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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIA445EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA445EDJT-T1-GE3 0.4900
RFQ
 ECAD 1854 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA445 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TC) 2.5V, 4.5V 16.7mohm @ 7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 12V 2180 pf @ 10 v - 19W (TC)
IRF640SPBF Vishay Siliconix IRF640SPBF 2.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
IRFR9120TR Vishay Siliconix irfr9120tr -
RFQ
 ECAD 1952 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9120 MOSFET (금속 (() D-PAK - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4890BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4890BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4890 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.6V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 25V 1535 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
SI7460DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7460DP-T1-E3 2.2000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7460 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 11A (TA) 4.5V, 10V 9.6mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
IRFP260PBF Vishay Siliconix IRFP260PBF 6.5100
RFQ
 ECAD 949 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP260 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP260PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 200 v 46A (TC) 10V 55mohm @ 28a, 10V 4V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 25 v - 280W (TC)
SI3948DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3948DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9061 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3948 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V - 105mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 3.2NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SI3475DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3475DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7214 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3475 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 950MA (TC) 6V, 10V 1.61ohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 500 pf @ 50 v - 2W (TA), 3.2W (TC)
SUD90330E-BE3 Vishay Siliconix SUD90330E-BE3 1.5800
RFQ
 ECAD 8916 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD90330 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 742-sud90330e-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 35.8A (TC) 7.5V, 10V 37.5mohm @ 12.2a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1172 pf @ 100 v - 125W (TC)
TN0201K-T1-E3 Vishay Siliconix TN0201K-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TN0201 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 420MA (TA) 4.5V, 10V 1ohm @ 300ma, 10V 3V @ 250µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V - 350MW (TA)
IRFZ14SPBF Vishay Siliconix IRFZ14SPBF 1.5200
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 10A (TC) 10V 200mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
SIA430DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA430DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3481 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA430 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 12A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19.2W (TC)
SI3474DV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3474DV-T1-BE3 0.4400
RFQ
 ECAD 6956 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.8A (TA), 3.8A (TC) 4.5V, 10V 126MOHM @ 2A, 10V 3V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 196 pf @ 50 v - 2W (TA), 3.6W (TC)
IRLZ24L Vishay Siliconix IRLZ24L -
RFQ
 ECAD 4476 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRLZ24 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ24L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 17A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9407BDY-T1-E3 1.3900
RFQ
 ECAD 958 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9407 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 4.7A (TC) 4.5V, 10V 120mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 30 v - 5W (TC)
SQJ456EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ456EP-T1_GE3 5.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ456 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 32A (TC) 6V, 10V 26mohm @ 9.3a, 10V 3.5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 3342 pf @ 25 v - 83W (TC)
IRF9Z24STRL Vishay Siliconix irf9z24strl -
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 11A (TC) 10V 280mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
IRF820STRR Vishay Siliconix IRF820STRR -
RFQ
 ECAD 2066 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF820 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
IRF830ALPBF Vishay Siliconix IRF830ALPBF 2.3800
RFQ
 ECAD 385 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF830 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF830ALPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRFR9214TRLPBF Vishay Siliconix irfr9214trlpbf 1.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 3ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRFBG20PBF Vishay Siliconix IRFBG20PBF 1.8300
RFQ
 ECAD 3338 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBG20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBG20PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 1.4A (TC) 10V 11ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 54W (TC)
SIJA72ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sija72adp-t1-ge3 0.9800
RFQ
 ECAD 9754 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sija72 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 27.9A (TA), 96A (TC) 4.5V, 10V 3.42mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 50 nc @ 10 v +20V, -16V 2530 pf @ 20 v - 4.8W (TA), 56.8W (TC)
IRFI740GPBF Vishay Siliconix IRFI740GPBF 2.9300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI740 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI740GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.4A (TC) 10V 550mohm @ 3.2a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 1370 pf @ 25 v - 40W (TC)
SIDR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR626DP-T1-RE3 2.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 42.8A (TA), 100A (TC) 6V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10V 3.4V @ 250µA 102 NC @ 10 v ± 20V 5130 pf @ 30 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SI6966EDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI696EDQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9542 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6966 MOSFET (금속 (() 1.25W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V - 30mohm @ 5.2a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 25NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFU9024PBF Vishay Siliconix IRFU9024PBF 1.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9024 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFU9024PBF 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 8.8A (TC) 10V 280mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF830LPBF Vishay Siliconix IRF830LPBF 1.1708
RFQ
 ECAD 1636 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF830 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF830LPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRFU214PBF Vishay Siliconix IRFU214PBF 1.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU214 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFU214PBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF9620 Vishay Siliconix IRF9620 -
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9620 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9620 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 200 v 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 40W (TC)
SIA468DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA468DJ-T1-GE3 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA468 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 37.8A (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 11a, 10V 2.4V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v +20V, -16V 1290 pf @ 15 v - 19W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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