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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI6943BDQ-T1-GE3	-	RFQ	7033	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6943	MOSFET (금속 (()	800MW	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		12V	2.3a		80mohm @ 2.5a, 4.5v	800MV @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SIS456DN-T1-GE3	-	RFQ	6152	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS456	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	5.1MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	55 NC @ 10 v	± 20V	1800 pf @ 15 v	-	3.8W (TA), 52W (TC)
SI4401DY-T1-E3	-	RFQ	1280	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4401	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	40 v	8.7A (TA)	4.5V, 10V	15.5mohm @ 10.5a, 10V	1V @ 250µA (Min)	50 nc @ 5 v	± 20V		-	1.5W (TA)
SQ4184EY-T1_GE3	1.6500	RFQ	2	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4184	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	29A (TC)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 14a, 10V	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	5400 pf @ 20 v	-	7.1W (TC)
SI3493DDV-T1-GE3	0.3900	RFQ	22	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3493	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	8A (TC)	1.8V, 4.5V	24mohm @ 7.5a, 4.5v	1V @ 250µA	30 nc @ 4.5 v	± 8V	1825 pf @ 10 v	-	3.6W (TC)
SIDR626DP-T1-RE3	2.9100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8DC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	42.8A (TA), 100A (TC)	6V, 10V	1.7mohm @ 20a, 10V	3.4V @ 250µA	102 NC @ 10 v	± 20V	5130 pf @ 30 v	-	6.25W (TA), 125W (TC)
SI4500BDY-T1-GE3	-	RFQ	7817	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4500	MOSFET (금속 (()	1.3W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	n 공통 p 채널, 공통 배수		20V	6.6a, 3.8a		20mohm @ 9.1a, 4.5v	1.5V @ 250µA	17NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SQ3419EV-T1-GE3	-	RFQ	1109	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SQ3419	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	40 v	7.4A (TC)	4.5V, 10V	50mohm @ 2.5a, 10V	2.5V @ 250µA	15 nc @ 4.5 v	± 12V	1065 pf @ 20 v	-	5W (TC)
SI7540DP-T1-E3	-	RFQ	9589	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7540	MOSFET (금속 (()	1.4W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		12V	7.6a, 5.7a		17mohm @ 11.8a, 4.5v	1.5V @ 250µA	17NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI7454DP-T1-E3	2.0000	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7454	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	5A (TA)	6V, 10V	34mohm @ 7.8a, 10V	4V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V		-	1.9W (TA)
SIA445EDJ-T1-GE3	0.6400	RFQ	285	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA445	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	12A (TC)	2.5V, 4.5V	16.5mohm @ 7a, 4.5v	1.2V @ 250µA	72 NC @ 10 v	± 12V	2130 pf @ 10 v	-	3.5W (TA), 19W (TC)
SUD50N03-09P-GE3	-	RFQ	9942	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD50	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	30 v	63A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	16 nc @ 4.5 v	± 20V	2200 pf @ 25 v	-	7.5W (TA), 65.2W (TC)
SQ2315ES-T1_BE3	0.6000	RFQ	9	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2315	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	-		1 (무제한)		742-SQ2315ES-T1_BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	5A (TC)	1.8V, 4.5V	50mohm @ 3.5a, 4.5v	1V @ 250µA	13 nc @ 4.5 v	± 8V	870 pf @ 6 v	-	2W (TC)
SI1013X-T1-GE3	0.4400	RFQ	8244	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-89, SOT-490	SI1013	MOSFET (금속 (()		SC-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	350MA (TA)	1.8V, 4.5V	1.2ohm @ 350ma, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	1.5 nc @ 4.5 v	± 6V		-	250MW (TA)
IRFC430	-	RFQ	8663	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-	-	-	IRFC430	-		-	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1		-		-	-	-	-		-		-	-
SI3460DV-T1-E3	-	RFQ	7192	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3460	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	5.1A (TA)	1.8V, 4.5V	27mohm @ 5.1a, 4.5v	450mv @ 1ma (min)	20 nc @ 4.5 v	± 8V		-	1.1W (TA)
SI4330DY-T1-GE3	-	RFQ	6712	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4330	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		30V	6.6a		16.5mohm @ 8.7a, 10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SQ4470EY-T1_GE3	1.6600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4470	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	16A (TC)	6V, 10V	12MOHM @ 6A, 10V	3.5V @ 250µA	68 NC @ 10 v	± 20V	3165 pf @ 25 v	-	7.1W (TC)
SIHU4N80E-GE3	0.8984	RFQ	9508	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB	sihu4	MOSFET (금속 (()		IPAK (TO-251)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	800 v	4.3A (TC)	10V	1.27ohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 v	± 30V	622 pf @ 100 v	-	69W (TC)
SI1050X-T1-GE3	0.5100	RFQ	60	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1050	MOSFET (금속 (()		SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	8 v	1.34A (TA)	1.5V, 4.5V	86mohm @ 1.34a, 4.5v	900MV @ 250µA	11.6 NC @ 5 v	± 5V	585 pf @ 4 v	-	236MW (TA)
IRF9510L	-	RFQ	9119	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRF9510	MOSFET (금속 (()		i2pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		*IRF9510L	귀 99	8541.29.0095	50		p 채널	100 v	4A (TC)	10V	1.2ohm @ 2.4a, 10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 v	± 20V	200 pf @ 25 v	-	-
siRA00DP-T1-RE3	0.7903	RFQ	2197	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sira00	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	100A (TC)	4.5V, 10V	1MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	220 NC @ 10 v	+20V, -16V	11700 pf @ 15 v	-	104W (TC)
SIHH26N60E-T1-GE3	5.6100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	SIHH26	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	25A (TC)	10V	135mohm @ 13a, 10V	4V @ 250µA	116 NC @ 10 v	± 30V	2815 pf @ 100 v	-	202W (TC)
IRF840LCSTRL	-	RFQ	5066	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF840	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	500 v	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 30V	1100 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 125W (TC)
SIA777EDJ-T1-GE3	-	RFQ	8542	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6 듀얼	SIA777	MOSFET (금속 (()	5W, 7.8W	PowerPak® SC-70-6 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		20V, 12V	1.5A, 4.5A		225mohm @ 1.6a, 4.5v	1V @ 250µA	2.2NC @ 5V		-	논리 논리 게이트
SISF00DN-T1-GE3	1.4700	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8SCD 듀얼	SISF00	MOSFET (금속 (()	69.4W (TC)	PowerPak® 1212-8SCD 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수		30V	60A (TC)		5MOHM @ 10A, 10V	2.1V @ 250µA	53NC @ 10V		2700pf @ 15V	-
irfr210trpbf	1.1700	RFQ	10	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR210	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	200 v	2.6A (TC)	10V	1.5ohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	140 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
IRF820L	-	RFQ	7274	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRF820	MOSFET (금속 (()		i2pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF820L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	2.5A (TC)	10V	3ohm @ 1.5a, 10V	4V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	360 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 50W (TC)
SIA411DJ-T1-E3	-	RFQ	8393	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA411	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	12A (TC)	1.5V, 4.5V	30mohm @ 5.9a, 4.5v	1V @ 250µA	38 NC @ 8 v	± 8V	1200 pf @ 10 v	-	3.5W (TA), 19W (TC)
IRF830ASPBF	2.2000	RFQ	776	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF830	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRF830ASPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	5A (TC)	10V	1.4ohm @ 3a, 10V	4.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 30V	620 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 74W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²