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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIAA00DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIAA00DJ-T1-GE3 0.6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIAA00 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 20.1A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v +16V, -12V 1090 pf @ 12.5 v - 3.5W (TA), 19.2W (TC)
SI4914BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6992 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4914 MOSFET (금속 (() 2.7W, 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 8.4a, 8a 21mohm @ 8a, 10V 2.7V @ 250µA 10.5nc @ 4.5v - -
IRF530SPBF Vishay Siliconix IRF530SPBF 1.7300
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SIA906EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA906EDJ-T1-GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA906 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.5A 46mohm @ 3.9a, 4.5v 1.4V @ 250µA 12NC @ 10V 350pf @ 10V 논리 논리 게이트
SIHH155N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHH155N60EF-T1GE3 5.4300
RFQ
 ECAD 3136 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH155 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 155mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1465 pf @ 100 v - 156W (TC)
SQ7415AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ7415AEN-T1_GE3 -
RFQ
 ECAD 7233 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQ7415 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 16A (TC) 4.5V, 10V 65mohm @ 5.7a, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1385 pf @ 25 v - 53W (TC)
SI6463BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6463BDQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1663 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6463 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6.2A (TA) 15mohm @ 7.4a, 4.5v 800MV @ 250µA 60 nc @ 5 v -
IRFI710G Vishay Siliconix irfi710g -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI710 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) *irfi710g 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 1.6A (TA) - 4V @ 250µA - -
SIR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir608dp-t1-Re3 1.6400
RFQ
 ECAD 6679 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir608 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 51A (TA), 208A (TC) 4.5V, 10V 1.2MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 167 NC @ 10 v +20V, -16V 8900 pf @ 20 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SIHP35N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP35N60E-GE3 3.1987
RFQ
 ECAD 8954 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP35 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 32A (TC) 10V 94mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 132 NC @ 10 v ± 30V 2760 pf @ 100 v - 250W (TC)
IRFBE20STRR Vishay Siliconix irfbe20strr -
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBE20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 800 v 1.8A (TC) 10V 6.5ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - -
SI3456CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3456CDV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6050 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3456 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.7A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 6.1a, 10V 3V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 460 pf @ 15 v - 2W (TA), 3.3W (TC)
IRFP350LCPBF Vishay Siliconix IRFP350LCPBF 6.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP350 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP350LCPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 400 v 16A (TC) 10V 300mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 30V 2200 pf @ 25 v - 190W (TC)
SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7461DP-T1-GE3 2.4000
RFQ
 ECAD 6795 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7461 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 8.6A (TA) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 14.4a, 10V 3V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ2361EES-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2361 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.5A (TC) 4.5V, 10V 150mohm @ 2.4a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 545 pf @ 30 v - 2W (TC)
SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2307CDS-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2307 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.5A (TC) 4.5V, 10V 88mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 v ± 20V 340 pf @ 15 v - 1.1W (TA), 1.8W (TC)
SI7668ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7668ADP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7275 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7668 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 25A, 10V 1.8V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 12V 8820 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SIR472DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir472DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir472 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 13.8A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 820 pf @ 15 v - 3.9W (TA), 29.8W (TC)
SIHP6N40D-E3 Vishay Siliconix SIHP6N40D-E3 1.6000
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP6N40DE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 311 PF @ 100 v - 104W (TC)
IRL640STRL Vishay Siliconix irl640strl -
RFQ
 ECAD 7857 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SIS448DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS448DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1078 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS448 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1575 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4491edy-T1-GE3 0.9700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4491 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 17.3A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 13a, 10V 2.8V @ 250µA 153 NC @ 10 v ± 25V 4620 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 6.9W (TC)
SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8808DB-T2-E1 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8808 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.8A (TA) 1.5V, 4.5V 95mohm @ 1a, 4.5v 900MV @ 250µA 10 nc @ 8 v ± 8V 330 pf @ 15 v - 500MW (TA)
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir882ADP-T1-GE3 2.5100
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir882 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 60A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 20a, 10V 2.8V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1975 PF @ 50 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SIHP105N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP105N60EF-GE3 2.8386
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP105 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 102mohm @ 13a, 10v 5V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1804 pf @ 100 v - 208W (TC)
IRF644S Vishay Siliconix IRF644S -
RFQ
 ECAD 2188 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF644S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SIRA88BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira88bdp-t1-ge3 0.5400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira88 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 19A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 6.83mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 19 NC @ 10 v +20V, -16V 680 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 17W (TC)
SIHFR9310TRR-GE3 Vishay Siliconix SIHFR9310TRR-GE3 0.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
SUP70042E-GE3 Vishay Siliconix SUP70042E-GE3 3.0700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SUP70042E-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 150A (TC) 7.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 6490 pf @ 50 v - 278W (TC)
SQJ409EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj409ep-t1_ge3 1.4900
RFQ
 ECAD 1197 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ409 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 25 v - 68W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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