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불연속 불연속 제품 (5717)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQR40020ER_GE3 | 1.8400 |  | 6771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-4, DPAK (3 리드 + 탭) | SQR40020 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) 리버스 리드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 2.33MOHM @ 20A, 10V | 3.5V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 8000 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||||
 | SIHH14N65E-T1-GE3 | 5.2700 | | 3557 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | SIHH14 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 15A (TC) | 10V | 260mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 30V | 1712 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | |||||
 | SI7149ADP-T1-GE3 | 0.9100 | | 47 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7149 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.2mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 135 NC @ 10 v | ± 25V | 5125 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
 | IRFZ44RSTRR | - | | 7617 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ44 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||
| IRF3314STRL | - | | 2715 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | - | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF3314 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | - | 10V | - | - | ± 20V | - | - | ||||||
 | SI3446ADV-T1-GE3 | - | | 4627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3446 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6A (TC) | 2.5V, 4.5V | 37mohm @ 5.8a, 4.5v | 1.8V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 12V | 640 pf @ 10 v | - | 2W (TA), 3.2W (TC) | ||||
 | IRF620 | - | | 7136 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF620 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||
| sir610dp-t1-RE3 | 1.8800 | | 4446 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir610 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 35.4A (TC) | 7.5V, 10V | 31.9mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1380 pf @ 100 v | - | 104W (TC) | |||||
 | SI8441DB-T2-E1 | - | | 6868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-UFBGA | SI8441 | MOSFET (금속 (() | 6 (™ ™ (1.5x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 10.5A (TC) | 1.2V, 4.5V | 80mohm @ 1a, 4.5v | 700MV @ 250µA | 13 nc @ 5 v | ± 5V | 600 pf @ 10 v | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SQ2308CES-T1_GE3 | 0.6700 | | 44 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2308 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2.3A (TC) | 4.5V, 10V | 150mohm @ 2.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 5.3 NC @ 10 v | ± 20V | 205 pf @ 30 v | - | 2W (TC) | |||||
 | IRFU220PBF | 1.5200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU220 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFU220PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 200 v | 4.8A (TC) | 10V | 800mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | irf620strlpbf | 2.0400 | | 960 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF620 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SI6943BDQ-T1-GE3 | - | | 7033 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6943 | MOSFET (금속 (() | 800MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 2.3a | 80mohm @ 2.5a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SIS456DN-T1-GE3 | - | | 6152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS456 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 15 v | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI4401DY-T1-E3 | - | | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4401 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 8.7A (TA) | 4.5V, 10V | 15.5mohm @ 10.5a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 50 nc @ 5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
| SQ4184EY-T1_GE3 | 1.6500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4184 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 29A (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 14a, 10V | 2.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5400 pf @ 20 v | - | 7.1W (TC) | |||||
 | irlr014tr | - | | 1152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR014 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 7.7A (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250µA | 8.4 NC @ 5 v | ± 10V | 400 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SI3493DDV-T1-GE3 | 0.3900 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 24mohm @ 7.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 30 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1825 pf @ 10 v | - | 3.6W (TC) | |||||
 | SIDR626DP-T1-RE3 | 2.9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 42.8A (TA), 100A (TC) | 6V, 10V | 1.7mohm @ 20a, 10V | 3.4V @ 250µA | 102 NC @ 10 v | ± 20V | 5130 pf @ 30 v | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||||
| SI4500BDY-T1-GE3 | - | | 7817 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4500 | MOSFET (금속 (() | 1.3W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 공통 p 채널, 공통 배수 | 20V | 6.6a, 3.8a | 20mohm @ 9.1a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 17NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
| SQ3419EV-T1-GE3 | - | | 1109 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SQ3419 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 7.4A (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 12V | 1065 pf @ 20 v | - | 5W (TC) | ||||
 | SI7540DP-T1-E3 | - | | 9589 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7540 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 12V | 7.6a, 5.7a | 17mohm @ 11.8a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 17NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| SI7454DP-T1-E3 | 2.0000 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7454 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 5A (TA) | 6V, 10V | 34mohm @ 7.8a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SIA445EDJ-T1-GE3 | 0.6400 | | 285 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA445 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 12A (TC) | 2.5V, 4.5V | 16.5mohm @ 7a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 12V | 2130 pf @ 10 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SUD50N03-09P-GE3 | - | | 9942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 63A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 16 nc @ 4.5 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 7.5W (TA), 65.2W (TC) | |||||
| SQ2315ES-T1_BE3 | 0.6000 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2315 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | - | 1 (무제한) | 742-SQ2315ES-T1_BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 50mohm @ 3.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 13 nc @ 4.5 v | ± 8V | 870 pf @ 6 v | - | 2W (TC) | |||||
 | SI1013X-T1-GE3 | 0.4400 | | 8244 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | SI1013 | MOSFET (금속 (() | SC-89-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 350MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 1.2ohm @ 350ma, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 1.5 nc @ 4.5 v | ± 6V | - | 250MW (TA) | |||||
 | IRFC430 | - | | 8663 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | IRFC430 | - | - | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||
| SI3460DV-T1-E3 | - | | 7192 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3460 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 5.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 5.1a, 4.5v | 450mv @ 1ma (min) | 20 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.1W (TA) | ||||||
| SI4330DY-T1-GE3 | - | | 6712 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4330 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.6a | 16.5mohm @ 8.7a, 10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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