SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRL3302L Vishay Siliconix irl3302L -
RFQ
ECAD 3766 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA irl3302 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3302L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 39A (TC) 4.5V, 7V 20mohm @ 23a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 31 NC @ 4.5 v ± 10V 1300 pf @ 15 v - 57W (TC)
IRFL014TRPBF Vishay Siliconix irfl014trpbf 0.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 2.7A (TC) 10V 200mohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SIHW61N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHW61N65EF-GE3 9.2873
RFQ
ECAD 9228 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHW61 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 480 n 채널 650 v 64A (TC) 10V 47mohm @ 30.5a, 10V 4V @ 250µA 371 NC @ 10 v ± 30V 7407 pf @ 100 v - 520W (TC)
IRLR014TR Vishay Siliconix irlr014tr -
RFQ
ECAD 1152 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI4324DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4324DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5835 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4324 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 36A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 3510 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI7403BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7403BDN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1342 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7403 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 2.5V, 4.5V 74mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 15 nc @ 8 v ± 8V 430 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 9.6W (TC)
SI7384DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7384DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3167 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7384 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
SI4480DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4480DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5504 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4480 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 6A (TA) 6V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA (Min) 50 nc @ 10 v ± 20V - 2.5W (TA)
IRFPC40PBF Vishay Siliconix IRFPC40PBF 3.6800
RFQ
ECAD 493 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC40 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFPC40PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 6.8A (TC) 10V 1.2ohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRFI9530GPBF Vishay Siliconix IRFI9530GPBF 2.3000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9530 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI9530GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 300mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 42W (TC)
IRFR214TRLPBF Vishay Siliconix irfr214trlpbf 0.6159
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI3447BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3447BDV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5935 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3447 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 40mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.1W (TA)
SQJA00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja00ep-t1_ge3 0.9800
RFQ
ECAD 2003 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA00 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 13mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 48W (TC)
IRFPC48 Vishay Siliconix IRFPC48 -
RFQ
ECAD 6967 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC48 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 8.9A (TC) 10V 820mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 170W (TC)
SI4778DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4778DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8387 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4778 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 8A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 7a, 10V 2.2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 16V 680 pf @ 13 v - 2.4W (TA), 5W (TC)
IRFR120 Vishay Siliconix IRFR120 -
RFQ
ECAD 8110 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7858ADP-T1-E3 2.7500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7858 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 20A (TA) 2.5V, 4.5V 2.6mohm @ 29a, 4.5v 1.5V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 8V 5700 pf @ 6 v - 1.9W (TA)
SIA462DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA462DJ-T1-GE3 0.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA462 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 9a, 10V 2.4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 570 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
IRFR210TRPBF Vishay Siliconix irfr210trpbf 1.1700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR210 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 2.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF9510S Vishay Siliconix IRF9510S -
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9510 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9510S 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRFIBC20GPBF Vishay Siliconix irfibc20gpbf 2.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibc20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfibc20gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 1.7A (TC) 10V 4.4ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 30W (TC)
SI7850DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7850DP-T1-E3 2.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7850 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6.2A (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 10.3a, 10V 3V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V - 1.8W (TA)
SIHF22N60S-E3 Vishay Siliconix SIHF22N60S-E3 -
RFQ
ECAD 2615 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF22 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 22A (TC) 190mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v 2810 pf @ 25 v - 250W (TC)
SI5486DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5486DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5361 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5486 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 12A (TC) 1.8V, 4.5V 15mohm @ 7.7a, 4.5v 1V @ 250µA 54 NC @ 8 v ± 8V 2100 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
SI6459BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6459BDQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9009 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6459 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.2A (TA) 4.5V, 10V 115mohm @ 2.7a, 10V 3V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V - 1W (TA)
2N6661 Vishay Siliconix 2N6661 -
RFQ
ECAD 9123 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6661 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 90 v 860MA (TC) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SI7415DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7415DN-T1-GE3 1.6000
RFQ
ECAD 4985 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7415 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 5.7a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
IRLR110TRPBF Vishay Siliconix irlr110trpbf 0.9300
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 2.6a, 5v 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI1037X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1037X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8544 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1037 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 770MA (TA) 1.8V, 4.5V 195mohm @ 770ma, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 5.5 NC @ 4.5 v ± 8V - 170MW (TA)
SUD19N20-90-BE3 Vishay Siliconix SUD19N20-90-BE3 3.0700
RFQ
ECAD 4940 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD19 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 742-SUD19N20-90-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 19A (TC) 6V, 10V 90mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 3W (TA), 136W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고