전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI4483edy-T1-GE3 | - | ![]() | 4074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4483 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 10A (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 14a, 10V | 3V @ 250µA | ± 25V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | SI9926BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 6712 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9926 | MOSFET (금속 (() | 1.14W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 6.2A | 20mohm @ 8.2a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | sir606bdp-t1-Re3 | 1.4600 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir606 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 10.9A (TA), 38.7A (TC) | 7.5V, 10V | 17.4mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1470 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
![]() | sira02dp-t1-ge3 | 1.7700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira02 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2MOHM @ 15A, 10V | 2.2V @ 250µA | 117 NC @ 10 v | +20V, -16V | 6150 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 71.4W (TC) | ||||
![]() | SI2302DDS-T1-BE3 | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SI2302DDS-T1-BE3TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 2.6A (TA) | 2.5V, 4.5V | 57mohm @ 3.6a, 4.5v | 850MV @ 250µA | 5.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 710MW (TA) | |||||||
![]() | IRFR214PBF | 0.6159 | ![]() | 7829 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFR214PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 250 v | 2.2A (TC) | 10V | 2ohm @ 1.3a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | SI4752DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4752 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 10a, 10V | 2.2v @ 1ma | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 1700 pf @ 15 v | Schottky Diode (Body) | 3W (TA), 6.25W (TC) | |||||
![]() | IRFI840GLCPBF | 2.9600 | ![]() | 725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI840 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFI840GLCPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 4.5A (TC) | 10V | 850mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||
![]() | IRFL214 | - | ![]() | 5602 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL214 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFL214 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | n 채널 | 250 v | 790MA (TC) | 10V | 2ohm @ 470ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||
![]() | IRFD120PBF | 1.3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD120 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFD120PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 1.3A (TA) | 10V | 270mohm @ 780ma, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | ||||
![]() | irfibc40glcpbf | 2.3946 | ![]() | 3626 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFIBC40 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irfibc40glcpbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 3.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.1a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||
![]() | SI1401EDH-T1-BE3 | 0.4100 | ![]() | 4662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1401 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 742-SI1401EDH-T1-BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 4A (TA), 4A (TC) | 34mohm @ 5.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 36 nc @ 8 v | ± 10V | - | 1.6W (TA), 2.8W (TC) | ||||||
![]() | SIA917DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 2807 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA917 | MOSFET (금속 (() | 6.5W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4.5A | 110mohm @ 2.5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 9NC @ 10V | 250pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SQD40081EL_GE3 | 1.3700 | ![]() | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD40081 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 25a, 10V | 2.5V @ 250µA | 210 nc @ 10 v | ± 20V | 9950 pf @ 25 v | - | 71W (TC) | |||||
![]() | irfl9014trpbf | 0.9300 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL9014 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 1.8A (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
![]() | SIA814DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 7117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA814 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4.5A (TC) | 2.5V, 10V | 61mohm @ 3.3a, 10V | 1.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 12V | 340 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.9W (TA), 6.5W (TC) | ||||
![]() | SIHD5N50D-GE3 | 1.0500 | ![]() | 1756 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD5 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 500 v | 5.3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 100 v | - | 104W (TC) | |||||
![]() | SI6544BDQ-T1-E3 | - | ![]() | 4583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6544 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 30V | 3.7a, 3.8a | 43mohm @ 3.8a, 10V | 3V @ 250µA | 15NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI2333CDS-T1-BE3 | 0.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 5.1A (TA), 7.1A (TC) | 1.8V, 4.5V | 35mohm @ 5.1a, 4.5v | 1V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1225 pf @ 6 v | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | |||||||
![]() | SI6966DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6966 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 4a | 30mohm @ 4.5a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SUD25N15-52-T4-E3 | 1.5962 | ![]() | 1682 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD25 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 25A (TC) | 6V, 10V | 52mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1725 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
![]() | SI593333DC-T1-GE3 | - | ![]() | 3407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5933 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 2.7a | 110mohm @ 2.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.7nc @ 4.5v | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI8416DB-T1-GE3 | - | ![]() | 9882 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-UFBGA | SI8416 | MOSFET (금속 (() | 6 마이크로 푸드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 8 v | 16A (TC) | 1.2V, 4.5V | 23mohm @ 1.5a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 5V | 1470 pf @ 4 v | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | ||||
![]() | SI7390DP-T1-E3 | 2.6600 | ![]() | 5413 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7390 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 9A (TA) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.8W (TA) | ||||||
![]() | SUM40N02-12P-E3 | - | ![]() | 8901 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | sum40 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1000 pf @ 10 v | - | 3.75W (TA), 83W (TC) | ||||
![]() | irfibe30g | - | ![]() | 7413 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irfibe30 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irfibe30g | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 2.1A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.3a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
![]() | SIHG24N65E-E3 | 3.8346 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG24 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHG24N65EE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 24A (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 v | ± 30V | 2740 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||
![]() | V30434-T1-GE3 | - | ![]() | 5916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | v30434 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | siRA20DP-T1-RE3 | 1.5800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira20 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 81.7A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.58mohm @ 20a, 10V | 2.1V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | +16V, -12V | 10850 pf @ 10 v | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
![]() | IRF740LCL | - | ![]() | 7398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF740 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF740LCL | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | - |
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