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| SIHG039N60E-GE3 | 11.1400 | | 392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG039 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 63A (TC) | 10V | 39mohm @ 32a, 10V | 5V @ 250µA | 126 NC @ 10 v | ± 30V | 4369 pf @ 100 v | - | 357W (TC) | ||||||||
 | SI6433BDQ-T1-GE3 | - | | 7852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6433 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 4.8A, 4.5V 40mohm | 1.5V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.05W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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