SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI4808DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4808DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6639 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4808 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.7a 22mohm @ 7.5a, 10V 800mv @ 250µa (최소) 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIHG018N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG018N60E-GE3 17.2100
RFQ
ECAD 288 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG018 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 99A (TC) 10V 23mohm @ 25a, 10V 5V @ 250µA 228 NC @ 10 v ± 30V 7612 pf @ 100 v - 524W (TC)
SISA24DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA24DN-T1-GE3 0.9600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA24 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 15a, 10V 2.1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v +20V, -16V 2650 pf @ 10 v - 52W (TC)
SUP40010EL-GE3 Vishay Siliconix SUP40010EL-GE3 2.9700
RFQ
ECAD 117 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP40010 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 11155 pf @ 30 v - 375W (TC)
SI4485DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4485DY-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4485 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 6A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 5.9a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 5W (TC)
SI4829DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4829DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7105 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4829 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 2A (TC) 2.5V, 4.5V 215mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 12V 210 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA), 3.1W (TC)
SI4472DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4472DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1495 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4472 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 7.7A (TC) 8V, 10V 45mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1735 pf @ 50 v - 3.1W (TA), 5.9W (TC)
SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1427EDH-T1-GE3 0.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1427 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TC) 1.5V, 4.5V 64mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 21 NC @ 8 v ± 8V - 1.56W (TA), 2.8W (TC)
SI4505DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4505DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7186 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4505 MOSFET (금속 (() 1.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V, 8V 6a, 3.8a 18mohm @ 7.8a, 10V 1.8V @ 250µA 20NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SIRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRC16DP-T1-GE3 1.2600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIRC16 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 0.96mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 48 NC @ 4.5 v +20V, -16V 5150 pf @ 10 v - 54.3W (TC)
SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4435DDY-T1-GE3 0.7500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4435 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 11.4A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 9.1a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
2N4858JTVP02 Vishay Siliconix 2N4858JTVP02 -
RFQ
ECAD 2625 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 2N4858 - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
SI4684DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4684DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8102 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4684 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 16a, 10V 1.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 12V 2080 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 4.45W (TC)
SI7308DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7308DN-T1-GE3 1.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7308 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6A (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 5.4a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 665 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1902CDL-T1-GE3 0.4500
RFQ
ECAD 1347 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1902 MOSFET (금속 (() 420MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1.1a 235mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 3NC @ 10V 62pf @ 10V 논리 논리 게이트
SIHU3N50DA-GE3 Vishay Siliconix SIHU3N50DA-GE3 0.3532
RFQ
ECAD 1524 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB sihu3 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 177 pf @ 100 v - 69W (TC)
SI4860DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4860DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6131 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4860 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 16a, 10V 1V @ 250µA (Min) 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
SI4542DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4542DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9072 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4542 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V - 25mohm @ 6.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 50NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI5922DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5922DU-T1-GE3 0.5400
RFQ
ECAD 4629 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® Chipfet Dual SI5922 MOSFET (금속 (() 10.4W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 6A (TC) 19.2MOHM @ 5A, 10V 2.2V @ 250µA 7.1NC @ 4.5V 765pf @ 15V -
IRFR120TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr120trlpbf-be3 1.5900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfr120trlpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI1967DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1967DH-T1-BE3 0.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1967 MOSFET (금속 (() 740MW (TA), 1.25W (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1967DH-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1A (TA), 1.3A (TC) 490mohm @ 910ma, 4.5v 1V @ 250µA 4NC @ 10V 110pf @ 10V -
IRFI620G Vishay Siliconix IRFI620G -
RFQ
ECAD 5932 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI620 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI620G 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 4.1A (TC) 10V 800mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 30W (TC)
IRF634S Vishay Siliconix IRF634S -
RFQ
ECAD 5391 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF634 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF634S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 8.1A (TC) 10V 450mohm @ 5.1a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 770 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRF9540PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9540PBF-BE3 2.1500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9540 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRF9540PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 19A (TC) 200mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRF610STRLPBF Vishay Siliconix irf610strlpbf 1.7300
RFQ
ECAD 677 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF610 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3W (TA), 36W (TC)
SIA436DJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA436DJ-T4-GE3 0.2467
RFQ
ECAD 2153 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA436 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sia436dj-t4-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 12A (TC) 1.2V, 4.5V 9.4mohm @ 15.7a, 4.5v 800MV @ 250µA 25.2 NC @ 5 v ± 5V 1508 pf @ 4 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SUM110N03-04P-E3 Vishay Siliconix SUM110N03-04P-E3 -
RFQ
ECAD 5275 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM110 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 110A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 120W (TC)
IRFPC60 Vishay Siliconix IRFPC60 -
RFQ
ECAD 4358 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC60 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFPC60 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 400mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 3900 pf @ 25 v - 280W (TC)
SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7336ADP-T1-GE3 1.8000
RFQ
ECAD 77 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7336 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TA) 4.5V, 10V 3MOHM @ 25A, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5600 pf @ 15 v - 5.4W (TA)
SI7119DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7119DN-T1-E3 1.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7119 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 3.8A (TC) 6V, 10V 1a, 1a, 10v 1.05ohm 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 666 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고