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불연속 불연속 제품 (5717)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| 2N4858JTXL02 | - | | 8060 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N4858 | TO-206AA (TO-18) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
 | Siz720DT-T1-GE3 | 0.6395 | | 1017 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-PowerPair ™ | Siz720 | MOSFET (금속 (() | 27W, 48W | 6-PowerPair ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 교량) | 20V | 16A | 8.7mohm @ 16.8a, 10V | 2V @ 250µA | 23NC @ 10V | 825pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | SISS52DN-T1-GE3 | 1.0600 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SH | SISS52 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SISS52DN-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 47.1A (TA), 162a (TC) | 4.5V, 10V | 1.2MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | +16V, -12V | 2950 pf @ 15 v | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | ||||
 | SIB456DK-T1-GE3 | 0.5100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6 | SIB456 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 6.3A (TC) | 4.5V, 10V | 185mohm @ 1.9a, 10V | 3V @ 250µA | 5 nc @ 10 v | ± 20V | 130 pf @ 50 v | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | |||||
 | SI2333DS-T1-BE3 | 0.8600 | | 1239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SI23DS-T1-BE3TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 4.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 5.3a, 4.5v | 1V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1100 pf @ 6 v | - | 750MW (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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