SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1411DH-T1-GE3 0.9000
RFQ
ECAD 9266 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1411 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 420MA (TA) 10V 2.6ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 100µa 6.3 NC @ 10 v ± 20V - 1W (TA)
IRFR1N60APBF-BE3 Vishay Siliconix irfr1n60apbf-be3 1.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-IRFR1N60APBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 1.4A (TC) 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
IRFD9024 Vishay Siliconix IRFD9024 -
RFQ
ECAD 5952 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9024 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD9024 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.6A (TA) 10V 280mohm @ 960ma, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SI4463BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4463BDY-T1-E3 1.6000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4463 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 9.8A (TA) 2.5V, 10V 11mohm @ 13.7a, 10V 1.4V @ 250µA 56 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
SI7454CDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7454CDP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2262 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7454 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 22A (TC) 4.5V, 10V 30.5mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 250µA 19.5 nc @ 10 v ± 20V 580 pf @ 50 v - 4.1W (TA), 29.7W (TC)
SI7858ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7858ADP-T1-GE3 2.7500
RFQ
ECAD 5811 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7858 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 20A (TA) 2.5V, 4.5V 2.6mohm @ 29a, 4.5v 1.5V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 8V 5700 pf @ 6 v - 1.9W (TA)
SQR100N04-3M8R_GE3 Vishay Siliconix SQR100N04-3M8R_GE3 0.6791
RFQ
ECAD 2349 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - SQR100 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqr100n0n0n0n04-3m8r_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 - - - - - - - -
2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix 2N7002K-T1-GE3 0.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 350MW (TA)
2N7002E Vishay Siliconix 2N7002E -
RFQ
ECAD 4445 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 60 v 340ma 4.5V, 10V 5ohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 21 pf @ 5 v - 350MW (TA)
SI2303CDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2303CDS-T1-E3 0.5100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2303 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.7A (TC) 4.5V, 10V 190mohm @ 1.9a, 10V 3V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 155 pf @ 15 v - 2.3W (TC)
SIHG180N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG180N60E-GE3 3.7500
RFQ
ECAD 329 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG180 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 180mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1085 pf @ 100 v - 156W (TC)
IRF644L Vishay Siliconix IRF644L -
RFQ
ECAD 4905 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF644 MOSFET (금속 (() i2pak - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF644L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - -
SI3440DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3440DV-T1-GE3 1.5200
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3440 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 1.2A (TA) 6V, 10V 375mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SI1011X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1011X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8257 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 SI1011 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 480MA (TA) 1.2V, 4.5V 640mohm @ 400ma, 4.5v 800MV @ 250µA 4 NC @ 4.5 v ± 5V 62 pf @ 6 v - 190MW (TA)
SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2333DDS-T1-GE3 0.4200
RFQ
ECAD 8990 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2333 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 6A (TC) 1.5V, 4.5V 28mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 35 NC @ 8 v ± 8V 1275 pf @ 6 v - 1.2W (TA), 1.7W (TC)
SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9945BDY-T1-GE3 0.8800
RFQ
ECAD 4976 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9945 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 5.3A 58mohm @ 4.3a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 665pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRF730ASTRRPBF Vishay Siliconix IRF730ARSTRPBF -
RFQ
ECAD 1299 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF730 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 74W (TC)
SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4532ADY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8584 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4532 MOSFET (금속 (() 1.13W, 1.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 3.7a, 3a 53mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250µA 16NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI7216DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7216DN-T1-GE3 1.6600
RFQ
ECAD 7698 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7216 MOSFET (금속 (() 20.8W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6A 32mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 19NC @ 10V 670pf @ 20V -
SIA483DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA483DJ-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 118 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA483 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1550 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SI4814BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4814BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2310 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4814 MOSFET (금속 (() 3.3W, 3.5W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 10a, 10.5a 18mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI4688DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4688DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3004 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4688 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8.9A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1580 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
SI4830CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4830CDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5772 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4830 MOSFET (금속 (() 2.9W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 8a 20mohm @ 8a, 10V 3V @ 1mA 25NC @ 10V 950pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRF740STRRPBF Vishay Siliconix IRF740STRRPBF 1.8357
RFQ
ECAD 5444 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI7852ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7852ADP-T1-E3 2.7800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7852 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 30A (TC) 8V, 10V 17mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1825 pf @ 40 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SI7946DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7946DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1178 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7946 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 150V 2.1a 150mohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIHB24N65ET5-GE3 Vishay Siliconix SIHB24N65ET5-GE3 3.7126
RFQ
ECAD 2444 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2740 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI4858DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4858DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1496 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4858 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 5.25mohm @ 20a, 10V 1V @ 250µA (Min) 40 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
SQ4470EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4470EY-T1_BE3 1.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4470 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 16A (TC) 6V, 10V 12MOHM @ 6A, 10V 3.5V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 3165 pf @ 25 v - 7.1W (TC)
SQJQ140E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ140E-T1_GE3 3.4200
RFQ
ECAD 215 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 701A (TC) 10V 0.53MOHM @ 20A, 10V 3.3V @ 250µA 288 NC @ 10 v ± 20V 17000 pf @ 25 v - 600W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고