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![]() | SI6404DQ-T1-E3 | - | ![]() | 8758 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6404 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 8.6A (TA) | 2.5V, 10V | 9mohm @ 11a, 10V | 600MV @ 250µa (최소) | 48 NC @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.08W (TA) | |||||
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![]() | sqja06ep-t1_ge3 | 1.2100 | ![]() | 1742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJA06 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 57A (TC) | 10V | 8.7mohm @ 10a, 10V | 3.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 2800 pf @ 25 v | - | 55W (TC) |
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