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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on)
SQW33N65EF-GE3 Vishay Siliconix SQW33N65EF-GE3 6.1900
RFQ
 ECAD 519 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, e 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SQW33N65EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 480 n 채널 650 v 34A (TC) 10V 109mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 173 NC @ 10 v ± 30V 3972 pf @ 100 v - 375W (TC)
IRLZ34 Vishay Siliconix IRLZ34 -
RFQ
 ECAD 5910 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRLZ34 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ34 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 30A (TC) 4V, 5V 50mohm @ 18a, 5V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 10V 1600 pf @ 25 v - 88W (TC)
SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4403DDY-T1-GE3 0.4800
RFQ
 ECAD 1630 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4403 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 15.4A (TC) 1.8V, 4.5V 14mohm @ 9a, 4.5v 1V @ 250µA 99 NC @ 8 v ± 8V 3250 pf @ 10 v - 5W (TC)
SQM120P10_10M1LGE3 Vishay Siliconix SQM120P10_10M1LGE3 3.8400
RFQ
 ECAD 5117 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM120 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 120A (TC) 4.5V, 10V 10.1mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 9000 pf @ 25 v - 375W (TC)
SIHD5N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHD5N50D-GE3 1.0500
RFQ
 ECAD 1756 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD5 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 5.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 325 pf @ 100 v - 104W (TC)
IRFB11N50A Vishay Siliconix IRFB11N50A -
RFQ
 ECAD 4577 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB11 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB11N50A 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 520mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 25 v - 170W (TC)
SIHD6N62E-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N62E-GE3 0.6918
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 6A (TC) 10V 900mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 30V 578 pf @ 100 v - 78W (TC)
SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1013X-T1-GE3 0.4400
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 SI1013 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 350MA (TA) 1.8V, 4.5V 1.2ohm @ 350ma, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 1.5 nc @ 4.5 v ± 6V - 250MW (TA)
2N4861JAN02 Vishay Siliconix 2N4861JAN02 -
RFQ
 ECAD 5904 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4861 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - -
IRFIB6N60A Vishay Siliconix irfib6n60a -
RFQ
 ECAD 1946 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfib6 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfib6n60a 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 5.5A (TC) 10V 750mohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 60W (TC)
SI9634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9634DY-T1-GE3 0.9200
RFQ
 ECAD 9280 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9634 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 3.6W (TC) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SI9634DY-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 6.2A (TA), 8A (TC) 29mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 10V 420pf @ 30V -
2N6660JAN02 Vishay Siliconix 2N6660JAN02 -
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 2N6660 - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir610dp-t1-RE3 1.8800
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir610 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 35.4A (TC) 7.5V, 10V 31.9mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 100 v - 104W (TC)
SQ3418EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ3418EEV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1236 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3418 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 8A (TC) 32mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v 660 pf @ 25 v -
IRLD024 Vishay Siliconix irld024 -
RFQ
 ECAD 6236 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) irld024 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLD024 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 2.5A (TA) 4V, 5V 100mohm @ 1.5a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SIHB22N60EL-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60EL-GE3 2.2344
RFQ
 ECAD 2818 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB22 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 197mohm @ 11a, 10V 5V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 1690 pf @ 100 v - 227W (TC)
U290-E3 Vishay Siliconix U290-E3 -
RFQ
 ECAD 1859 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AC, TO-52-3 금속 캔 U290 500MW TO-206AC (TO-52) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 160pf @ 0v 30 v 500 ma @ 10 v 4 v @ 3 na 3 옴
IRFU9024PBF Vishay Siliconix IRFU9024PBF 1.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9024 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFU9024PBF 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 8.8A (TC) 10V 280mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQJ420EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ420EP-T1_BE3 0.8800
RFQ
 ECAD 1720 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj420ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 30A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 9.7a, 10v 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1860 pf @ 25 v - 45W (TC)
IRFRC20TRL Vishay Siliconix irfrc20trl -
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFRC20 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIA527DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA527DJ-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 9764 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA527 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 12V 4.5A 29mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 15nc @ 8v 500pf @ 6v 논리 논리 게이트
SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6466ADQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6466 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.8A (TA) 2.5V, 4.5V 14mohm @ 8.1a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 27 NC @ 5 v ± 8V - 1.05W (TA)
SI4408DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4408DY-T1-E3 2.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4408 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 14A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 21a, 10V 1V @ 250µA (Min) 32 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
IRL3303D1STRR Vishay Siliconix irl3303d1strr -
RFQ
 ECAD 9378 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl3303 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 38A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10V 1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 16V 870 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI4874BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4874BDY-T1-E3 1.4000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4874 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V 3230 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
SI6943BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6943BDQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6943 MOSFET (금속 (() 800MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 2.3a 80mohm @ 2.5a, 4.5v 800MV @ 250µA 10NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI7804DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7804DN-T1-GE3 0.5292
RFQ
 ECAD 8957 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7804 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 18.5mohm @ 10a, 10V 1.8V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
IRFIZ48G Vishay Siliconix irfiz48g -
RFQ
 ECAD 5835 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfiz48 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 37A (TC) 10V 18mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRF620 Vishay Siliconix IRF620 -
RFQ
 ECAD 7136 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF620 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 50W (TC)
2N6661JTVP02 Vishay Siliconix 2N6661JTVP02 -
RFQ
 ECAD 3800 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6661 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 90 v 860MA (TC) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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