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 | SIHD7N60ET5-GE3 | 0.8080 | | 7810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD7 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 680 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | |||||||||
 | SIDR622DP-T1-RE3 | 2.5200 | | 8110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIDR622DP-T1-RE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 64.6A (TA), 56.7A (TC) | 7.5V, 10V | 17.7mohm @ 20a, 10V | 4.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 1516 pf @ 75 v | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||||||
| SQJ456EP-T1_GE3 | 5.2000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ456 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 32A (TC) | 6V, 10V | 26mohm @ 9.3a, 10V | 3.5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 3342 pf @ 25 v | - | 83W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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