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| SI7460DP-T1-E3 | 2.2000 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7460 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 9.6mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SI4386DY-T1-E3 | 1.4000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4386 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 16a, 10V | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.47W (TA) | ||||||
 | IRF540PBF | 2.1500 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF540 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF540PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 28A (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 1700 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||
 | SQJ474EP-T1_BE3 | 0.9800 | | 3488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj474ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 26A (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||
| SI7121ADN-T1-GE3 | 0.6200 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7121 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 12A (TA) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 25V | 1870 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 27.8W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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