @ 10a, 10V 3.8V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1666 pf @ 10 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
2N4117A-2 Vishay Siliconix 2N4117A-2 -
RFQ
 ECAD 6504 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 2N4117 300MW TO-206AF (TO-72) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 n 채널 3pf @ 10V 40 v 30 µa @ 10 v 600 MV @ 1 NA
SIHB30N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB30N60E-GE3 6.0700
RFQ
 ECAD 879 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHB30N60EGE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 125mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 30V 2600 pf @ 100 v - 250W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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