SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2315BDS-T1-E3 0.5400
RFQ
ECAD 174 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2315 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 3A (TA) 1.8V, 4.5V 50mohm @ 3.85a, 4.5v 900MV @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 8V 715 pf @ 6 v - 750MW (TA)
SIB412DK-T1-E3 Vishay Siliconix SIB412DK-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7233 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB412 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 34mohm @ 6.6a, 4.5v 1V @ 250µA 10.16 NC @ 5 v ± 8V 535 pf @ 10 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SI1553CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1553CDL-T1-BE3 0.4900
RFQ
ECAD 1538 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1553 MOSFET (금속 (() 290MW (TA), 340MW (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1553CDL-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 700ma (TA), 700ma (TC), 400MA (TA), 500MA (TC) 390mohm @ 700ma, 4.5v, 850mohm @ 400ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.8NC @ 10V, 3NC @ 10V 38pf @ 10v, 43pf @ 10v -
SI7447ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7447ADP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9665 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7447 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 35A (TC) 10V 6.5mohm @ 24a, 10V 3V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 25V 4650 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83.3W (TC)
IRFIBF30G Vishay Siliconix irfibf30g -
RFQ
ECAD 4558 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibf30 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfibf30g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 1.9A (TC) 10V 3.7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 35W (TC)
IRFBG20PBF Vishay Siliconix IRFBG20PBF 1.8300
RFQ
ECAD 3338 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBG20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBG20PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 1.4A (TC) 10V 11ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 54W (TC)
SIAA00DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIAA00DJ-T1-GE3 0.6800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIAA00 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 20.1A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v +16V, -12V 1090 pf @ 12.5 v - 3.5W (TA), 19.2W (TC)
SI5903DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5903DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8859 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5903 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.1a 155mohm @ 2.1a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 6NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI5482DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5482DU-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1276 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5482 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 7.4a, 10V 2V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 12V 1610 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
SI3458BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3458BDV-T1-E3 0.9100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3458 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4.1A (TC) 4.5V, 10V 100mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 30 v - 2W (TA), 3.3W (TC)
SIHP8N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHP8N50D-GE3 1.4000
RFQ
ECAD 280 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP8 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8.7A (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 527 pf @ 100 v - 156W (TC)
V50383-E3 Vishay Siliconix V50383-E3 -
RFQ
ECAD 8432 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v50383 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-v50383-e3tr 쓸모없는 500 -
SIHB22N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60E-GE3 4.1200
RFQ
ECAD 1632 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB22 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHB22N60EGE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 227W (TC)
SIHP6N40D-GE3 Vishay Siliconix SIHP6N40D-GE3 1.1400
RFQ
ECAD 63 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 311 PF @ 100 v - 104W (TC)
IRFZ48SPBF Vishay Siliconix IRFZ48SPBF 4.4200
RFQ
ECAD 104 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ48 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 18mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 190W (TC)
SQR40020ER_GE3 Vishay Siliconix SQR40020ER_GE3 1.8400
RFQ
ECAD 6771 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-4, DPAK (3 리드 + 탭) SQR40020 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 리버스 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.33MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 8000 pf @ 25 v - 107W (TC)
SIHG73N60AE-GE3 Vishay Siliconix SIHG73N60AE-GE3 11.4800
RFQ
ECAD 74 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG73 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 60A (TC) 10V 40mohm @ 36.5a, 10V 4V @ 250µA 394 NC @ 10 v ± 30V 5500 pf @ 100 v - 417W (TC)
SIR422DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir422dp-t1-ge3 1.1800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir422 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 6.6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1785 pf @ 20 v - 5W (TA), 34.7W (TC)
SIA911DJ-T1-E3 Vishay Siliconix SIA911DJ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2606 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA911 MOSFET (금속 (() 6.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A 94mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 12.8nc @ 8v 355pf @ 10V -
SI4534DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4534DY-T1-GE3 1.4100
RFQ
ECAD 3233 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4534 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 3.6W (TC) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SI4534DY-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 60V 6.2A (TA), 8A (TC), 3A (TA), 4.1A (TC) 29mohm @ 5a, 10v, 120mohm @ 3.1a, 10v 3V @ 250µA 11nc @ 10V, 22NC @ 10V 420pf @ 30v, 650pf @ 30v -
SI5445BDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5445BDC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7597 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5445 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 5.2A (TA) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
SI2319DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2319DS-T1-GE3 0.7500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2319 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 40 v 2.3A (TA) 10V 82mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 470 pf @ 20 v - 750MW (TA)
IRFR014PBF Vishay Siliconix IRFR014PBF 1.4600
RFQ
ECAD 8836 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SUD15N15-95-E3 Vishay Siliconix SUD15N15-95-E3 2.2000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD15 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 150 v 15A (TC) 6V, 10V 95mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA (Min) 25 nc @ 10 v ± 20V 900 pf @ 25 v - 2.7W (TA), 62W (TC)
SI1499DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1499DH-T1-E3 0.6700
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1499 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 1.6A (TC) 1.2V, 4.5V 78mohm @ 2a, 4.5v 800MV @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 5V 650 pf @ 4 v - 2.5W (TA), 2.78W (TC)
SIHP11N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHP11N80AE-GE3 2.0300
RFQ
ECAD 818 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP11 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 450mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 804 pf @ 100 v - 78W (TC)
SI3465DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3465DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4278 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3465 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 5.5 nc @ 5 v ± 20V - 1.14W (TA)
SQJ500AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ500AEP-T1_BE3 1.6100
RFQ
ECAD 5764 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ500 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 - 1 (무제한) 742-sqj500aep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 40V 30A (TC) 9.2mohm @ 9.8a, 10v, 27mohm @ 6a, 10v 2.3V @ 250µA, 2.5V @ 250µA 38.3NC @ 10V, 45NC @ 10V 1843pf @ 20V, 1628pf @ 20V -
SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz710DT-T1-GE3 1.4900
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-PowerPair ™ Siz710 MOSFET (금속 (() 27W, 48W 6-PowerPair ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 20V 16a, 35a 6.8mohm @ 19a, 10V 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V 820pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI7402DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7402DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7384 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7402 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 13A (TA) 1.8V, 4.5V 5.7mohm @ 20a, 4.5v 850MV @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고