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불연속 불연속 제품 (5717)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF737LCS | - |  | 5183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF737 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF737LCS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 300 v | 6.1A (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 430 pf @ 25 v | - | - | |||
 | SIHP180N60E-GE3 | 3.2500 | | 3536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP180 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 19A (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 30V | 1085 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | |||||
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 | SQRS140ELP-T1_GE3 | 2.6800 | | 8072 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8SW | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3,000 | n 채널 | 40 v | 504A (TC) | 4.5V, 10V | 600µohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 294 NC @ 10 v | ± 20V | 15398 pf @ 25 v | - | 266W (TC) | ||||||||
 | IRFU9020PBF | 1.8900 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU9020 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irfu9020pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 50 v | 9.9A (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 490 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||
| SIHD1K4N60E-GE3 | 1.1600 | | 5840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD1 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 4.2A (TC) | 10V | 1.45ohm @ 500ma, 10V | 5V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 30V | 172 pf @ 100 v | - | 63W (TC) | |||||
| SI7850ADP-T1-GE3 | 1.2600 | | 5915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7850 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 10.3A (TA), 12A (TC) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 10a, 10V | 2.8V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 790 pf @ 30 v | - | 3.6W (TA), 35.7W (TC) | |||||
| SI6562DQ-T1-E3 | - | | 7113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6562 | MOSFET (금속 (() | 1W | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | - | 30mohm @ 4.5a, 4.5v | 600MV @ 250µa (최소) | 25NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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