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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on)
SIS890ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS890ADN-T1-GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS890 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.6A (TA), 24.7A (TC) 25.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1330 pf @ 50 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
SI4831BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4831BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7710 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4831 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 6.6A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 625 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA), 3.3W (TC)
SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4835DDY-T1-E3 1.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4835 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 13A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 1960 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.6W (TC)
SI7450DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SI7450DP-T1-RE3 1.0516
RFQ
 ECAD 3794 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 SI7450 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 3.2A (TA), 19.8A (TC)
SI4544DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4544DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1086 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4544 MOSFET (금속 (() 2.4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 공통 p 채널, 공통 배수 30V - 35mohm @ 6.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 35NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI4864DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4864DY-T1-GE3 4.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4864 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 17A (TA) 2.5V, 4.5V 3.5mohm @ 25a, 4.5v 2V @ 250µA 70 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.6W (TA)
SI1480DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1480DH-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 2193 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1480 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.6A (TC) 4.5V, 10V 200mohm @ 1.9a, 10V 3V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V 130 pf @ 50 v - 1.5W (TA), 2.8W (TC)
SIHD7N60ET4-GE3 Vishay Siliconix SIHD7N60ET4-GE3 0.8080
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
SI8466EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8466EDB-T2-E1 0.5100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP SI8466 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 3.6A (TA) 1.2V, 4.5V 43mohm @ 2a, 4.5v 700MV @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 5V 710 pf @ 4 v - 780MW (TA), 1.8W (TC)
SIR188DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir188DP-T1-RE3 1.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sir188 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 25.5A (TA), 60A (TC) 7.5V, 10V 3.85mohm @ 10a, 10V 3.6V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1920 pf @ 30 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SST174-T1-E3 Vishay Siliconix SST174-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9964 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST174 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20pf @ 0v 30 v 20 ma @ 15 v 5 v @ 10 na 85 옴
SI4816DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4816DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9991 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4816 MOSFET (금속 (() 1W, 1.25W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 5.3A, 7.7A 22mohm @ 6.3a, 10V 2V @ 250µA 12NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SI4808DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4808DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4808 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.7a 22mohm @ 7.5a, 10V 800mv @ 250µa (최소) 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIHG018N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG018N60E-GE3 17.2100
RFQ
 ECAD 288 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG018 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 99A (TC) 10V 23mohm @ 25a, 10V 5V @ 250µA 228 NC @ 10 v ± 30V 7612 pf @ 100 v - 524W (TC)
SISA24DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA24DN-T1-GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA24 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 15a, 10V 2.1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v +20V, -16V 2650 pf @ 10 v - 52W (TC)
SUP40010EL-GE3 Vishay Siliconix SUP40010EL-GE3 2.9700
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP40010 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 11155 pf @ 30 v - 375W (TC)
SI4485DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4485DY-T1-GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4485 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 6A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 5.9a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 5W (TC)
SI4829DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4829DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7105 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4829 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 2A (TC) 2.5V, 4.5V 215mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 12V 210 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA), 3.1W (TC)
SI4472DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4472DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1495 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4472 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 7.7A (TC) 8V, 10V 45mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1735 pf @ 50 v - 3.1W (TA), 5.9W (TC)
SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1427EDH-T1-GE3 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1427 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TC) 1.5V, 4.5V 64mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 21 NC @ 8 v ± 8V - 1.56W (TA), 2.8W (TC)
SI4505DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4505DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7186 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4505 MOSFET (금속 (() 1.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V, 8V 6a, 3.8a 18mohm @ 7.8a, 10V 1.8V @ 250µA 20NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SIRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRC16DP-T1-GE3 1.2600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIRC16 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 0.96mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 48 NC @ 4.5 v +20V, -16V 5150 pf @ 10 v - 54.3W (TC)
SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4435DDY-T1-GE3 0.7500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4435 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 11.4A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 9.1a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
2N4858JTVP02 Vishay Siliconix 2N4858JTVP02 -
RFQ
 ECAD 2625 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 2N4858 - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
SI4684DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4684DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8102 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4684 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 16a, 10V 1.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 12V 2080 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 4.45W (TC)
SI7308DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7308DN-T1-GE3 1.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7308 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6A (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 5.4a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 665 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1902CDL-T1-GE3 0.4500
RFQ
 ECAD 1347 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1902 MOSFET (금속 (() 420MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1.1a 235mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 3NC @ 10V 62pf @ 10V 논리 논리 게이트
SIHU3N50DA-GE3 Vishay Siliconix SIHU3N50DA-GE3 0.3532
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB sihu3 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 177 pf @ 100 v - 69W (TC)
SI4860DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4860DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6131 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4860 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 16a, 10V 1V @ 250µA (Min) 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
SI4542DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4542DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4542 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V - 25mohm @ 6.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 50NC @ 10V - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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