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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id
IRF9Z24PBF-BE3	1.9400	RFQ	892	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF9Z24	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-irf9z24pbf-be3	귀 99	8541.29.0095	50		p 채널	60 v	11A (TC)		280mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	570 pf @ 25 v	-	60W (TC)
SST5486-E3	-	RFQ	7733	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SST5486		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1,000		n 채널								5pf @ 15V			25 v	8 ma @ 15 v	2 V @ 10 NA
SQ4946EY-T1-E3	-	RFQ	1629	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4946	MOSFET (금속 (()	2.4W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		60V	4.5A		55mohm @ 4.5a, 10V	3V @ 250µA	30NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
Sir618DP-T1-GE3	1.1000	RFQ	4242	Vishay Siliconix	Thunderfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir618	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	200 v	14.2A (TC)	7.5V, 10V	95mohm @ 8a, 10V	4V @ 250µA	16 nc @ 7.5 v	± 20V	740 pf @ 100 v	-	48W (TC)
SI4816DY-T1-E3	-	RFQ	6633	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4816	MOSFET (금속 (()	1W, 1.25W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널 교량)		30V	5.3A, 7.7A		22mohm @ 6.3a, 10V	2V @ 250µA	12NC @ 5V		-	논리 논리 게이트
SIHP5N50D-GE3	1.1200	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP5	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	5.3A (TC)	10V	1.5ohm @ 2.5a, 10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 30V	325 pf @ 100 v	-	104W (TC)
SQJ952EP-T1_BE3	1.1400	RFQ	9816	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ952	MOSFET (금속 (()	25W (TC)	PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)		742-sqj952ep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	23A (TC)		20mohm @ 10.3a, 10V	2.5V @ 250µA	30NC @ 10V		1800pf @ 30V	-
irfib7n50apbf	3.1400	RFQ	838	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	irfib7	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*irfib7n50apbf	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	6.6A (TC)	10V	520mohm @ 4a, 10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 30V	1423 pf @ 25 v	-	60W (TC)
IRF720PBF-BE3	1.2900	RFQ	846	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF720	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-irf720pbf-be3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	3.3A (TC)		1.8ohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	410 pf @ 25 v	-	50W (TC)
V50382-E3	-	RFQ	2405	Vishay Siliconix	*	테이프 & tr (TR)	활동적인				v50382				-	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-v50382-e3tr		0000.00.0000	500				-
SI1031X-T1-E3	-	RFQ	8733	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-75, SOT-416	SI1031	MOSFET (금속 (()		SC-75A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	155MA (TA)	1.5V, 4.5V	8ohm @ 150ma, 4.5v	1.2V @ 250µA	1.5 nc @ 4.5 v	± 6V		-	300MW (TA)
SIZ790DT-T1-GE3	-	RFQ	6718	Vishay Siliconix	Skyfet®, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-PowerPair ™	Siz790	MOSFET (금속 (()	27W, 48W	6-PowerPair ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)		30V	16a, 35a		9.3mohm @ 15a, 10V	2.2V @ 250µA	24NC @ 10V		830pf @ 15V	논리 논리 게이트
SQJ570EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	5611	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ570	MOSFET (금속 (()	27W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		100V	15A (TC), 9.5A (TC)		45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V, 15NC @ 10V		650pf @ 25V, 600pf @ 25V	-
IRLZ34	-	RFQ	5910	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRLZ34	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRLZ34	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	60 v	30A (TC)	4V, 5V	50mohm @ 18a, 5V	2V @ 250µA	35 NC @ 5 v	± 10V	1600 pf @ 25 v	-	88W (TC)
SI1926DL-T1-GE3	0.4100	RFQ	112	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1926	MOSFET (금속 (()	510MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	370ma		1.4ohm @ 340ma, 10V	2.5V @ 250µA	1.4NC @ 10V		18.5pf @ 30V	논리 논리 게이트
SI2399DS-T1-BE3	0.5100	RFQ	5804	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)		742-SI2399DS-T1-BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5.1A (TA), 6A (TC)	2.5V, 10V	34mohm @ 5.1a, 10V	1.5V @ 250µA	20 nc @ 4.5 v	± 12V	835 pf @ 10 v	-	1.25W (TA), 2.5W (TC)
sira01dp-t1-ge3	1.2600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sira01	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	26A (TA), 60A (TC)	4.5V, 10V	4.9mohm @ 15a, 10V	2.2V @ 250µA	112 NC @ 10 v	+16V, -20V	3490 pf @ 15 v	-	5W (TA), 62.5W (TC)
SI7457DP-T1-GE3	-	RFQ	5811	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7457	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	100 v	28A (TC)	6V, 10V	42mohm @ 7.9a, 10V	4V @ 250µA	160 nc @ 10 v	± 20V	5230 pf @ 50 v	-	5.2W (TA), 83.3W (TC)
sqj200ep-t1_ge3	1.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ200	MOSFET (금속 (()	27W, 48W	PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	20A, 60A		8.8mohm @ 16a, 10V	2V @ 250µA	18NC @ 10V		975pf @ 10V	-
VP1008B	-	RFQ	6699	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	VP1008	MOSFET (금속 (()		To-39	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	100		p 채널	100 v	790MA (TA)	10V	5ohm @ 1a, 10V	4.5V @ 1mA		± 20V	150 pf @ 25 v	-	6.25W (TA)
irl530pbf	1.6900	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRL530	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*irl530pbf	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	15A (TC)	4V, 5V	160mohm @ 9a, 5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 v	± 10V	930 pf @ 25 v	-	88W (TC)
IRF9Z24SPBF	2.0000	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF9Z24	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		p 채널	60 v	11A (TC)	10V	280mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	570 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 60W (TC)
IRF830ALPBF	2.3800	RFQ	385	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRF830	MOSFET (금속 (()		i2pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRF830ALPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	5A (TC)	10V	1.4ohm @ 3a, 10V	4.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 30V	620 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 74W (TC)
sqj848ep-t1_ge3	1.6600	RFQ	3110	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ848	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	47A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 10.3a, 10V	2.5V @ 250µA	23 nc @ 10 v	± 20V	2500 pf @ 20 v	-	68W (TC)
SIS415DNT-T1-GE3	0.7500	RFQ	9694	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS415	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	35A (TC)	2.5V, 10V	4MOHM @ 20A, 10V	1.5V @ 250µA	180 NC @ 10 v	± 12V	5460 pf @ 10 v	-	3.7W (TA), 52W (TC)
IRF540SPBF	2.3500	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF540	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRF540SPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	28A (TC)	10V	77mohm @ 17a, 10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 v	± 20V	1700 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 150W (TC)
SI4850EY-T1	-	RFQ	5176	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4850	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	6A (TA)	4.5V, 10V	22mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	27 NC @ 10 v	± 20V		-	1.7W (TA)
irl640	-	RFQ	2666	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	irl640	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	200 v	17A (TC)	4V, 5V	180mohm @ 10a, 5V	2V @ 250µA	66 NC @ 5 v	± 10V	1800 pf @ 25 v	-	125W (TC)
SIHFBF30S-GE3	1.8700	RFQ	933	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드		1 (무제한)		742-SIHFB30S-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	900 v	3.6A (TC)	10V	3.7ohm @ 2.2a, 100v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 25 v	-	125W (TC)
sir462dp-t1-ge3	1.1800	RFQ	2837	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir462	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	30A (TC)	4.5V, 10V	7.9mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1155 pf @ 15 v	-	4.8W (TA), 41.7W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²