전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB9N30APBF | - | ![]() | 8629 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB9 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFB9N30APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 300 v | 9.3A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.6a, 10V | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 30V | 920 pf @ 25 v | - | 96W (TC) | ||||
![]() | SI1426DH-T1-GE3 | - | ![]() | 2951 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1426 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 2.8A (TA) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 3.6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 3 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1W (TA) | |||||
![]() | SI2314EDS-T1-GE3 | 0.3197 | ![]() | 6452 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2314 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3.77A (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5a, 4.5v | 950MV @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 750MW (TA) | |||||
![]() | SIHG80N60E-GE3 | 11.9600 | ![]() | 9998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG80 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 80A (TC) | 10V | 30mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 443 NC @ 10 v | ± 30V | 6900 pf @ 100 v | - | 520W (TC) | |||||
![]() | IRFR224 | - | ![]() | 1277 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR224 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFR224 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 250 v | 3.8A (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.3a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
![]() | IRFBC30SPBF | 1.6155 | ![]() | 1175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBC30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFBC30SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 660 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
![]() | SI1967DH-T1-E3 | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1967 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 1.3a | 490mohm @ 910ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 4NC @ 8V | 110pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI4914BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 6992 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4914 | MOSFET (금속 (() | 2.7W, 3.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 8.4a, 8a | 21mohm @ 8a, 10V | 2.7V @ 250µA | 10.5nc @ 4.5v | - | - | |||||||
![]() | irfpf40pbf | 4.4500 | ![]() | 375 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPF40 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irfpf40pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 900 v | 4.7A (TC) | 10V | 2.5ohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||
IRF710PBF | 1.1100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF710 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF710PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 2A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | |||||
![]() | SIHR080N60E-T1-GE3 | 6.1300 | ![]() | 3222 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 갈매기 날개 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 51A (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 30V | 2557 pf @ 100 v | - | 500W (TC) | ||||||
![]() | irfbc30astrl | - | ![]() | 2602 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBC30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10V | 4.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 510 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||
![]() | irl3302L | - | ![]() | 3766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | irl3302 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3302L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 39A (TC) | 4.5V, 7V | 20mohm @ 23a, 7v | 700mv @ 250µa (최소) | 31 NC @ 4.5 v | ± 10V | 1300 pf @ 15 v | - | 57W (TC) | |||
![]() | IRFI9530GPBF | 2.3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI9530 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFI9530GPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 10V | 300mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||
![]() | irfr11n25d | - | ![]() | 3930 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR11 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *irfr11n25d | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 250 v | - | - | - | - | - | ||||||||
![]() | irlu110pbf | 1.4900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | irlu110 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irlu110pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 100 v | 4.3A (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 2.6a, 5v | 2V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 v | ± 10V | 250 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | SI2307BDS-T1-BE3 | 0.6400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.5A (TA) | 4.5V, 10V | 78mohm @ 3.2a, 10V | 3V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 380 pf @ 15 v | - | 750MW (TA) | |||||||
![]() | IRFR014TRPBF | 1.0000 | ![]() | 424 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 7.7A (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
![]() | IRFD120PBF | 1.3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD120 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFD120PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 1.3A (TA) | 10V | 270mohm @ 780ma, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | ||||
![]() | irfl014trpbf | 0.9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL014 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 2.7A (TC) | 10V | 200mohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
![]() | SI7804DN-T1-GE3 | 0.5292 | ![]() | 8957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7804 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6.5A (TA) | 4.5V, 10V | 18.5mohm @ 10a, 10V | 1.8V @ 250µA | 13 nc @ 5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | SIHW61N65EF-GE3 | 9.2873 | ![]() | 9228 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHW61 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 480 | n 채널 | 650 v | 64A (TC) | 10V | 47mohm @ 30.5a, 10V | 4V @ 250µA | 371 NC @ 10 v | ± 30V | 7407 pf @ 100 v | - | 520W (TC) | |||||
![]() | irlr014tr | - | ![]() | 1152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR014 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 7.7A (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250µA | 8.4 NC @ 5 v | ± 10V | 400 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
![]() | irfl210trpbf | 0.8800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL210 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 960MA (TC) | 10V | 1.5ohm @ 580ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
![]() | SI1499DH-T1-GE3 | 0.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1499 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 1.6A (TC) | 1.2V, 4.5V | 78mohm @ 2a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 16 nc @ 4.5 v | ± 5V | 650 pf @ 4 v | - | 2.5W (TA), 2.78W (TC) | ||||
![]() | SI4324DY-T1-GE3 | - | ![]() | 5835 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4324 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 85 NC @ 10 v | ± 20V | 3510 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | ||||
![]() | SI7403BDN-T1-GE3 | - | ![]() | 1342 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7403 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 8A (TC) | 2.5V, 4.5V | 74mohm @ 5.1a, 4.5v | 1V @ 250µA | 15 nc @ 8 v | ± 8V | 430 pf @ 10 v | - | 3.1W (TA), 9.6W (TC) | ||||
![]() | SIA462DJ-T1-GE3 | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA462 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 9a, 10V | 2.4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
![]() | irf9z24strrpbf | 1.3028 | ![]() | 7821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9Z24 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 60 v | 11A (TC) | 10V | 280mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
![]() | IRF740LCL | - | ![]() | 7398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF740 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF740LCL | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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