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불연속 불연속 제품 (5717)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | sqj868ep-t1_ge3 | 0.9800 |  | 8598 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ868 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 58A (TC) | 10V | 7.35mohm @ 14a, 10V | 3.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 2450 pf @ 20 v | - | 48W (TC) | |||||
 | IRF740S | - | | 7243 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF740 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF740S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
| IRFZ34S | - | | 8353 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ34 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFZ34S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||
 | SI6973DQ-T1-GE3 | - | | 9710 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6973 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4.1a | 30mohm @ 4.8a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 30NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SI1426DH-T1-GE3 | - | | 2951 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1426 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 2.8A (TA) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 3.6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 3 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1W (TA) | |||||
 | SI4599DY-T1-GE3 | 0.9100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4599 | MOSFET (금속 (() | 3W, 3.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 40V | 6.8A, 5.8A | 35.5mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | 640pf @ 20V | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | irfr9310trr | - | | 7590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9310 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 400 v | 1.8A (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||
 | SI2305ADS-T1-GE3 | - | | 1910 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2305 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 5.4A (TC) | 1.8V, 4.5V | 4.1A, 4.5V 40mohm | 800MV @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 8V | 740 pf @ 4 v | - | 960MW (TA), 1.7W (TC) | ||||
 | IRF644N | - | | 2838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF644 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF644N | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 240mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 v | ± 20V | 1060 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||
| SI1413DH-T1-E3 | - | | 8421 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1413 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 115mohm @ 2.9a, 4.5v | 800mv @ 100µa | 8.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1W (TA) | |||||
| IRFR014TRPBF | 1.0000 | | 424 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 7.7A (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SIA448DJ-T1-GE3 | - | | 9720 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA448 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 12A (TC) | 1.5V, 4.5V | 15mohm @ 12.4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 35 NC @ 8 v | ± 8V | 1380 pf @ 1 v | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | |||||
| SI4500BDY-T1-E3 | - | | 7254 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4500 | MOSFET (금속 (() | 1.3W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 공통 p 채널, 공통 배수 | 20V | 6.6a, 3.8a | 20mohm @ 9.1a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 17NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | SISF04DN-T1-GE3 | 1.3400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SCD | SISF04 | MOSFET (금속 (() | 5.2W (TA), 69.4W (TC) | PowerPak® 1212-8SCD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SISP04DN-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 30V | 30A (TA), 108A (TC) | 4mohm @ 7a, 10V | 2.3V @ 250µA | 60NC @ 10V | 2600pf @ 15V | - | ||||||
 | sqja20ep-t1_ge3 | 1.4700 | | 8858 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sqja20 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 22.5A (TC) | 7.5V, 10V | 50mohm @ 10a, 10V | 3.5V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||
 | IRFBC30AL | - | | 2824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFBC30 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBC30AL | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10V | 4.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 510 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||
 | SISS32ADN-T1-GE3 | 1.5500 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS32 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | - | 1 (무제한) | 742-SISS32ADN-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 17.4A (TA), 63A (TC) | 7.5V, 10V | 7.3mohm @ 10a, 10V | 3.6V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1520 pf @ 40 v | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||
 | IRFU9214 | - | | 6779 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFU9214 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 250 v | 2.7A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.7a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 220 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||
| irf830astrl | - | | 6793 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF830 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 620 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| SISS4402DN-T1-GE3 | 1.6800 | | 7879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS4402 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 35.5A (TA), 128A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | +20V, -16V | 3850 pf @ 20 v | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||
 | SQD40081EL_GE3 | 1.3700 | | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD40081 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 25a, 10V | 2.5V @ 250µA | 210 nc @ 10 v | ± 20V | 9950 pf @ 25 v | - | 71W (TC) | |||||
| SI4618DY-T1-E3 | - | | 6290 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4618 | MOSFET (금속 (() | 1.98W, 4.16W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 8A, 15.2A | 17mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 1mA | 44NC @ 10V | 1535pf @ 15V | - | |||||||
| 2N4861JAN02 | - | | 5904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N4861 | TO-206AA (TO-18) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | ||||||||||||||
| SI4431BDY-T1-E3 | 1.0000 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4431 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 5.7A (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 7.5a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SIE832DF-T1-GE3 | - | | 5622 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (S) | SIE832 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (S) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 14a, 10V | 3V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 20 v | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||
 | irfib6n60a | - | | 1946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irfib6 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irfib6n60a | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 5.5A (TC) | 10V | 750mohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||
| SQ2348ES-T1_GE3 | 0.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2348 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 14.5 nc @ 10 v | ± 20V | 540 pf @ 15 v | - | 3W (TC) | |||||
 | SI5449DC-T1-GE3 | - | | 9950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5449 | MOSFET (금속 (() | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 3.1A (TA) | 2.5V, 4.5V | 85mohm @ 3.1a, 4.5v | 600MV @ 250µa (최소) | 11 NC @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.3W (TA) | |||||
| IRFU9014PBF | 1.5200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU9014 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFU9014PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 60 v | 5.1A (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| SIRS4302DP-T1-GE3 | 2.9600 | | 2620 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | Sirs4302 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 87A (TA), 478A (TC) | 4.5V, 10V | 0.57mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 230 nc @ 10 v | +20V, -16V | 10150 pf @ 15 v | - | 6.9W (TA), 208W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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