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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5906DU-T1-GE3 | - |  | 9745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 | SI5906 | MOSFET (금속 (() | 10.4W | PowerPak® Chipfet Dual | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6A | 31mohm @ 4.8a, 10V | 2.2V @ 250µA | 8.6NC @ 10V | 300pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||
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| SI2318DS-T1-GE3 | 0.5300 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2318 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 3A (TA) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 3.9a, 10V | 3V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 540 pf @ 20 v | - | 750MW (TA) | ||||
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| SI7456DP-T1-GE3 | 2.1000 | | 942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7456 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 5.7A (TA) | 6V, 10V | 25mohm @ 9.3a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
| SI3442CDV-T1-GE3 | - | | 6589 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3442 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 8A (TC) | 2.5V, 10V | 27mohm @ 6.5a, 10V | 1.5V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 12V | 335 pf @ 10 v | - | 1.7W (TA), 2.7W (TC) | |||||
| SIHW73N60E-GE3 | 6.6456 | | 1202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHW73 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 480 | n 채널 | 600 v | 73A (TC) | 10V | 39mohm @ 36a, 10V | 4V @ 250µA | 362 NC @ 10 v | ± 20V | 7700 pf @ 100 v | - | 520W (TC) | |||||
 | sir624dp-t1-ge3 | 1.2000 | | 5356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir624 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 18.6A (TC) | 7.5V, 10V | 60mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 23 NC @ 7.5 v | ± 20V | 1110 pf @ 100 v | - | 52W (TC) | |||||
 | SI1032X-T1-E3 | - | | 5713 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | SI1032 | MOSFET (금속 (() | SC-89-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 200MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 5ohm @ 200ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 0.75 nc @ 4.5 v | ± 6V | - | 300MW (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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