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불연속 불연속 제품 (5717)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF624L | - |  | 7640 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF624 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF624L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 4.4A (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | - | ||||
 | irfr020trr | - | | 4350 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR020 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRF9630 | - | | 5324 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9630 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF9630 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 200 v | 6.5A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||
 | SIA936EDJ-T1-GE3 | - | | 3349 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA936 | MOSFET (금속 (() | 7.8W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 4.5A | 34mohm @ 4a, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 17nc @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | sir616dp-t1-ge3 | 1.4800 | | 5061 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir616 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 20.2A (TC) | 7.5V, 10V | 50.5mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 28 NC @ 7.5 v | ± 20V | 1450 pf @ 100 v | - | 52W (TC) | |||||
 | IRF634STRR | - | | 4361 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF634 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 8.1A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 770 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| irl530pbf | 1.6900 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRL530 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irl530pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 15A (TC) | 4V, 5V | 160mohm @ 9a, 5V | 2V @ 250µA | 28 NC @ 5 v | ± 10V | 930 pf @ 25 v | - | 88W (TC) | ||||
 | SI4931DY-T1-E3 | 1.2300 | | 8988 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4931 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 6.7a | 18mohm @ 8.9a, 4.5v | 1V @ 350µA | 52NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
| SI4401DY-T1-E3 | - | | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4401 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 8.7A (TA) | 4.5V, 10V | 15.5mohm @ 10.5a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 50 nc @ 5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
| irfr010trpbf | 0.6218 | | 4260 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR010 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 50 v | 8.2A (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 250 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | |||||
 | SI2319DS-T1-GE3 | 0.7500 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2319 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 2.3A (TA) | 10V | 82mohm @ 3a, 10V | 3V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 470 pf @ 20 v | - | 750MW (TA) | ||||
 | SIA445EDJT-T1-GE3 | 0.4900 | | 1854 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA445 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 싱글 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 12A (TC) | 2.5V, 4.5V | 16.7mohm @ 7a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 69 NC @ 10 v | ± 12V | 2180 pf @ 10 v | - | 19W (TC) | ||||||
 | SI7196DP-T1-GE3 | - | | 1331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | WFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7196 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12a, 10V | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1577 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 41.6W (TC) | ||||
 | irf9610strrpbf | 0.5187 | | 5411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9610 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 742-irf9610strrpbftr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 200 v | 1.8A (TC) | 10V | 3ohm @ 900ma, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 20W (TC) | ||||||
| IRF820A | - | | 2120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF820 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF820A | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 340 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||
| IRF9Z10PBF | 1.6300 | | 958 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9Z10 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irf9z10pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 6.7A (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 43W (TC) | ||||
 | irfr110trpbf-be3 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 742-irfr110trpbf-be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 4.3A (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | IRFL214PBF | - | | 3606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL214 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 250 v | 790MA (TC) | 10V | 2ohm @ 470ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
| SIAA00DJ-T1-GE3 | 0.6800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIAA00 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 20.1A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | +16V, -12V | 1090 pf @ 12.5 v | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | |||||
| SI4920DY-T1-E3 | - | | 6681 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4920 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | - | 25mohm @ 6.9a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 23NC @ 5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| SI4886DY-T1-E3 | - | | 5268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4886 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 9.5A (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 13a, 10V | 800mv @ 250µa (최소) | 20 nc @ 5 v | ± 20V | - | 1.56W (TA) | |||||
 | SQJ980AEP-T1_BE3 | 1.1900 | | 9408 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ980 | MOSFET (금속 (() | 34W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SQJ980AEP-T1_BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 75V | 17A (TC) | 50mohm @ 3.8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 21NC @ 10V | 790pf @ 35v | - | |||||||
| IRF644PBF | 1.7300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF644 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF644PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||
| SI4162DY-T1-GE3 | 0.9400 | | 34 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4162 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 19.3A (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1155 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
| IRF9Z34PBF | 1.8300 | | 745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9Z34 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF9Z34PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 18A (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 88W (TC) | ||||
| IRFBC20L | - | | 9270 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFBC20 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBC20L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 2.2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.3a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
 | sqj158ep-t1_ge3 | 0.7300 | | 4045 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ158 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 23A (TC) | 4.5V, 10V | 33mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||
| IRF9Z14LPBF | 0.8663 | | 9779 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF9Z14 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF9Z14LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 60 v | 6.7A (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
| IRF730L | - | | 9249 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF730 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF730L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 5.5A (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 25 v | - | - | |||
| SIA456DJ-T3-GE3 | 0.3589 | | 1335 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA456 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-sia456dj-t3-ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 200 v | 1.1A (TA), 2.6A (TC) | 1.8V, 4.5V | 1.38ohm @ 750ma, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 14.5 nc @ 10 v | ± 16V | 350 pf @ 100 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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