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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
IRC640PBF	-	RFQ	9424	Vishay Siliconix	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-5	IRC640	MOSFET (금속 (()		TO-220-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRC640PBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	200 v	18A (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	현재 현재	125W (TC)
IRL540SPBF	2.7000	RFQ	215	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRL540	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRL540SPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	28A (TC)	4V, 5V	77mohm @ 17a, 5V	2V @ 250µA	64 NC @ 5 v	± 10V	2200 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 150W (TC)
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SI5486DU-T1-GE3	-	RFQ	5361	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® ChipFet ™ 싱글	SI5486	MOSFET (금속 (()		PowerPak® ChipFet ™ 싱글	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	12A (TC)	1.8V, 4.5V	15mohm @ 7.7a, 4.5v	1V @ 250µA	54 NC @ 8 v	± 8V	2100 pf @ 10 v	-	3.1W (TA), 31W (TC)
SI7425DN-T1-GE3	-	RFQ	2675	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7425	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	8.3A (TA)	1.8V, 4.5V	16mohm @ 12.6a, 4.5v	1V @ 300µA	39 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
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irfr320pbf-be3	0.8122	RFQ	2731	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR320	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드				742-irfr320pbf-be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	400 v	3.1A (TC)	10V	1.8ohm @ 1.9a, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	350 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
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SI4200DY-T1-GE3	-	RFQ	5117	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4200	MOSFET (금속 (()	2.8W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		25V	8a		25mohm @ 7.3a, 10V	2.2V @ 250µA	12NC @ 10V		415pf @ 13v	논리 논리 게이트
SI4421DY-T1-GE3	2.4800	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4421	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	10A (TA)	1.8V, 4.5V	8.75mohm @ 14a, 4.5v	800MV @ 850µA	125 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
SQJ160EP-T1_GE3	1.9300	RFQ	5784	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-sqj160ep-t1_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	362A (TC)	10V	2MOHM @ 15A, 10V	3.5V @ 250µA	119 NC @ 10 v	± 20V	6697 pf @ 25 v	-	500W (TC)
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SIA443DJ-T1-GE3	-	RFQ	7594	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA443	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	9A (TC)	1.8V, 4.5V	45mohm @ 4.7a, 4.5v	1V @ 250µA	25 nc @ 8 v	± 8V	750 pf @ 10 v	-	3.3W (TA), 15W (TC)
SI4534DY-T1-GE3	1.4100	RFQ	3233	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4534	MOSFET (금속 (()	2W (TA), 3.6W (TC)	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SI4534DY-T1-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	2,500	n 및 p 채널		60V	6.2A (TA), 8A (TC), 3A (TA), 4.1A (TC)		29mohm @ 5a, 10v, 120mohm @ 3.1a, 10v	3V @ 250µA	11nc @ 10V, 22NC @ 10V		420pf @ 30v, 650pf @ 30v	-
SIHB22N60EL-GE3	2.2344	RFQ	2818	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB22	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	21A (TC)	10V	197mohm @ 11a, 10V	5V @ 250µA	74 NC @ 10 v	± 30V	1690 pf @ 100 v	-	227W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²