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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI1069X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1069X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1069 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 970MA (TA) 2.5V, 4.5V 184mohm @ 940ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 6.86 NC @ 5 v ± 12V 308 pf @ 10 v - 236MW (TA)
SIHA24N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHA24N65EF-GE3 5.9100
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 10A (TC) 10V 156mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2774 pf @ 100 v - 39W (TC)
SIZF920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3 1.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Sizf920 MOSFET (금속 (() 3.9W (TA), 28W (TC), 4.5W (TA), 74W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 28A (TA), 76A (TC), 49A (TA), 197A (TC) 3.07mohm @ 10a, 10v, 1.05mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 29NC @ 10V, 125NC @ 10V 1300pf @ 15V, 5230pf @ 15V -
SIRA18DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA18DP-T1-RE3 0.1904
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira18 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 33A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v +20V, -16V 1000 pf @ 15 v - 14.7W (TC)
SI7868ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7868ADP-T1-GE3 2.2623
RFQ
 ECAD 4724 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7868 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.25mohm @ 20a, 10V 1.6V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 16V 6110 pf @ 10 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SI1433DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1433DH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1433 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 150mohm @ 2.2a, 10V 3V @ 100µa 5 nc @ 4.5 v ± 20V - 950MW (TA)
SI5504DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5504DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9316 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5504 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 2.9a, 2.1a 85mohm @ 2.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 7.5NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIHG20N50C-E3 Vishay Siliconix SIHG20N50C-E3 3.0300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG20 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHG20N50CE3 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 270mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 30V 2942 pf @ 25 v - 250W (TC)
SIA445EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA445EDJT-T1-GE3 0.4900
RFQ
 ECAD 1854 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA445 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TC) 2.5V, 4.5V 16.7mohm @ 7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 12V 2180 pf @ 10 v - 19W (TC)
SIHB33N60ET5-GE3 Vishay Siliconix SIHB33N60ET5-GE3 3.8346
RFQ
 ECAD 8835 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB33 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 33A (TC) 10V 99mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 30V 3508 pf @ 100 v - 278W (TC)
SI3456DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3456DDV-T1-BE3 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5A (TA), 6.3A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 325 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 2.7W (TC)
SI2336DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2336DS-T1-BE3 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2336 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.3A (TA), 5.2A (TC) 1.8V, 4.5V 42mohm @ 3.8a, 4.5v 1V @ 250µA 15 nc @ 8 v ± 8V 560 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 1.8W (TC)
SI2331DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2331DS-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2887 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2331 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 3.2A (TA) 1.8V, 4.5V 48mohm @ 3.6a, 4.5v 900MV @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V 780 pf @ 6 v - 710MW (TA)
SIHP690N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP690N60E-GE3 1.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP690 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6.4A (TC) 10V 700mohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 347 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8483dB-T2-E1 0.5600
RFQ
 ECAD 3193 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA SI8483 MOSFET (금속 (() 6 (™ ™ (1.5x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 16A (TC) 1.5V, 4.5V 26mohm @ 1.5a, 4.5v 800MV @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 10V 1840 pf @ 6 v - 2.77W (TA), 13W (TC)
SIHP25N40D-GE3 Vishay Siliconix SIHP25N40D-GE3 3.0600
RFQ
 ECAD 417 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP25 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP25N40DGE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 25A (TC) 10V 170mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 30V 1707 pf @ 100 v - 278W (TC)
SIHK065N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK065N60E-T1-GE3 7.6000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerbsfn MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 34A (TC) 10V 68mohm @ 15a, 10V 5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 30V 2946 PF @ 100 v - 192W (TC)
SI7802DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7802DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4616 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7802 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 1.24A (TA) 6V, 10V 435mohm @ 1.95a, 10V 3.6V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
IRFBC40SPBF Vishay Siliconix IRFBC40SPBF 4.4500
RFQ
 ECAD 1517 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC40 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBC40SPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
SI9933CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9933CDY-T1-E3 0.6300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9933 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 4a 58mohm @ 4.8a, 4.5v 1.4V @ 250µA 26NC @ 10V 665pf @ 10V 논리 논리 게이트
SIRA84BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira84bdp-t1-ge3 0.5000
RFQ
 ECAD 1284 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira84 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 32 NC @ 10 v +20V, -16V 1050 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 36W (TC)
SIHG47N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG47N60EF-GE3 9.9500
RFQ
 ECAD 492 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG47 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 67mohm @ 24a, 10V 4V @ 250µA 225 NC @ 10 v ± 30V 4854 pf @ 100 v - 379W (TC)
SIRS700DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRS700DP-T1-GE3 3.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 30A (TA), 127A (TC) 7.5V, 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 5950 pf @ 50 v - 7.4W (TA), 132W (TC)
SQD50034E_GE3 Vishay Siliconix SQD50034E_GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50034 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 107W (TC)
IRF530S Vishay Siliconix IRF530S -
RFQ
 ECAD 4348 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF530S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SI4834CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4834CDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5791 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4834 MOSFET (금속 (() 2.9W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8a 20mohm @ 8a, 10V 3V @ 1mA 25NC @ 10V 950pf @ 15V -
SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir106dp-t1-re3 1.7800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir106 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 16.1A (TA), 65.8A (TC) 7.5V, 10V 8mohm @ 15a, 10V 3.4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 3610 pf @ 50 v - 3.2W (TA), 83.3W (TC)
SI4446DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4446DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2257 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4446 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 3.9A (TA) 4.5V, 10V 40mohm @ 5.2a, 10V 1.6V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 12V 700 pf @ 20 v - 1.1W (TA)
IRFBC40S Vishay Siliconix IRFBC40S -
RFQ
 ECAD 9477 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC40 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBC40S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
IRLI640GPBF Vishay Siliconix IRLI640GPBF 3.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irli640 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRLI640GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9.9A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 5.9a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - 40W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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