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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | irfl9110tr | - |  | 7383 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL9110 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 1.1A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 660ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | IRFU024PBF | 1.7500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU024 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFU024PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | IRFBC20PBF | 1.4000 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFBC20 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFBC20PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 2.2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.3a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||
 | SI1062X-T1-GE3 | 0.4500 | | 4926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | SI1062 | MOSFET (금속 (() | SC-89-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 530MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 420mohm @ 500ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2.7 NC @ 8 v | ± 8V | 43 pf @ 10 v | - | 220MW (TA) | ||||
 | SIHG21N80AEF-GE3 | 3.3700 | | 494 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHG21N80AEF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 800 v | 16.3A (TC) | 10V | 250mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 30V | 1511 pf @ 100 v | - | 179W (TC) | |||||
 | SI6966EDQ-T1-GE3 | - | | 6456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6966 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | - | 30mohm @ 5.2a, 4.5v | 600MV @ 250µa (최소) | 25NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SI5481DU-T1-E3 | - | | 5913 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5481 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 12A (TC) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 6.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 50 nc @ 8 v | ± 8V | 1610 pf @ 10 v | - | 3.1W (TA), 17.8W (TC) | ||||
 | SIA462DJ-T1-GE3 | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA462 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 9a, 10V | 2.4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SI8808DB-T2-E1 | 0.4500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-UFBGA | SI8808 | MOSFET (금속 (() | 4 마이크로 푸드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 1.8A (TA) | 1.5V, 4.5V | 95mohm @ 1a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 10 nc @ 8 v | ± 8V | 330 pf @ 15 v | - | 500MW (TA) | ||||
 | sir878dp-t1-ge3 | - | | 8008 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir878 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 15a, 10V | 2.8V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 1250 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 44.5W (TC) | |||||
 | SUD45P04-16P-GE3 | - | | 2221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD45 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 40 v | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 16.2mohm @ 14a, 20V | 2.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 2765 pf @ 20 v | - | 2.1W (TA), 41.7W (TC) | |||||
| IRF9Z34PBF | 1.8300 | | 745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9Z34 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF9Z34PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 18A (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 88W (TC) | ||||
| SI6955ADQ-T1-GE3 | - | | 4080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6955 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 2.5A | 80mohm @ 2.9a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 8NC @ 5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | IRFP31N50L | - | | 8528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP31 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFP31N50L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 31A (TC) | 10V | 180mohm @ 19a, 10V | 5V @ 250µA | 210 nc @ 10 v | ± 30V | 5000 pf @ 25 v | - | 460W (TC) | |||
| SIA471DJ-T1-GE3 | 0.5900 | | 8282 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA471 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 12.9A (TA), 30.3A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 27.8 nc @ 10 v | +16V, -20V | 1170 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | |||||
 | SQJ474EP-T1_BE3 | 0.9800 | | 3488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj474ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 26A (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||
 | sqjb68ep-t1_ge3 | 0.9800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJB68 | MOSFET (금속 (() | 27W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 100V | 11A (TC) | 92mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 250µA | 8NC @ 10V | 280pf @ 25v | - | |||||||
 | sqj992ep-t1_ge3 | 1.3900 | | 5070 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ992 | MOSFET (금속 (() | 34W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 15a | 56.2mohm @ 3.7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12NC @ 10V | 446pf @ 30v | - | |||||||
| SUD50P04-08-GE3 | 1.5000 | | 6216 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.1mohm @ 22a, 10V | 2.5V @ 250µA | 159 NC @ 10 v | ± 20V | 5380 pf @ 20 v | - | 2.5W (TA), 73.5W (TC) | |||||
| IRFZ44RPBF | 2.8100 | | 6719 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ44 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFZ44RPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||
| SIA907EDJ-T4-GE3 | - | | 8775 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | SIA907 | - | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||
 | SQ3418EV-T1_GE3 | 0.6900 | | 35 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SQ3418 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12.7 NC @ 10 v | ± 20V | 678 pf @ 20 v | - | 5W (TC) | ||||||
| irfr110trpbf-be3 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 742-irfr110trpbf-be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 4.3A (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SIHH080N60E-T1-GE3 | 5.1700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-sihh080n60e-t1-ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 32A (TC) | 10V | 80mohm @ 17a, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 30V | 2557 pf @ 100 v | - | 184W (TC) | |||||
| irfl210trpbf | 0.8800 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL210 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 960MA (TC) | 10V | 1.5ohm @ 580ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
 | IRFBC30L | - | | 9673 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFBC30 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBC30L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 660 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | SUM90140E-GE3 | 3.0600 | | 9684 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM90140 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 90A (TC) | 7.5V, 10V | 17mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 20V | 4132 pf @ 100 v | - | 375W (TC) | |||||
| SUD50P04-40P-T4-E3 | - | | 5511 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 6A (TA), 8A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 5a, 10V | 2.7V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1555 pf @ 20 v | - | 2.4W (TA), 24W (TC) | ||||
| sqj850ep-t2_ge3 | 1.4600 | | 3684 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj850ep-t2_ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 24A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 10.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1225 pf @ 30 v | - | 45W (TC) | ||||||
 | IRF730PBF-BE3 | 1.5700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF730 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-irf730pbf-be3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 5.5A (TC) | 10V | 1ohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 74W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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