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불연속 불연속 제품 (5717)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | sqj409ep-t1_ge3 | 1.4900 |  | 1197 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ409 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 11000 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||
 | SIHA100N60E-GE3 | 5.0300 | | 926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHA100 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 30A (TC) | 10V | 100mohm @ 13a, 10V | 5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 1851 PF @ 100 v | - | 35W (TC) | |||||
 | SI1037X-T1-GE3 | - | | 8544 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1037 | MOSFET (금속 (() | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 770MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 195mohm @ 770ma, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 5.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 170MW (TA) | |||||
 | SQM50P03-07_GE3 | 2.6100 | | 3270 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM50 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 5380 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||
 | IRFI9530GPBF | 2.3000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI9530 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFI9530GPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 10V | 300mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||
 | SUD19N20-90-T4-E3 | 1.4033 | | 4908 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD19 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 19A (TC) | 6V, 10V | 90mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
| sqj158ep-t1_ge3 | 0.7300 | | 4045 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ158 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 23A (TC) | 4.5V, 10V | 33mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||
 | irfr9014ntrr | - | | 5789 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 5.1A (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SIDR170DP-T1-RE3 | 2.5800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SIDR170 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIDR170DP-T1-RE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 23.2A (TA), 95A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 6195 pf @ 50 v | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI6928DQ-T1-GE3 | - | | 7157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6928 | MOSFET (금속 (() | 1W | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 4a | 35mohm @ 4a, 10V | 1V @ 250µA | 14NC @ 5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SI7720DN-T1-GE3 | 0.9072 | | 7889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7720 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1790 pf @ 15 v | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SIHG35N60EF-GE3 | 6.8300 | | 7934 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG35 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 32A (TC) | 10V | 97mohm @ 17a, 10V | 4V @ 250µA | 134 NC @ 10 v | ± 30V | 2568 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||
 | SI4465ADY-T1-E3 | 1.9500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4465 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 8 v | 13.7A (TA), 20A (TC) | 1.8V, 4.5V | 9mohm @ 14a, 4.5v | 1V @ 250µA | 85 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 3W (TA), 6.5W (TC) | ||||||
 | IRF9540 | - | | 6306 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9540 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF9540 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||
 | IRFZ24S | - | | 2518 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ24 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFZ24S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 17A (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||
 | SQR40020ER_GE3 | 1.8400 | | 6771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-4, DPAK (3 리드 + 탭) | SQR40020 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) 리버스 리드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 2.33MOHM @ 20A, 10V | 3.5V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 8000 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||||
 | SIHH14N65E-T1-GE3 | 5.2700 | | 3557 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | SIHH14 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 15A (TC) | 10V | 260mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 30V | 1712 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | |||||
 | SI7149ADP-T1-GE3 | 0.9100 | | 47 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7149 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.2mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 135 NC @ 10 v | ± 25V | 5125 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
| IRFZ44RSTRR | - | | 7617 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ44 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||
| IRF3314STRL | - | | 2715 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | - | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF3314 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | - | 10V | - | - | ± 20V | - | - | ||||||
 | SI3446ADV-T1-GE3 | - | | 4627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3446 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6A (TC) | 2.5V, 4.5V | 37mohm @ 5.8a, 4.5v | 1.8V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 12V | 640 pf @ 10 v | - | 2W (TA), 3.2W (TC) | ||||
| IRF620 | - | | 7136 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF620 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||
| sir610dp-t1-RE3 | 1.8800 | | 4446 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir610 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 35.4A (TC) | 7.5V, 10V | 31.9mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1380 pf @ 100 v | - | 104W (TC) | |||||
 | SI8441DB-T2-E1 | - | | 6868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-UFBGA | SI8441 | MOSFET (금속 (() | 6 (™ ™ (1.5x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 10.5A (TC) | 1.2V, 4.5V | 80mohm @ 1a, 4.5v | 700MV @ 250µA | 13 nc @ 5 v | ± 5V | 600 pf @ 10 v | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SQ2308CES-T1_GE3 | 0.6700 | | 44 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2308 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2.3A (TC) | 4.5V, 10V | 150mohm @ 2.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 5.3 NC @ 10 v | ± 20V | 205 pf @ 30 v | - | 2W (TC) | |||||
 | IRFU220PBF | 1.5200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU220 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFU220PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 200 v | 4.8A (TC) | 10V | 800mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | irf620strlpbf | 2.0400 | | 960 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF620 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 50W (TC) | |||||
| SI6943BDQ-T1-GE3 | - | | 7033 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6943 | MOSFET (금속 (() | 800MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 2.3a | 80mohm @ 2.5a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| SIS456DN-T1-GE3 | - | | 6152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS456 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 15 v | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
| SI4401DY-T1-E3 | - | | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4401 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 8.7A (TA) | 4.5V, 10V | 15.5mohm @ 10.5a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 50 nc @ 5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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