SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI4483EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4483edy-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4074 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4483 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 14a, 10V 3V @ 250µA ± 25V - 1.5W (TA)
SI9926BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9926BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6712 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9926 MOSFET (금속 (() 1.14W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 6.2A 20mohm @ 8.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIR606BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir606bdp-t1-Re3 1.4600
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir606 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 10.9A (TA), 38.7A (TC) 7.5V, 10V 17.4mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1470 pf @ 50 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SIRA02DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira02dp-t1-ge3 1.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira02 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 117 NC @ 10 v +20V, -16V 6150 pf @ 15 v - 5W (TA), 71.4W (TC)
SI2302DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2302DDS-T1-BE3 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2302DDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.6A (TA) 2.5V, 4.5V 57mohm @ 3.6a, 4.5v 850MV @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 8V - 710MW (TA)
IRFR214PBF Vishay Siliconix IRFR214PBF 0.6159
RFQ
ECAD 7829 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFR214PBF 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI4752DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4752DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8028 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4752 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 25A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 10a, 10V 2.2v @ 1ma 43 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 3W (TA), 6.25W (TC)
IRFI840GLCPBF Vishay Siliconix IRFI840GLCPBF 2.9600
RFQ
ECAD 725 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI840 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI840GLCPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 850mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 40W (TC)
IRFL214 Vishay Siliconix IRFL214 -
RFQ
ECAD 5602 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL214 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFL214 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 250 v 790MA (TC) 10V 2ohm @ 470ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRFD120PBF Vishay Siliconix IRFD120PBF 1.3900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD120 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD120PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1.3A (TA) 10V 270mohm @ 780ma, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
IRFIBC40GLCPBF Vishay Siliconix irfibc40glcpbf 2.3946
RFQ
ECAD 3626 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFIBC40 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfibc40glcpbf 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 3.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 40W (TC)
SI1401EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1401EDH-T1-BE3 0.4100
RFQ
ECAD 4662 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1401 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1401EDH-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 4A (TA), 4A (TC) 34mohm @ 5.5a, 4.5v 1V @ 250µA 36 nc @ 8 v ± 10V - 1.6W (TA), 2.8W (TC)
SIA917DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA917DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2807 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA917 MOSFET (금속 (() 6.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A 110mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 9NC @ 10V 250pf @ 10V 논리 논리 게이트
SQD40081EL_GE3 Vishay Siliconix SQD40081EL_GE3 1.3700
RFQ
ECAD 2265 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40081 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 50A (TC) 10V 8.5mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 9950 pf @ 25 v - 71W (TC)
IRFL9014TRPBF Vishay Siliconix irfl9014trpbf 0.9300
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL9014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.8A (TC) 10V 500mohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SIA814DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA814DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7117 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA814 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TC) 2.5V, 10V 61mohm @ 3.3a, 10V 1.5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 12V 340 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.9W (TA), 6.5W (TC)
SIHD5N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHD5N50D-GE3 1.0500
RFQ
ECAD 1756 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD5 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 5.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 325 pf @ 100 v - 104W (TC)
SI6544BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6544BDQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4583 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6544 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 3.7a, 3.8a 43mohm @ 3.8a, 10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI2333CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2333CDS-T1-BE3 0.6200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 5.1A (TA), 7.1A (TC) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 8V 1225 pf @ 6 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SI6966DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6966DQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9688 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6966 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4a 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1.4V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SUD25N15-52-T4-E3 Vishay Siliconix SUD25N15-52-T4-E3 1.5962
RFQ
ECAD 1682 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD25 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 25A (TC) 6V, 10V 52mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1725 pf @ 25 v - 3W (TA), 136W (TC)
SI5933DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI593333DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3407 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5933 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.7a 110mohm @ 2.7a, 4.5v 1V @ 250µA 7.7nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SI8416DB-T1-GE3 Vishay Siliconix SI8416DB-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9882 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA SI8416 MOSFET (금속 (() 6 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 16A (TC) 1.2V, 4.5V 23mohm @ 1.5a, 4.5v 800MV @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 5V 1470 pf @ 4 v - 2.77W (TA), 13W (TC)
SI7390DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7390DP-T1-E3 2.6600
RFQ
ECAD 5413 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7390 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
SUM40N02-12P-E3 Vishay Siliconix SUM40N02-12P-E3 -
RFQ
ECAD 8901 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum40 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 40A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1000 pf @ 10 v - 3.75W (TA), 83W (TC)
IRFIBE30G Vishay Siliconix irfibe30g -
RFQ
ECAD 7413 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibe30 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfibe30g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 2.1A (TC) 10V 3ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 35W (TC)
SIHG24N65E-E3 Vishay Siliconix SIHG24N65E-E3 3.8346
RFQ
ECAD 8861 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG24 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHG24N65EE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2740 pf @ 100 v - 250W (TC)
V30434-T1-GE3 Vishay Siliconix V30434-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5916 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v30434 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
SIRA20DP-T1-RE3 Vishay Siliconix siRA20DP-T1-RE3 1.5800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira20 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 81.7A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 0.58mohm @ 20a, 10V 2.1V @ 250µA 200 nc @ 10 v +16V, -12V 10850 pf @ 10 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
IRF740LCL Vishay Siliconix IRF740LCL -
RFQ
ECAD 7398 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF740 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF740LCL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고