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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF510PBF Vishay Siliconix IRF510PBF 1.1200
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF510PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 540mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 43W (TC)
SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4431BDY-T1-E3 1.0000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4431 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5.7A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
IRF720SPBF Vishay Siliconix IRF720SPBF 1.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF720 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF720SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 3.3A (TC) 10V 1.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
IRF9520PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9520PBF-BE3 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9520 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf9520pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 6.8A (TC) 600mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 60W (TC)
SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz300DT-T1-GE3 1.1200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz300 MOSFET (금속 (() 16.7W, 31W 8-PowerPair® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 11a, 28a 24mohm @ 9.8a, 10V 2.4V @ 250µA 12NC @ 10V 400pf @ 15V 논리 논리 게이트
SQJ431AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_BE3 1.6400
RFQ
 ECAD 2342 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj431aep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 9.4A (TC) 6V, 10V 305mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 3700 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIHFR320-GE3 Vishay Siliconix SIHFR320-GE3 0.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHFR320 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI1302DL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1302DL-T1-BE3 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1302 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 600MA (TA) 480mohm @ 600ma, 10V 3V @ 250µA 1.4 NC @ 10 v ± 20V - 280MW (TA)
SIHA21N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHA21N80AEF-GE3 3.0700
RFQ
 ECAD 957 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA21N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 250mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 30V 1511 pf @ 100 v - 33W (TC)
SI7308DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7308DN-T1-E3 1.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7308 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6A (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 5.4a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 665 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SI2309CDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2309CDS-T1-E3 0.5500
RFQ
 ECAD 8186 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2309 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 1.6A (TC) 4.5V, 10V 345mohm @ 1.25a, 10V 3V @ 250µA 4.1 NC @ 4.5 v ± 20V 210 pf @ 30 v - 1W (TA), 1.7W (TC)
SIA811ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA811ADJ-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA811 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TC) 1.8V, 4.5V 116mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 13 nc @ 8 v ± 8V 345 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.8W (TA), 6.5W (TC)
IRFP354 Vishay Siliconix IRFP354 -
RFQ
 ECAD 6022 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP354 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFP354 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 450 v 14A (TC) 10V 350mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRFBC20PBF Vishay Siliconix IRFBC20PBF 1.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBC20PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 2.2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 50W (TC)
SI5402DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5402DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5402 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.9A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 20 nc @ 10 v ± 20V - 1.3W (TA)
SIHD6N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N65E-GE3 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 78W (TC)
SQ1563AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1563AEH-T1_GE3 0.5300
RFQ
 ECAD 841 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SQ1563 MOSFET (금속 (() 1.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 850MA (TC) 280mohm @ 850ma, 4.5v, 575mohm @ 800ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.25nc @ 4.5v, 1.33nc @ 4.5v 89pf @ 10v, 84pf @ 10v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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