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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI4340CDY-T1-E3	1.3500	RFQ	612	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4340	MOSFET (금속 (()	3W, 5.4W	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		20V	14.1a, 20a		9.4mohm @ 11.5a, 10V	3V @ 250µA	32NC @ 10V		1300pf @ 10V	논리 논리 게이트
IRFD010PBF	-	RFQ	4496	Vishay Siliconix	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRFD010	MOSFET (금속 (()		4-HVMDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFD010PBF	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	50 v	1.7A (TC)	10V	200mohm @ 860ma, 10V	4V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	250 pf @ 25 v	-	1W (TC)
SI5449DC-T1-GE3	-	RFQ	9950	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5449	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	3.1A (TA)	2.5V, 4.5V	85mohm @ 3.1a, 4.5v	600MV @ 250µa (최소)	11 NC @ 4.5 v	± 12V		-	1.3W (TA)
SI7384DP-T1-GE3	-	RFQ	3167	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7384	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 18a, 10V	3V @ 250µA	18 nc @ 4.5 v	± 20V		-	1.8W (TA)
SI4480DY-T1-E3	-	RFQ	5504	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4480	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	80 v	6A (TA)	6V, 10V	35mohm @ 6a, 10V	2V @ 250µA (Min)	50 nc @ 10 v	± 20V		-	2.5W (TA)
irll1503tr	-	RFQ	3031	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	irll1503	MOSFET (금속 (()		SOT-223	-	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	-		-	-				-	-
IRFPC40PBF	3.6800	RFQ	493	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFPC40	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFPC40PBF	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	600 v	6.8A (TC)	10V	1.2ohm @ 4.1a, 10V	4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	150W (TC)
SI7850DP-T1-E3	2.0000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7850	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	6.2A (TA)	4.5V, 10V	22mohm @ 10.3a, 10V	3V @ 250µA	27 NC @ 10 v	± 20V		-	1.8W (TA)
SIHF22N60S-E3	-	RFQ	2615	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SIHF22	MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	22A (TC)		190mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v		2810 pf @ 25 v	-	250W (TC)
SI5486DU-T1-GE3	-	RFQ	5361	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® ChipFet ™ 싱글	SI5486	MOSFET (금속 (()		PowerPak® ChipFet ™ 싱글	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	12A (TC)	1.8V, 4.5V	15mohm @ 7.7a, 4.5v	1V @ 250µA	54 NC @ 8 v	± 8V	2100 pf @ 10 v	-	3.1W (TA), 31W (TC)
sir892dp-t1-ge3	-	RFQ	7795	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir892	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	25 v	50A (TC)	4.5V, 10V	3.2mohm @ 10a, 10V	2.6V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2645 pf @ 10 v	-	5W (TA), 50W (TC)
SI7478DP-T1-E3	2.8500	RFQ	14	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7478	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	15A (TA)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	160 nc @ 10 v	± 20V		-	1.9W (TA)
SI6459BDQ-T1-E3	-	RFQ	9009	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6459	MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	2.2A (TA)	4.5V, 10V	115mohm @ 2.7a, 10V	3V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V		-	1W (TA)
IRFU210	-	RFQ	2611	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IRFU2	MOSFET (금속 (()		TO-251AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFU210	귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	200 v	2.6A (TC)	10V	1.5ohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	140 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SI4630DY-T1-GE3	2.0000	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4630	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	25 v	40A (TC)	4.5V, 10V	2.7mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	161 NC @ 10 v	± 16V	6670 pf @ 15 v	-	3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI4466DY-T1-GE3	-	RFQ	5587	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4466	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	9.5A (TA)	2.5V, 4.5V	9mohm @ 13.5a, 4.5v	1.4V @ 250µA	60 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.5W (TA)
irfr9120tr	-	RFQ	1952	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9120	MOSFET (금속 (()		D-PAK	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	100 v	5.6A (TC)	10V	600mohm @ 3.4a, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	390 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI1058X-T1-GE3	-	RFQ	9387	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1058	MOSFET (금속 (()		SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	1.3A (TA)	2.5V, 4.5V	91mohm @ 1.3a, 4.5v	1.55V @ 250µA	5.9 NC @ 5 v	± 12V	380 pf @ 10 v	-	236MW (TA)
2N6661	-	RFQ	9123	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N6661	MOSFET (금속 (()		To-39	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	100		n 채널	90 v	860MA (TC)	5V, 10V	4ohm @ 1a, 10V	2V @ 1mA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	725MW (TA), 6.25W (TC)
SI7415DN-T1-GE3	1.6000	RFQ	4985	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7415	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	3.6A (TA)	4.5V, 10V	65mohm @ 5.7a, 10V	3V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V		-	1.5W (TA)
IRF530PBF	1.4000	RFQ	8	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF530	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRF530PBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	14A (TC)	10V	160mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	670 pf @ 25 v	-	88W (TC)
IRF620Stpbf	2.0400	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF620	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	200 v	5.2A (TC)	10V	800mohm @ 3.1a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	260 pf @ 25 v	-	3W (TA), 50W (TC)
SI6463BDQ-T1-E3	-	RFQ	1663	Vishay Siliconix	Trenchfet®	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6463	MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	6.2A (TA)		15mohm @ 7.4a, 4.5v	800MV @ 250µA	60 nc @ 5 v			-
SQJQ112ER-T1_GE3	3.8600	RFQ	3163	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 갈매기 날개		MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-sqjq112er-t1_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	100 v	296A (TC)	10V	2.53MOHM @ 20A, 10V	3.5V @ 250µA	272 NC @ 10 v	± 20V	15945 pf @ 25 v	-	600W (TC)
IRF644NPBF	-	RFQ	6534	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF644	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF644NPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	250 v	14A (TC)	10V	240mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 v	± 20V	1060 pf @ 25 v	-	150W (TC)
sir106adp-t1-Re3	1.5700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir106	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIR106ADP-T1-RE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	16.1A (TA), 65.8 (TC)	7.5V, 10V	8mohm @ 15a, 10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 20V	2440 pf @ 50 v	-	5W (TA), 83.3W (TC)
SI7411DN-T1-E3	-	RFQ	5353	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7411	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	7.5A (TA)	1.8V, 4.5V	19mohm @ 11.4a, 4.5v	1V @ 300µA	41 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
IRFU024PBF	1.7500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IRFU024	MOSFET (금속 (()		TO-251AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFU024PBF	귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	60 v	14A (TC)	10V	100mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SIS4634LDN-T1-GE3	0.7200	RFQ	5669	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS4634	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)					3,000		n 채널	60 v	7.8A (TA), 8A (TC)	4.5V, 10V	29mohm @ 5a, 10V	3V @ 250µA	5 nc @ 4.5 v	± 20V	420 pf @ 30 v	-	3.2W (TA), 19.8W (TC)
SI4992EY-T1-GE3	-	RFQ	6227	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4992	MOSFET (금속 (()	1.4W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		75V	3.6a		48mohm @ 4.8a, 10V	3V @ 250µA	21NC @ 10V		-	논리 논리 게이트

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²