SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQ1563AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1563AEH-T1_GE3 0.5300
RFQ
ECAD 841 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SQ1563 MOSFET (금속 (() 1.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 850MA (TC) 280mohm @ 850ma, 4.5v, 575mohm @ 800ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.25nc @ 4.5v, 1.33nc @ 4.5v 89pf @ 10v, 84pf @ 10v -
IRF9Z10PBF Vishay Siliconix IRF9Z10PBF 1.6300
RFQ
ECAD 958 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irf9z10pbf 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 6.7A (TC) 10V 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 43W (TC)
IRFBF30STRL Vishay Siliconix irfbf30strl -
RFQ
ECAD 5843 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBF30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 3.7ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRF644STRRPBF Vishay Siliconix IRF644STRRPBF 3.7500
RFQ
ECAD 7952 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI5858DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5858DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9214 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5858 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TC) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4.4a, 4.5v 1V @ 250µA 16 nc @ 8 v ± 8V 520 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 2.3W (TA), 8.3W (TC)
SI4010DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4010DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6705 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4010 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 31.3A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 77 NC @ 10 v +20V, -16V 3595 pf @ 15 v - 6W (TC)
SIHP12N60E-E3 Vishay Siliconix SIHP12N60E-E3 2.6900
RFQ
ECAD 3456 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP12 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP12N60EE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 937 pf @ 100 v - 147W (TC)
IRF644NPBF Vishay Siliconix IRF644NPBF -
RFQ
ECAD 6534 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF644 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF644NPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 240mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 150W (TC)
SIUD401ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIUD401ED-T1-GE3 0.4300
RFQ
ECAD 8874 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 0806 SIUD401 MOSFET (금속 (() PowerPak® 0806 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 500MA (TA) 2.5V, 10V 1.573ohm @ 200ma, 10V 1.4V @ 250µA 2 nc @ 10 v ± 12V 33 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
IRFPC40PBF Vishay Siliconix IRFPC40PBF 3.6800
RFQ
ECAD 493 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC40 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFPC40PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 6.8A (TC) 10V 1.2ohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
SQ7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ7002K-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2030 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 320MA (TC) 4.5V, 10V 1.3ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 20V 24 pf @ 30 v - 500MW (TC)
IRFU9214 Vishay Siliconix IRFU9214 -
RFQ
ECAD 6779 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU9214 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 3ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 50W (TC)
SIR422DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir422dp-t1-ge3 1.1800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir422 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 6.6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1785 pf @ 20 v - 5W (TA), 34.7W (TC)
SI1067X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1067X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5038 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1067 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.06A (TA) 1.8V, 4.5V 150mohm @ 1.06a, 4.5v 950MV @ 250µA 9.3 NC @ 5 v ± 8V 375 pf @ 10 v - 236MW (TA)
IRFL9110TR Vishay Siliconix irfl9110tr -
RFQ
ECAD 7383 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL9110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 1.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 660ma, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRFI644GPBF Vishay Siliconix IRFI644GPBF 2.9500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI644 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI644GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 7.9A (TC) 10V 280mohm @ 4.7a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 40W (TC)
SQM35N30-97_GE3 Vishay Siliconix SQM35N30-97_GE3 3.8400
RFQ
ECAD 974 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM35 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 300 v 35A (TC) 10V 97mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 5650 pf @ 25 v - 375W (TC)
SI8439DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8439dB-T1-E1 -
RFQ
ECAD 8895 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8439 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 5.9A (TA) 1.2V, 4.5V 25mohm @ 1.5a, 4.5v 800MV @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 5V - 1.1W (TA), 2.7W (TC)
SISH116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH116DN-T1-GE3 1.7000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH116 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 10.5A (TA) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SI4455DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4455DY-T1-E3 2.0800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4455 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 150 v 2.8A (TC) 10V 295mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1190 pf @ 50 v - 3.1W (TA), 5.9W (TC)
IRFZ14PBF Vishay Siliconix IRFZ14PBF 1.2900
RFQ
ECAD 63 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFZ14PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 10A (TC) 10V 200mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2333CDS-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 1445 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2333 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 7.1A (TC) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 8V 1225 pf @ 6 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
IRFD9113 Vishay Siliconix IRFD9113 -
RFQ
ECAD 7221 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9113 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 600MA (TA) 1.6ohm @ 300ma, 10V - 15 nc @ 15 v 250 pf @ 25 v - -
IRLD024 Vishay Siliconix irld024 -
RFQ
ECAD 6236 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) irld024 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLD024 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 2.5A (TA) 4V, 5V 100mohm @ 1.5a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
IRFIB6N60A Vishay Siliconix irfib6n60a -
RFQ
ECAD 1946 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfib6 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfib6n60a 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 5.5A (TC) 10V 750mohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 60W (TC)
IRFR214TRLPBF Vishay Siliconix irfr214trlpbf 0.6159
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF730STRLPBF Vishay Siliconix irf730strlpbf 2.3800
RFQ
ECAD 2880 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF730 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI6404DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6404DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8758 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6404 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8.6A (TA) 2.5V, 10V 9mohm @ 11a, 10V 600MV @ 250µa (최소) 48 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.08W (TA)
SQM40014EM_GE3 Vishay Siliconix SQM40014EM_GE3 2.9800
RFQ
ECAD 7750 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) SQM40014 MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 200a (TC) 10V 1MOHM @ 35A, 10V 3.5V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 15525 pf @ 25 v - 375W (TC)
SQJA06EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja06ep-t1_ge3 1.2100
RFQ
ECAD 1742 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA06 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 57A (TC) 10V 8.7mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 25 v - 55W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고