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불연속 불연속 제품 (5717)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFP260PBF Vishay Siliconix IRFP260PBF 6.5100
RFQ
 ECAD 949 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP260 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP260PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 200 v 46A (TC) 10V 55mohm @ 28a, 10V 4V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 25 v - 280W (TC)
IRF734L Vishay Siliconix IRF734L -
RFQ
 ECAD 3534 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF734 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF734L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 4.9A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 680 pf @ 25 v - -
SI7390DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7390DP-T1-E3 2.6600
RFQ
 ECAD 5413 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7390 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
IRF510PBF Vishay Siliconix IRF510PBF 1.1200
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF510PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 540mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 43W (TC)
SI3948DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3948DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9061 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3948 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V - 105mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 3.2NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SQJ860EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj860ep-t1_ge3 0.9600
RFQ
 ECAD 8541 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ860 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 48W (TC)
SQJ409EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj409ep-t1_ge3 1.4900
RFQ
 ECAD 1197 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ409 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 25 v - 68W (TC)
SQD25N06-22L_GE3 Vishay Siliconix SQD25N06-22L_GE3 1.7000
RFQ
 ECAD 8440 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD25 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 25A (TC) 4.5V, 10V 22MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1975 pf @ 25 v - 62W (TC)
SQA700CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa700cejw-t1_ge3 0.5600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 9A (TC) 4.5V, 10V 79mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 9.5 nc @ 10 v ± 20V 380 pf @ 25 v - 13.6W (TC)
SIE862DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE862DF-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1481 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (U) SIE862 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (U) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
SI2365EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2365EDS-T1-GE3 0.4000
RFQ
 ECAD 7679 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2365 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.9A (TC) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 36 nc @ 8 v ± 8V - 1W (TA), 1.7W (TC)
IRFP460LCPBF Vishay Siliconix IRFP460LCPBF 5.3900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP460LCPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 280W (TC)
IRFIZ48G Vishay Siliconix irfiz48g -
RFQ
 ECAD 5835 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfiz48 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 37A (TC) 10V 18mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRFI614G Vishay Siliconix IRFI614G -
RFQ
 ECAD 9819 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI614 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI614G 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 2.1A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 23W (TC)
SIHP17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHP17N80AEF-GE3 2.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 742-SIHP17N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 305mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQM30010EL_GE3 Vishay Siliconix SQM30010EL_GE3 2.9500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM30010 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 120A (TC) 10V 1.35mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250µA 450 NC @ 10 v ± 20V 28000 pf @ 15 v - 375W (TC)
SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7804DN-T1-E3 0.5292
RFQ
 ECAD 5330 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7804 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 18.5mohm @ 10a, 10V 1.8V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
IRFR420TRPBF Vishay Siliconix irfr420trpbf 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQ3419EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3419ev-t1_ge3 0.6900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3419 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 6.9A (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 11.3 NC @ 4.5 v ± 20V 990 pf @ 20 v - 5W (TC)
IRFU9120PBF Vishay Siliconix IRFU9120PBF 1.7700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9120 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfu9120pbf 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFI740GLCPBF Vishay Siliconix IRFI740GLCPBF 3.8900
RFQ
 ECAD 658 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI740 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI740GLCPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.7A (TC) 10V 550mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 40W (TC)
SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4890DY-T1-E3 1.3466
RFQ
 ECAD 9915 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4890 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 800mv @ 250µa (최소) 20 nc @ 5 v ± 25V - 2.5W (TA)
IRFB17N60K Vishay Siliconix IRFB17N60K -
RFQ
 ECAD 8132 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB17 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB17N60K 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 17A (TC) 10V 420mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 99 NC @ 10 v ± 30V 2700 pf @ 25 v - 340W (TC)
SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4431BDY-T1-E3 1.0000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4431 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5.7A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SISS46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS46DN-T1-GE3 1.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS46 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 12.5A (TA), 45.3A (TC) 7.5V, 10V 12.8mohm @ 10a, 10V 3.4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 2140 pf @ 50 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SISS50DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss50dn-t1-ge3 0.8800
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS50 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 1 (무제한) 742-siss50dn-t1-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 29.7A (TA), 108A (TC) 4.5V, 10V 2.83mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 70 nc @ 10 v +20V, -16V 4000 pf @ 20 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
IRC644PBF Vishay Siliconix IRC644PBF -
RFQ
 ECAD 7967 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IRC644 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRC644PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v 현재 현재 125W (TC)
SIHD12N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHD12N50E-GE3 1.8000
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD12 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 550 v 10.5A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 886 pf @ 100 v - 114W (TC)
SIHG47N60AE-GE3 Vishay Siliconix SIHG47N60AE-GE3 7.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG47 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 43A (TC) 10V 65mohm @ 24a, 10V 4V @ 250µA 182 NC @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 100 v - 313W (TC)
SI7342DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7342DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6344 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7342 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 8.25mohm @ 15a, 10V 1.8V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 12V 1900 pf @ 15 v - 1.8W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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