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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI1411DH-T1-GE3 | 0.9000 | ![]() | 9266 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1411 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 150 v | 420MA (TA) | 10V | 2.6ohm @ 500ma, 10V | 4.5V @ 100µa | 6.3 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1W (TA) | |||||
![]() | irfr1n60apbf-be3 | 1.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR1 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-IRFR1N60APBF-BE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 1.4A (TC) | 7ohm @ 840ma, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 30V | 229 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | ||||||
![]() | IRFD9024 | - | ![]() | 5952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD9024 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFD9024 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 1.6A (TA) | 10V | 280mohm @ 960ma, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | |||
![]() | SI4463BDY-T1-E3 | 1.6000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4463 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 9.8A (TA) | 2.5V, 10V | 11mohm @ 13.7a, 10V | 1.4V @ 250µA | 56 NC @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | SI7454CDP-T1-GE3 | - | ![]() | 2262 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7454 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 22A (TC) | 4.5V, 10V | 30.5mohm @ 10a, 10V | 2.8V @ 250µA | 19.5 nc @ 10 v | ± 20V | 580 pf @ 50 v | - | 4.1W (TA), 29.7W (TC) | ||||
![]() | SI7858ADP-T1-GE3 | 2.7500 | ![]() | 5811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7858 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 12 v | 20A (TA) | 2.5V, 4.5V | 2.6mohm @ 29a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 80 nc @ 4.5 v | ± 8V | 5700 pf @ 6 v | - | 1.9W (TA) | |||||
![]() | SQR100N04-3M8R_GE3 | 0.6791 | ![]() | 2349 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | - | SQR100 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-sqr100n0n0n0n04-3m8r_ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||
![]() | 2N7002K-T1-GE3 | 0.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 300MA (TA) | 4.5V, 10V | 2ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 0.6 nc @ 4.5 v | ± 20V | 30 pf @ 25 v | - | 350MW (TA) | ||||
![]() | 2N7002E | - | ![]() | 4445 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 340ma | 4.5V, 10V | 5ohm @ 300ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 0.6 nc @ 4.5 v | ± 20V | 21 pf @ 5 v | - | 350MW (TA) | ||||
![]() | SI2303CDS-T1-E3 | 0.5100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.7A (TC) | 4.5V, 10V | 190mohm @ 1.9a, 10V | 3V @ 250µA | 8 nc @ 10 v | ± 20V | 155 pf @ 15 v | - | 2.3W (TC) | ||||
![]() | SIHG180N60E-GE3 | 3.7500 | ![]() | 329 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG180 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 19A (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 30V | 1085 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | |||||
![]() | IRF644L | - | ![]() | 4905 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF644 | MOSFET (금속 (() | i2pak | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF644L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | - | |||
![]() | SI3440DV-T1-GE3 | 1.5200 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3440 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 1.2A (TA) | 6V, 10V | 375mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 8 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
![]() | SI1011X-T1-GE3 | - | ![]() | 8257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | SI1011 | MOSFET (금속 (() | SC-89-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 480MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 640mohm @ 400ma, 4.5v | 800MV @ 250µA | 4 NC @ 4.5 v | ± 5V | 62 pf @ 6 v | - | 190MW (TA) | ||||
![]() | SI2333DDS-T1-GE3 | 0.4200 | ![]() | 8990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2333 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 6A (TC) | 1.5V, 4.5V | 28mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 35 NC @ 8 v | ± 8V | 1275 pf @ 6 v | - | 1.2W (TA), 1.7W (TC) | ||||
![]() | SI9945BDY-T1-GE3 | 0.8800 | ![]() | 4976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9945 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 5.3A | 58mohm @ 4.3a, 10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | 665pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | IRF730ARSTRPBF | - | ![]() | 1299 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF730 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 400 v | 5.5A (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 30V | 600 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||
![]() | SI4532ADY-T1-GE3 | - | ![]() | 8584 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4532 | MOSFET (금속 (() | 1.13W, 1.2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 30V | 3.7a, 3a | 53mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250µA | 16NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | SI7216DN-T1-GE3 | 1.6600 | ![]() | 7698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7216 | MOSFET (금속 (() | 20.8W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 6A | 32mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 19NC @ 10V | 670pf @ 20V | - | |||||||
![]() | SIA483DJ-T1-GE3 | 0.5100 | ![]() | 118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA483 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 5a, 10V | 2.2V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1550 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
![]() | SI4814BDY-T1-E3 | - | ![]() | 2310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4814 | MOSFET (금속 (() | 3.3W, 3.5W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 10a, 10.5a | 18mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI4688DY-T1-E3 | - | ![]() | 3004 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4688 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 8.9A (TA) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12a, 10V | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1580 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | ||||
![]() | SI4830CDY-T1-E3 | - | ![]() | 5772 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4830 | MOSFET (금속 (() | 2.9W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 8a | 20mohm @ 8a, 10V | 3V @ 1mA | 25NC @ 10V | 950pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | IRF740STRRPBF | 1.8357 | ![]() | 5444 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF740 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
![]() | SI7852ADP-T1-E3 | 2.7800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7852 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 30A (TC) | 8V, 10V | 17mohm @ 10a, 10V | 4.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1825 pf @ 40 v | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
![]() | SI7946DP-T1-E3 | - | ![]() | 1178 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7946 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 150V | 2.1a | 150mohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SIHB24N65ET5-GE3 | 3.7126 | ![]() | 2444 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB24 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 650 v | 24A (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 v | ± 30V | 2740 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||||
![]() | SI4858DY-T1-E3 | - | ![]() | 1496 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4858 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 13A (TA) | 4.5V, 10V | 5.25mohm @ 20a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 40 nc @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.6W (TA) | |||||
![]() | SQ4470EY-T1_BE3 | 1.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4470 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 16A (TC) | 6V, 10V | 12MOHM @ 6A, 10V | 3.5V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 3165 pf @ 25 v | - | 7.1W (TC) | ||||||
![]() | SQJQ140E-T1_GE3 | 3.4200 | ![]() | 215 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 8 x 8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 701A (TC) | 10V | 0.53MOHM @ 20A, 10V | 3.3V @ 250µA | 288 NC @ 10 v | ± 20V | 17000 pf @ 25 v | - | 600W (TC) |
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