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불연속 불연속 제품 (5717)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF530S | - |  | 4348 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF530 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF530S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||
 | VP1008B | - | | 6699 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | VP1008 | MOSFET (금속 (() | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | p 채널 | 100 v | 790MA (TA) | 10V | 5ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 1mA | ± 20V | 150 pf @ 25 v | - | 6.25W (TA) | |||||
 | SI8472DB-T2-E1 | 0.5600 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-UFBGA | SI8472 | MOSFET (금속 (() | 4 (® ® (1x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3.3A (TA) | 1.5V, 4.5V | 44mohm @ 1.5a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 18 nc @ 8 v | ± 8V | 630 pf @ 10 v | - | 780MW (TA) | ||||
 | IRFI620 | - | | 8489 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI620 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRFI620 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 4.1A (TC) | 10V | 800mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | ||||
 | SIHG47N60E-E3 | 9.7500 | | 485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG47 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHG47N60EE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 47A (TC) | 10V | 64mohm @ 24a, 10V | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | ± 30V | 9620 pf @ 100 v | - | 357W (TC) | ||||
 | sir440dp-t1-ge3 | 2.0100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir440 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.55mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 6000 pf @ 10 v | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | sup60n10-18p-e3 | - | | 7050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup60 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 60A (TC) | 8V, 10V | 18.3mohm @ 15a, 10V | 4.5V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 2600 pf @ 50 v | - | 3.75W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SI8824EDB-T2-E1 | 0.4300 | | 34 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8824 | MOSFET (금속 (() | 4 마이크로 푸드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 2.1A (TA) | 1.2V, 4.5V | 75mohm @ 1a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 5V | 400 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||
| IRFZ30 | - | | 3175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ30 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFZ30 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 50 v | 30A (TC) | 10V | 50mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||
 | SI1012CR-T1-GE3 | 0.4700 | | 58 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1012 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 630MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 396mohm @ 600ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2 nc @ 8 v | ± 8V | 43 pf @ 10 v | - | 240MW (TA) | ||||
 | SI1405BDH-T1-GE3 | - | | 4668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1405 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 1.6A (TC) | 1.8V, 4.5V | 112mohm @ 2.8a, 4.5v | 950MV @ 250µA | 5.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | 305 pf @ 4 v | - | 1.47W (TA), 2.27W (TC) | ||||
| irf9z24strl | - | | 2058 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 60 v | 11A (TC) | 10V | 280mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
 | SIZF920DT-T1-GE3 | 1.9000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Sizf920 | MOSFET (금속 (() | 3.9W (TA), 28W (TC), 4.5W (TA), 74W (TC) | 8-PowerPair® (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널), Schottky | 30V | 28A (TA), 76A (TC), 49A (TA), 197A (TC) | 3.07mohm @ 10a, 10v, 1.05mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA | 29NC @ 10V, 125NC @ 10V | 1300pf @ 15V, 5230pf @ 15V | - | |||||||
 | SI7409ADN-T1-GE3 | - | | 6828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7409 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 7A (TA) | 2.5V, 4.5V | 19mohm @ 11a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 40 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SISS26LDN-T1-GE3 | 1.3000 | | 4309 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS26 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 23.7A (TA), 81.2A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 1980 pf @ 30 v | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||||
| SISA26DN-T1-GE3 | 0.8300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SISA26 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | +16V, -12V | 2247 pf @ 10 v | - | 39W (TC) | |||||
| IRF9630 | - | | 5324 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9630 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF9630 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 200 v | 6.5A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||
| IRFB18N50K | - | | 2953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB18 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRFB18N50K | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 17A (TC) | 10V | 290mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 2830 pf @ 25 v | - | 220W (TC) | ||||
 | SI4425DDY-T1-GE3 | 0.9100 | | 63 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4425 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 19.7A (TC) | 4.5V, 10V | 9.8mohm @ 13a, 10V | 2.5V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 2610 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
 | IRFR214PBF | 0.6159 | | 7829 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFR214PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 250 v | 2.2A (TC) | 10V | 2ohm @ 1.3a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| IRFPC50LCPBF | 4.0688 | | 4345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPC50 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFPC50LCPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 600mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 84 NC @ 10 v | ± 30V | 2300 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | ||||
| IRFR9120 | - | | 7644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFR9120 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 100 v | 5.6A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 390 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | SI696EDQ-T1-E3 | - | | 9542 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6966 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | - | 30mohm @ 5.2a, 4.5v | 600MV @ 250µa (최소) | 25NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | sqj848ep-t1_ge3 | 1.6600 | | 3110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ848 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 47A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 10.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 20 v | - | 68W (TC) | ||||||
 | SIHF15N65E-GE3 | 1.9257 | | 6692 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHF15 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 30V | 1640 pf @ 100 v | - | 34W (TC) | |||||
| SQ4940AEY-T1_GE3 | 1.1400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4940 | MOSFET (금속 (() | 4W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 8a | 24mohm @ 5.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 43NC @ 10V | 741pf @ 20V | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | SI3493DV-T1-E3 | - | | 7447 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 32 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||
| IRF634NSPBF | - | | 3955 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF634 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF634NSPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 8A (TC) | 10V | 435mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 620 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 88W (TC) | |||
| IRF820A | - | | 2120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF820 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF820A | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 340 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||
| sup90n08-6m8p-e3 | - | | 2120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup90 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 75 v | 90A (TC) | 10V | 6.8mohm @ 20a, 10V | 4.5V @ 250µA | 115 NC @ 10 v | ± 20V | 4620 pf @ 30 v | - | 3.75W (TA), 272W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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