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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI3438DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3438DV-T1-E3 1.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3438 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 7.4A (TC) 4.5V, 10V 35.5mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 20 v - 2W (TA), 3.5W (TC)
SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1024X-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1024 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 485MA 700mohm @ 600ma, 4.5v 900MV @ 250µA 0.75NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRL640STRR Vishay Siliconix irl640strr -
RFQ
 ECAD 9432 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRFIZ48G Vishay Siliconix irfiz48g -
RFQ
 ECAD 5835 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfiz48 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 37A (TC) 10V 18mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRFR9110TRPBF Vishay Siliconix irfr9110trpbf 1.2300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 100 v 3.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFR210TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr210trlpbf-be3 1.1700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR210 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfr210trlpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 2.6A (TC) 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIJ438ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ438ADP-T1-GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 7316 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIJ438 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 45.3A (TA), 169A (TC) 4.5V, 10V 1.35mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 162 NC @ 10 v +20V, -16V 7800 pf @ 20 v - 5W (TA), 69.4W (TC)
SIDR622DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR622DP-T1-RE3 2.5200
RFQ
 ECAD 8110 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 742-SIDR622DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 64.6A (TA), 56.7A (TC) 7.5V, 10V 17.7mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1516 pf @ 75 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SIHP25N60EFL-BE3 Vishay Siliconix SIHP25N60EFL-BE3 4.7300
RFQ
 ECAD 942 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 146mohm @ 12.5a, 10V 5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 30V 2274 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7850ADP-T1-GE3 1.2600
RFQ
 ECAD 5915 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7850 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 10.3A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 35.7W (TC)
IRF840ASPBF Vishay Siliconix IRF840ASPBF 2.5500
RFQ
 ECAD 940 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF840ASPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1018 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SIHD6N65ET1-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N65ET1-GE3 0.7371
RFQ
 ECAD 5044 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 78W (TC)
SI4848BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4848BDY-T1-GE3 0.7200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4848 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 3.7A (TA), 5A (TC) 6V, 10V 157mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 30V 400 pf @ 75 v - 2.5W (TA), 4.5W (TC)
IRFP048RPBF Vishay Siliconix IRFP048RPBF 5.0600
RFQ
 ECAD 7453 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP048 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP048RPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 60 v 70A (TC) 10V 18mohm @ 44a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 190W (TC)
SIHP12N60E-BE3 Vishay Siliconix SIHP12N60E-BE3 2.6900
RFQ
 ECAD 475 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP12 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-SIHP12N60E-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 937 pf @ 100 v - 147W (TC)
SI2323DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2323DS-T1-GE3 0.7300
RFQ
 ECAD 332 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2323 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4.7a, 4.5v 1V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 8V 1020 pf @ 10 v - 750MW (TA)
IRFD213 Vishay Siliconix IRFD213 -
RFQ
 ECAD 8274 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD213 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 450MA (TA) 2ohm @ 270ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v 140 pf @ 25 v - -
IRLZ14STRRPBF Vishay Siliconix IRLZ14STRRPBF 0.9357
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 10A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRFR014TRL Vishay Siliconix irfr014trl -
RFQ
 ECAD 6170 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI2319DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2319DS-T1-E3 0.7500
RFQ
 ECAD 9520 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2319 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 40 v 2.3A (TA) 4.5V, 10V 82mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 470 pf @ 20 v - 750MW (TA)
SUD19N20-90-T4-E3 Vishay Siliconix SUD19N20-90-T4-E3 1.4033
RFQ
 ECAD 4908 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD19 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 19A (TC) 6V, 10V 90mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 3W (TA), 136W (TC)
SIR5808DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5808dp-t1-Re3 1.4100
RFQ
 ECAD 1063 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir5808 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 18.8A (TA), 66.8A (TC) 7.5V, 10V 157mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 1210 pf @ 40 v - 5.2W (TA), 65.7W (TC)
SQD50N04_4M5LT4GE3 Vishay Siliconix SQD50N04_4M5LT4GE3 0.6985
RFQ
 ECAD 2916 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqd50n0n0n0n04_4m5lt4ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 5860 pf @ 25 v - 136W (TC)
SI4122DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4122DY-T1-GE3 2.3500
RFQ
 ECAD 9977 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4122 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 27.2A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 25V 4200 pf @ 20 v - 3W (TA), 6W (TC)
IRFI840GLCPBF Vishay Siliconix IRFI840GLCPBF 2.9600
RFQ
 ECAD 725 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI840 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI840GLCPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 850mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 40W (TC)
SIHU2N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHU2N80E-GE3 0.6689
RFQ
 ECAD 4396 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA sihu2 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 2.8A (TC) 10V 2.75ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 19.6 NC @ 10 v ± 30V 315 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
IRFB16N50K Vishay Siliconix IRFB16N50K -
RFQ
 ECAD 2631 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB16 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB16N50K 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 17A (TC) 10V 350mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 30V 2210 pf @ 25 v - 280W (TC)
IRFZ44STRL Vishay Siliconix IRFZ44STRL -
RFQ
 ECAD 2206 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SQA440CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa440cejw-t1_ge3 0.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 6-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerPak®SC-70W-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 9A (TC) 4.5V, 10V 14.4mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 17.5 nc @ 10 v ± 20V 880 pf @ 25 v - 13.6W (TC)
SIHFR9220-GE3 Vishay Siliconix SIHFR9220-GE3 0.8400
RFQ
 ECAD 6221 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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