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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SUD50N03-09P-E3	-	RFQ	3065	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD50	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	30 v	63A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	16 nc @ 4.5 v	± 20V	2200 pf @ 25 v	-	7.5W (TA), 65.2W (TC)
irfr1n60atrr	-	RFQ	8416	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR1	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	1.4A (TC)	10V	7ohm @ 840ma, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 30V	229 pf @ 25 v	-	36W (TC)
SISS32LDN-T1-GE3	1.2200	RFQ	5243	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8SH	SISS32	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8SH	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	17.4A (TA), 63A (TC)	4.5V, 10V	7.2mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	57 NC @ 10 v	± 20V	2550 pf @ 40 v	-	5W (TA), 65.7W (TC)
SIHG47N60E-E3	9.7500	RFQ	485	Vishay Siliconix	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	SIHG47	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		SIHG47N60EE3	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	600 v	47A (TC)	10V	64mohm @ 24a, 10V	4V @ 250µA	220 NC @ 10 v	± 30V	9620 pf @ 100 v	-	357W (TC)
SI7106DN-T1-GE3	1.5600	RFQ	922	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7106	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	12.5A (TA)	2.5V, 4.5V	6.2mohm @ 19.5a, 4.5v	1.5V @ 250µA	27 NC @ 4.5 v	± 12V		-	1.5W (TA)
SI4890DY-T1-GE3	-	RFQ	6613	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4890	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	12mohm @ 11a, 10V	800mv @ 250µa (최소)	20 nc @ 5 v	± 25V		-	2.5W (TA)
sira88bdp-t1-ge3	0.5400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sira88	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	19A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	6.83mohm @ 10a, 10V	2.4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	+20V, -16V	680 pf @ 15 v	-	3.8W (TA), 17W (TC)
SI7880ADP-T1-E3	4.1500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7880	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	125 nc @ 10 v	± 20V	5600 pf @ 15 v	-	5.4W (TA), 83W (TC)
SIHFR9310TR-GE3	1.5800	RFQ	8059	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SIHFR9310	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	400 v	1.8A (TC)	10V	7ohm @ 1.1a, 10V	4V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	270 pf @ 25 v	-	50W (TC)
SIHA21N60EF-E3	2.1183	RFQ	4412	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SIHA21	MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	21A (TC)	10V	176mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 v	± 30V	2030 pf @ 100 v	-	35W (TC)
SIHFL210TR-GE3	0.6700	RFQ	388	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드		1 (무제한)		742-SIHFL210TR-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	200 v	960MA (TC)	10V	1.5ohm @ 580ma, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	140 pf @ 25 v	-	2W (TA), 3.1W (TC)
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sira90ADP-T1-GE3	-	RFQ	1631	Vishay Siliconix	Trenchfet®	컷 컷 (CT)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sira90	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	71A (TA), 334A (TC)		0.78mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	195 NC @ 10 v	+20V, -16V	9120 pf @ 15 v	-	6.3W (TA), 104W (TC)
SIHB30N60E-E3	-	RFQ	2292	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB30	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	29A (TC)	10V	125mohm @ 15a, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 v	± 30V	2600 pf @ 100 v	-	250W (TC)
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SI6933DQ-T1-E3	-	RFQ	9427	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6933	MOSFET (금속 (()	1W	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		30V	-		45mohm @ 3.5a, 10V	1V @ 250µA (Min)	30NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
2N5545JTX01	-	RFQ	4003	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	To-71-6	2N5545			To-71	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1		-								-
SI3457BDV-T1-E3	-	RFQ	1221	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3457	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	3.7A (TA)	4.5V, 10V	54mohm @ 5a, 10V	3V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V		-	1.14W (TA)
SI4388DY-T1-GE3	-	RFQ	2382	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4388	MOSFET (금속 (()	3.3W, 3.5W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널 교량)		30V	10.7a, 11.3a		16mohm @ 8a, 10V	3V @ 250µA	27NC @ 10V		946pf @ 15V	-
irf730strl	-	RFQ	1415	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF730	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	400 v	5.5A (TC)	10V	1ohm @ 3.3a, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	700 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 74W (TC)
SQ1922EEH-T1_GE3	0.4900	RFQ	480	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SQ1922	MOSFET (금속 (()	1.5W	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	840MA (TC)		350mohm @ 400ma, 4.5v	1.5V @ 250µA	1.2NC @ 4.5V		50pf @ 10V	-
SI1025X-T1-GE3	0.5100	RFQ	61	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1025	MOSFET (금속 (()	250MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		60V	190ma		4ohm @ 500ma, 10V	3V @ 250µA	1.7NC @ 15V		23pf @ 25V	논리 논리 게이트
SQ4184EY-T1_GE3	1.6500	RFQ	2	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4184	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	29A (TC)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 14a, 10V	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	5400 pf @ 20 v	-	7.1W (TC)
SQJ433EP-T1_GE3	1.4100	RFQ	4	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ433	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	75A (TC)	4.5V, 10V	8.1mohm @ 16a, 10V	2.5V @ 250µA	108 NC @ 10 v	± 20V	4877 pf @ 15 v	-	83W (TC)
SIHFPS43N50K-GE3	-	RFQ	8460	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-274AA		MOSFET (금속 (()		Super-247 ™ (TO-274AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIHFPS43N50K-GE3	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	500 v	47A (TC)	10V	90mohm @ 28a, 10V	5V @ 250µA	350 NC @ 10 v	± 30V	8310 pf @ 25 v	-	540W (TC)
SI1317DL-T1-GE3	0.4600	RFQ	8393	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	SI1317	MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	1.4A (TC)	1.8V, 4.5V	150mohm @ 1.4a, 4.5v	800MV @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 v	± 8V	272 pf @ 10 v	-	500MW (TC)
SQJQ936E-T1_GE3	3.0100	RFQ	8828	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 8 x 8 듀얼	SQJQ936	MOSFET (금속 (()	75W (TC)	PowerPak® 8 x 8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000	2 n 채널 (채널)		40V	100A (TC)		2.3mohm @ 5a, 10V	3.5V @ 250µA	113NC @ 10V		6600pf @ 25V	-
SIHB085N60EF-GE3	6.0200	RFQ	3547	Vishay Siliconix	ef	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB085	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIHB085N60EF-GE3	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	34A (TC)	10V	84mohm @ 17a, 10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 30V	2733 PF @ 100 v	-	184W (TC)
SIHG14N50D-GE3	3.2800	RFQ	495	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	SIHG14	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	500 v	14A (TC)	10V	400mohm @ 7a, 10V	5V @ 250µA	58 NC @ 10 v	± 30V	1144 pf @ 100 v	-	208W (TC)
SI8472DB-T2-E1	0.5600	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-UFBGA	SI8472	MOSFET (금속 (()		4 (® ® (1x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	3.3A (TA)	1.5V, 4.5V	44mohm @ 1.5a, 4.5v	900MV @ 250µA	18 nc @ 8 v	± 8V	630 pf @ 10 v	-	780MW (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²