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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFD214PBF Vishay Siliconix IRFD214PBF 0.5880
RFQ
 ECAD 6004 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD214 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD214PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 450MA (TA) 10V 2ohm @ 270ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRFZ14PBF Vishay Siliconix IRFZ14PBF 1.2900
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFZ14PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 10A (TC) 10V 200mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
SQJ409EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj409ep-t1_ge3 1.4900
RFQ
 ECAD 1197 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ409 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRFP460LCPBF Vishay Siliconix IRFP460LCPBF 5.3900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP460LCPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 280W (TC)
SQJ457EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ457EP-T1_BE3 0.9800
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj457ep-t1_be3ct 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 36A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI7409ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7409ADN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6828 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7409 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 7A (TA) 2.5V, 4.5V 19mohm @ 11a, 4.5v 1.5V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
SI2365EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2365EDS-T1-GE3 0.4000
RFQ
 ECAD 7679 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2365 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.9A (TC) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 36 nc @ 8 v ± 8V - 1W (TA), 1.7W (TC)
SIDR610EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR610EP-T1-RE3 3.7500
RFQ
 ECAD 4568 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR610 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 8.9A (TA), 39.6A (TC) 7.5V, 10V 31.9mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 100 v - 7.5W (TA), 150W (TC)
SI9634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9634DY-T1-GE3 0.9200
RFQ
 ECAD 9280 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9634 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 3.6W (TC) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SI9634DY-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 6.2A (TA), 8A (TC) 29mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 10V 420pf @ 30V -
IRFR024TR Vishay Siliconix irfr024tr -
RFQ
 ECAD 4852 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFI9634G Vishay Siliconix IRFI9634G -
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9634 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI9634G 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 250 v 4.1A (TC) 10V 1ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 35W (TC)
IRFD420 Vishay Siliconix IRFD420 -
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD420 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD420 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 370MA (TA) 10V 3ohm @ 220ma, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRF730STRLPBF Vishay Siliconix irf730strlpbf 2.3800
RFQ
 ECAD 2880 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF730 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SIR168DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir168DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3321 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir168 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 2040 pf @ 15 v - 5W (TA), 34.7W (TC)
SQD25N06-22L_GE3 Vishay Siliconix SQD25N06-22L_GE3 1.7000
RFQ
 ECAD 8440 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD25 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 25A (TC) 4.5V, 10V 22MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1975 pf @ 25 v - 62W (TC)
SIRS5800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRS5800DP-T1-GE3 3.1900
RFQ
 ECAD 7790 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sirs5800 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 80 v 46A (TA), 265A (TC) 7.5V, 10V 1.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 20V 6190 pf @ 40 v - 7.4W (TA), 240W (TC)
IRFIB5N65A Vishay Siliconix irfib5n65a -
RFQ
 ECAD 6693 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfib5 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfib5n65a 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 5.1A (TC) 10V 930mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 1417 pf @ 25 v - 60W (TC)
IRFU9010PBF Vishay Siliconix IRFU9010PBF 1.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9010 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfu9010pbf 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 50 v 5.3A (TC) 10V 500mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 9.1 NC @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 25W (TC)
IRFR9210PBF Vishay Siliconix irfr9210pbf 1.3500
RFQ
 ECAD 526 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9210 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 200 v 1.9A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SISS32ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS32ADN-T1-GE3 1.5500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS32 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S - 1 (무제한) 742-SISS32ADN-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 17.4A (TA), 63A (TC) 7.5V, 10V 7.3mohm @ 10a, 10V 3.6V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1520 pf @ 40 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
IRFR214TRLPBF Vishay Siliconix irfr214trlpbf 0.6159
RFQ
 ECAD 9879 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFR010TR Vishay Siliconix irfr010tr -
RFQ
 ECAD 3899 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR010 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 50 v 8.2A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 25W (TC)
SI2335DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2335DS-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2335 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 3.2A (TA) 1.8V, 4.5V 51mohm @ 4a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 15 nc @ 4.5 v ± 8V 1225 pf @ 6 v - 750MW (TA)
IRFR1N60ATR Vishay Siliconix irfr1n60atr -
RFQ
 ECAD 6599 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 1.4A (TC) 10V 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
IRFPG30 Vishay Siliconix IRFPG30 -
RFQ
 ECAD 9904 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPG30 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFPG30 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 1000 v 3.1A (TC) 10V 5ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 980 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRF740S Vishay Siliconix IRF740S -
RFQ
 ECAD 7243 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF740S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRFR110TRPBF Vishay Siliconix irfr110trpbf 1.0000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 10V 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFIBC20G Vishay Siliconix irfibc20g -
RFQ
 ECAD 2867 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibc20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfibc20g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 1.7A (TC) 10V 4.4ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 30W (TC)
IRFR9014TRPBF Vishay Siliconix irfr9014trpbf 1.1100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 5.1A (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQJQ480E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ480E-T1_GE3 3.0300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 SQJQ480 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 150A (TC) 10V 3MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 144 NC @ 10 v ± 20V 8625 pf @ 25 v - 136W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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