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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI2343DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2343DS-T1-BE3 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 3.1A (TA) 4.5V, 10V 53mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 540 pf @ 15 v - 750MW (TA)
IRFZ34PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFZ34PBF-BE3 1.8800
RFQ
 ECAD 904 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ34 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRFZ34PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 30A (TC) 50mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 88W (TC)
SI3458BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3458BDV-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3458 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4.1A (TC) 4.5V, 10V 100mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 30 v - 2W (TA), 3.3W (TC)
IRFU9024PBF Vishay Siliconix IRFU9024PBF 1.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9024 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFU9024PBF 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 8.8A (TC) 10V 280mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIS128LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS128LDN-T1-GE3 0.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS128 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 10.2A (TA), 33.7A (TC) 4.5V, 10V 15.6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 40 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
SIHA20N50E-GE3 Vishay Siliconix siha20n50e-ge3 2.9600
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-siha20n50e-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 19A (TC) 10V 184mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 34W (TC)
IRL530STRR Vishay Siliconix irl530strr -
RFQ
 ECAD 5589 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 15A (TC) 4V, 5V 160mohm @ 9a, 5V 2V @ 250µA 28 NC @ 5 v ± 10V 930 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SI4368DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4368DY-T1-GE3 1.6199
RFQ
 ECAD 9784 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4368 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TA) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 25a, 10V 1.8V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 12V 8340 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
SI5905BDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5905BDC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6081 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5905 MOSFET (금속 (() 3.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 8V 4a 80mohm @ 3.3a, 4.5v 1V @ 250µA 11nc @ 8v 350pf @ 4v 논리 논리 게이트
SQ3481EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3481EV-T1_BE3 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3481 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-sq3481ev-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 7.5A (TC) 4.5V, 10V 43mohm @ 5.3a, 10V 2.5V @ 250µA 23.5 nc @ 10 v ± 20V 870 pf @ 15 v - 4W (TC)
SIHA6N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha6n80ae-ge3 1.6400
RFQ
 ECAD 849 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA6 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 5A (TC) 10V 950mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 22.5 nc @ 10 v ± 30V 422 pf @ 100 v - 30W (TC)
SI8819EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8819EDB-T2-E1 0.4300
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA SI8819 MOSFET (금속 (() 4 (® ® (0.8x0.8) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 2.9A (TA) 1.5V, 3.7V 80mohm @ 1.5a, 3.7v 900MV @ 250µA 17 nc @ 8 v ± 8V 650 pf @ 6 v - 900MW (TA)
SIHF540S-GE3 Vishay Siliconix SIHF540S-GE3 0.7655
RFQ
 ECAD 4299 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 28A (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SI2392ADS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2392ADS-T1-BE3 0.5400
RFQ
 ECAD 2716 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2392ADS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.2A (TA), 3.1A (TC) 4.5V, 10V 126MOHM @ 2A, 10V 3V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 196 pf @ 50 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SIHB21N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB21N60EF-GE3 4.1800
RFQ
 ECAD 346 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB21 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 176mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 30V 2030 pf @ 100 v - 227W (TC)
IRFBC20S Vishay Siliconix IRFBC20 -
RFQ
 ECAD 3243 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBC20 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 2.2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SI4483EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4483edy-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4074 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4483 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 14a, 10V 3V @ 250µA ± 25V - 1.5W (TA)
SIHG25N60EFL-GE3 Vishay Siliconix SIHG25N60EFL-GE3 5.1900
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG25 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 146mohm @ 12.5a, 10V 5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 30V 2274 pf @ 100 v - 250W (TC)
SQS944ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS944ENW-T1_GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 1520 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8W 듀얼 SQS944 MOSFET (금속 (() 27.8W (TC) PowerPak® 1212-8W 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6A (TC) 25mohm @ 1.25a, ​​10V 2.5V @ 250µA 10nc @ 10v 615pf @ 25v -
SQJA70EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja70ep-t1_be3 0.7500
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja70ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 14.7A (TC) 10V 95mohm @ 4a, 10V 3.5V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 27W (TC)
SI2307BDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2307BDS-T1-E3 0.6400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2307 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 78mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 380 pf @ 15 v - 750MW (TA)
2N4857JAN02 Vishay Siliconix 2N4857JAN02 -
RFQ
 ECAD 6781 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4857 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SI3483CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3483CDV-T1-BE3 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.1A (TA), 8A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 6.1a, 10V 3V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 15 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SIA777EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA777EDJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA777 MOSFET (금속 (() 5W, 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V, 12V 1.5A, 4.5A 225mohm @ 1.6a, 4.5v 1V @ 250µA 2.2NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SIJA72ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sija72adp-t1-ge3 0.9800
RFQ
 ECAD 9754 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sija72 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 27.9A (TA), 96A (TC) 4.5V, 10V 3.42mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 50 nc @ 10 v +20V, -16V 2530 pf @ 20 v - 4.8W (TA), 56.8W (TC)
SI7366DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7366DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9746 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7366 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 13A (TA) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.7W (TA)
SQ1902AEL-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1902ael-t1_ge3 -
RFQ
 ECAD 6841 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SQ1902 MOSFET (금속 (() 430MW PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 780MA (TC) 415mohm @ 660ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.2NC @ 4.5V 75pf @ 10V -
SIR432DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir432DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7648 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir432 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 28.4A (TC) 7.5V, 10V 30.6MOHM @ 8.6A, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1170 pf @ 50 v - 5W (TA), 54W (TC)
SI2305CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2305CDS-T1-BE3 0.4300
RFQ
 ECAD 1501 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2305CDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 8 v 4.4A (TA), 5.8A (TC) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 4.4a, 4.5v 1V @ 250µA 30 nc @ 8 v ± 8V 960 pf @ 4 v - 960MW (TA), 1.7W (TC)
SI7540DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7540DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9589 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7540 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 12V 7.6a, 5.7a 17mohm @ 11.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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