SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFB9N30APBF Vishay Siliconix IRFB9N30APBF -
RFQ
ECAD 8629 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB9N30APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 9.3A (TC) 10V 450mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 920 pf @ 25 v - 96W (TC)
SI1426DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1426DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2951 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1426 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.8A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 250µA 3 NC @ 4.5 v ± 20V - 1W (TA)
SI2314EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2314EDS-T1-GE3 0.3197
RFQ
ECAD 6452 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2314 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.77A (TA) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 5a, 4.5v 950MV @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 12V - 750MW (TA)
SIHG80N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG80N60E-GE3 11.9600
RFQ
ECAD 9998 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG80 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 80A (TC) 10V 30mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 443 NC @ 10 v ± 30V 6900 pf @ 100 v - 520W (TC)
IRFR224 Vishay Siliconix IRFR224 -
RFQ
ECAD 1277 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR224 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR224 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 250 v 3.8A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFBC30SPBF Vishay Siliconix IRFBC30SPBF 1.6155
RFQ
ECAD 1175 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBC30SPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI1967DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1967DH-T1-E3 0.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1967 MOSFET (금속 (() 1.25W SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.3a 490mohm @ 910ma, 4.5v 1V @ 250µA 4NC @ 8V 110pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI4914BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6992 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4914 MOSFET (금속 (() 2.7W, 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 8.4a, 8a 21mohm @ 8a, 10V 2.7V @ 250µA 10.5nc @ 4.5v - -
IRFPF40PBF Vishay Siliconix irfpf40pbf 4.4500
RFQ
ECAD 375 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPF40 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfpf40pbf 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 900 v 4.7A (TC) 10V 2.5ohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRF710PBF Vishay Siliconix IRF710PBF 1.1100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF710 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF710PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 36W (TC)
SIHR080N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHR080N60E-T1-GE3 6.1300
RFQ
ECAD 3222 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 갈매기 날개 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 51A (TC) 10V 84mohm @ 17a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 2557 pf @ 100 v - 500W (TC)
IRFBC30ASTRL Vishay Siliconix irfbc30astrl -
RFQ
ECAD 2602 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 74W (TC)
IRL3302L Vishay Siliconix irl3302L -
RFQ
ECAD 3766 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA irl3302 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3302L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 39A (TC) 4.5V, 7V 20mohm @ 23a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 31 NC @ 4.5 v ± 10V 1300 pf @ 15 v - 57W (TC)
IRFI9530GPBF Vishay Siliconix IRFI9530GPBF 2.3000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9530 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI9530GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 300mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 42W (TC)
IRFR11N25D Vishay Siliconix irfr11n25d -
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR11 MOSFET (금속 (() D-PAK - rohs 비준수 1 (무제한) *irfr11n25d 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 250 v - - - - -
IRLU110PBF Vishay Siliconix irlu110pbf 1.4900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA irlu110 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irlu110pbf 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 4.3A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 2.6a, 5v 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI2307BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2307BDS-T1-BE3 0.6400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 78mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 380 pf @ 15 v - 750MW (TA)
IRFR014TRPBF Vishay Siliconix IRFR014TRPBF 1.0000
RFQ
ECAD 424 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFD120PBF Vishay Siliconix IRFD120PBF 1.3900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD120 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD120PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1.3A (TA) 10V 270mohm @ 780ma, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
IRFL014TRPBF Vishay Siliconix irfl014trpbf 0.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 2.7A (TC) 10V 200mohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI7804DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7804DN-T1-GE3 0.5292
RFQ
ECAD 8957 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7804 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 18.5mohm @ 10a, 10V 1.8V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIHW61N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHW61N65EF-GE3 9.2873
RFQ
ECAD 9228 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHW61 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 480 n 채널 650 v 64A (TC) 10V 47mohm @ 30.5a, 10V 4V @ 250µA 371 NC @ 10 v ± 30V 7407 pf @ 100 v - 520W (TC)
IRLR014TR Vishay Siliconix irlr014tr -
RFQ
ECAD 1152 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFL210TRPBF Vishay Siliconix irfl210trpbf 0.8800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL210 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 960MA (TC) 10V 1.5ohm @ 580ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI1499DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1499DH-T1-GE3 0.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1499 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 1.6A (TC) 1.2V, 4.5V 78mohm @ 2a, 4.5v 800MV @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 5V 650 pf @ 4 v - 2.5W (TA), 2.78W (TC)
SI4324DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4324DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5835 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4324 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 36A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 3510 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI7403BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7403BDN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1342 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7403 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 2.5V, 4.5V 74mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 15 nc @ 8 v ± 8V 430 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 9.6W (TC)
SIA462DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA462DJ-T1-GE3 0.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA462 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 9a, 10V 2.4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 570 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
IRF9Z24STRRPBF Vishay Siliconix irf9z24strrpbf 1.3028
RFQ
ECAD 7821 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9Z24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 11A (TC) 10V 280mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
IRF740LCL Vishay Siliconix IRF740LCL -
RFQ
ECAD 7398 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF740 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF740LCL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고