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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF9Z24SPBF Vishay Siliconix IRF9Z24SPBF 2.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9Z24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 11A (TC) 10V 280mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
IRF830ALPBF Vishay Siliconix IRF830ALPBF 2.3800
RFQ
 ECAD 385 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF830 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF830ALPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SQJ848EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj848ep-t1_ge3 1.6600
RFQ
 ECAD 3110 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ848 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 47A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10.3a, 10V 2.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 20 v - 68W (TC)
SIS415DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS415DNT-T1-GE3 0.7500
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS415 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 35A (TC) 2.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 1.5V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 12V 5460 pf @ 10 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
IRF540SPBF Vishay Siliconix IRF540SPBF 2.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF540SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SI4850EY-T1 Vishay Siliconix SI4850EY-T1 -
RFQ
 ECAD 5176 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4850 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6A (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V - 1.7W (TA)
IRL640 Vishay Siliconix irl640 -
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 irl640 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIHFBF30S-GE3 Vishay Siliconix SIHFBF30S-GE3 1.8700
RFQ
 ECAD 933 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHFB30S-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 3.7ohm @ 2.2a, 100v 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIR462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir462dp-t1-ge3 1.1800
RFQ
 ECAD 2837 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir462 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1155 pf @ 15 v - 4.8W (TA), 41.7W (TC)
SQJ142EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ142EP-T1_GE3 1.1200
RFQ
 ECAD 3403 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ142 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj142ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 167A (TC) 10V 3.6mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2650 pf @ 25 v - 191W (TC)
SISHA14DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISHA14DN-T1-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH Sisha14 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 19.7A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 5.1MOHM @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 29 NC @ 10 v +20V, -16V 1450 pf @ 15 v - 3.57W (TA), 26.5W (TC)
SI4845DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4845DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2208 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4845 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 2.7A (TC) 2.5V, 4.5V 2A @ 2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 4.5 nc @ 4.5 v ± 12V 312 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.75W (TA), 2.75W (TC)
SI1056X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1056X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6579 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1056 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.32A (TA) 1.8V, 4.5V 89mohm @ 1.32a, 4.5v 950MV @ 250µA 8.7 NC @ 5 v ± 8V 400 pf @ 10 v - 236MW (TA)
SIHG22N60S-E3 Vishay Siliconix SIHG22N60S-E3 -
RFQ
 ECAD 9881 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG22 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 22A (TC) 190mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v 5620 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRFR9120 Vishay Siliconix IRFR9120 -
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR9120 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI7686DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7686DP-T1-GE3 1.5800
RFQ
 ECAD 567 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7686 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.8a, 10V 3V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1220 pf @ 15 v - 5W (TA), 37.9W (TC)
SI5499DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5499DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5499 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 6A (TC) 1.5V, 4.5V 36mohm @ 5.1a, 4.5v 800MV @ 250µA 35 NC @ 8 v ± 5V 1290 pf @ 4 v - 2.5W (TA), 6.2W (TC)
SUD50P04-15-E3 Vishay Siliconix SUD50P04-15-E3 -
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 30a, 10V 1V @ 250µA (Min) 130 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 3W (TA), 100W (TC)
SI7116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7116DN-T1-GE3 2.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7116 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 10.5A (TA) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SUD45P04-16P-GE3 Vishay Siliconix SUD45P04-16P-GE3 -
RFQ
 ECAD 2221 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD45 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 36A (TC) 4.5V, 10V 16.2mohm @ 14a, 20V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 2765 pf @ 20 v - 2.1W (TA), 41.7W (TC)
SUM27N20-78-E3 Vishay Siliconix SUM27N20-78-E3 -
RFQ
 ECAD 4642 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum27 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 27A (TC) 6V, 10V 78mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 150W (TC)
SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2316BDS-T1-GE3 0.5900
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2316 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250µA 9.6 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 1.66W (TC)
SI4909DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4909DY-T1-GE3 1.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4909 MOSFET (금속 (() 3.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 40V 8a 27mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 63NC @ 10V 2000pf @ 20V 논리 논리 게이트
SIR624DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir624dp-t1-Re3 1.2000
RFQ
 ECAD 2242 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir624 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 5.7A (TA), 18.6A (TC) 7.5V, 10V 60mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1110 pf @ 100 v - 5W (TA), 52W (TC)
IRF820ASTRR Vishay Siliconix IRF820AST -
RFQ
 ECAD 6816 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF820 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 50W (TC)
SI2301CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-BE3 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.3A (TA), 3.1A (TC) 2.5V, 4.5V 112mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 405 pf @ 10 v - 860MW (TA), 1.6W (TC)
SQS484EN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS484EN-T1_GE3 1.0100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS484 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 16A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1855 pf @ 25 v - 62W (TC)
SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ2361EES-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2361 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.5A (TC) 4.5V, 10V 150mohm @ 2.4a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 545 pf @ 30 v - 2W (TC)
SI4621DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4621DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4621 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 6.2A (TC) 4.5V, 10V 54mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA), 3.1W (TC)
IRLI540G Vishay Siliconix IRLI540G -
RFQ
 ECAD 8299 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irli540 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRLI540G 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 17A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 48W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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