RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI3410DV-T1-E3	-	RFQ	7865	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3410	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	8A (TC)	4.5V, 10V	19.5mohm @ 5a, 10V	3V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1295 pf @ 15 v	-	2W (TA), 4.1W (TC)
SQJB04ELP-T1_GE3	0.9700	RFQ	23	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJB04	MOSFET (금속 (()	27W (TC)	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	30A (TC)		11mohm @ 5a, 10V	2.2V @ 250µA	20NC @ 10V		1055pf @ 25v	-
SI7141DP-T1-GE3	2.3200	RFQ	41	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7141	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	60A (TC)	4.5V, 10V	1.9mohm @ 25a, 10V	2.3V @ 250µA	400 NC @ 10 v	± 20V	14300 pf @ 10 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
irfr9310trrpbf	-	RFQ	6199	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9310	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	400 v	1.8A (TC)	10V	7ohm @ 1.1a, 10V	4V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	270 pf @ 25 v	-	50W (TC)
SI1405DL-T1-E3	-	RFQ	5210	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1405	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	8 v	1.6A (TA)	1.8V, 4.5V	125mohm @ 1.8a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	7 NC @ 4.5 v	± 8V		-	568MW (TA)
SQP50P03-07_GE3	-	RFQ	2263	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SQP50	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	500		p 채널	30 v	50A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 30a, 10V	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 v	± 20V	5380 pf @ 25 v	-	150W (TC)
SQ2301ES-T1_GE3	0.5300	RFQ	6065	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TA)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2301	MOSFET (금속 (()		TO-236 (SOT-23)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	3.9A (TC)	2.5V, 4.5V	120mohm @ 2.8a, 4.5v	1.5V @ 250µA	8 NC @ 4.5 v	± 8V	425 pf @ 10 v	-	3W (TC)
siha5n80ae-ge3	1.3800	RFQ	1	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		742-SIHA5N80AE-GE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	800 v	3A (TC)	10V	1.35ohm @ 1.5a, 10V	4V @ 250µA	16.5 nc @ 10 v	± 30V	321 pf @ 100 v	-	29W (TC)
SIAA00DJ-T1-GE3	0.6800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIAA00	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	25 v	20.1A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	5.6mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	+16V, -12V	1090 pf @ 12.5 v	-	3.5W (TA), 19.2W (TC)
SIA443DJ-T1-GE3	-	RFQ	7594	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA443	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	9A (TC)	1.8V, 4.5V	45mohm @ 4.7a, 4.5v	1V @ 250µA	25 nc @ 8 v	± 8V	750 pf @ 10 v	-	3.3W (TA), 15W (TC)
IRF530SPBF	1.7300	RFQ	8751	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF530	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	14A (TC)	10V	160mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	670 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 88W (TC)
SI5905BDC-T1-E3	-	RFQ	6081	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5905	MOSFET (금속 (()	3.1W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		8V	4a		80mohm @ 3.3a, 4.5v	1V @ 250µA	11nc @ 8v		350pf @ 4v	논리 논리 게이트
SI4200DY-T1-GE3	-	RFQ	5117	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4200	MOSFET (금속 (()	2.8W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		25V	8a		25mohm @ 7.3a, 10V	2.2V @ 250µA	12NC @ 10V		415pf @ 13v	논리 논리 게이트
SIA906EDJ-T1-GE3	0.6200	RFQ	115	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6 듀얼	SIA906	MOSFET (금속 (()	7.8W	PowerPak® SC-70-6 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	4.5A		46mohm @ 3.9a, 4.5v	1.4V @ 250µA	12NC @ 10V		350pf @ 10V	논리 논리 게이트
irfr024tr	-	RFQ	4852	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR024	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	60 v	14A (TC)	10V	100mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SQ7415AEN-T1_GE3	-	RFQ	7233	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SQ7415	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	16A (TC)	4.5V, 10V	65mohm @ 5.7a, 10V	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	1385 pf @ 25 v	-	53W (TC)
sir638dp-t1-Re3	0.7316	RFQ	1703	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir638	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	100A (TC)	4.5V, 10V	0.88mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	204 NC @ 10 v	+20V, -16V	10500 pf @ 20 v	-	104W (TC)
sir608dp-t1-Re3	1.6400	RFQ	6679	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir608	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	45 v	51A (TA), 208A (TC)	4.5V, 10V	1.2MOHM @ 20A, 10V	2.3V @ 250µA	167 NC @ 10 v	+20V, -16V	8900 pf @ 20 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SI6463BDQ-T1-E3	-	RFQ	1663	Vishay Siliconix	Trenchfet®	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6463	MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	6.2A (TA)		15mohm @ 7.4a, 4.5v	800MV @ 250µA	60 nc @ 5 v			-
SI2328DS-T1-GE3	0.8600	RFQ	5940	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2328	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	100 v	1.15A (TA)	10V	250mohm @ 1.5a, 10V	4V @ 250µA	5 nc @ 10 v	± 20V		-	730MW (TA)
SI4914BDY-T1-GE3	-	RFQ	6992	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4914	MOSFET (금속 (()	2.7W, 3.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널 교량)		30V	8.4a, 8a		21mohm @ 8a, 10V	2.7V @ 250µA	10.5nc @ 4.5v		-	-
SQ2361EES-T1-GE3	-	RFQ	7750	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2361	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	2.5A (TC)	4.5V, 10V	150mohm @ 2.4a, 10V	2.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	545 pf @ 30 v	-	2W (TC)
SUP90N15-18P-E3	-	RFQ	4416	Vishay Siliconix	Trenchfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	sup90	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	150 v	90A (TC)	10V	18mohm @ 20a, 10V	4.5V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	4180 pf @ 75 v	-	3.75W (TA), 375W (TC)
SIHH155N60EF-T1GE3	5.4300	RFQ	3136	Vishay Siliconix	ef	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	SIHH155	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	18A (TC)	10V	155mohm @ 10a, 10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 30V	1465 pf @ 100 v	-	156W (TC)
IRFP260PBF	6.5100	RFQ	949	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP260	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFP260PBF	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	200 v	46A (TC)	10V	55mohm @ 28a, 10V	4V @ 250µA	230 nc @ 10 v	± 20V	5200 pf @ 25 v	-	280W (TC)
IRFR214PBF	0.6159	RFQ	7829	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR214	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFR214PBF	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	250 v	2.2A (TC)	10V	2ohm @ 1.3a, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	140 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SQJ940EP-T1_GE3	1.4500	RFQ	8	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ940	MOSFET (금속 (()	48W, 43W	PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	15A (TA), 18A (TC)		16mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	20NC @ 20V		896pf @ 20V	논리 논리 게이트
SI6433BDQ-T1-GE3	-	RFQ	7852	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6433	MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	4A (TA)	2.5V, 4.5V	4.8A, 4.5V 40mohm	1.5V @ 250µA	15 nc @ 4.5 v	± 8V		-	1.05W (TA)
IRFPC50LCPBF	4.0688	RFQ	4345	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFPC50LCPBF	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	600 v	11A (TC)	10V	600mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 v	± 30V	2300 pf @ 25 v	-	190W (TC)
IRF820A	-	RFQ	2120	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF820	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF820A	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	2.5A (TC)	10V	3ohm @ 1.5a, 10V	4.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 30V	340 pf @ 25 v	-	50W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²