RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI1405BDH-T1-GE3	-	RFQ	4668	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1405	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	8 v	1.6A (TC)	1.8V, 4.5V	112mohm @ 2.8a, 4.5v	950MV @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 v	± 8V	305 pf @ 4 v	-	1.47W (TA), 2.27W (TC)
SIHG47N60E-E3	9.7500	RFQ	485	Vishay Siliconix	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	SIHG47	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		SIHG47N60EE3	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	600 v	47A (TC)	10V	64mohm @ 24a, 10V	4V @ 250µA	220 NC @ 10 v	± 30V	9620 pf @ 100 v	-	357W (TC)
SI1012CR-T1-GE3	0.4700	RFQ	58	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-75, SOT-416	SI1012	MOSFET (금속 (()		SC-75A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	630MA (TA)	1.5V, 4.5V	396mohm @ 600ma, 4.5v	1V @ 250µA	2 nc @ 8 v	± 8V	43 pf @ 10 v	-	240MW (TA)
IRF640S	-	RFQ	6507	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF640	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	200 v	18A (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 130W (TC)
SQJQ480E-T1_GE3	3.0300	RFQ	5	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 8 x 8	SQJQ480	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	80 v	150A (TC)	10V	3MOHM @ 20A, 10V	3.5V @ 250µA	144 NC @ 10 v	± 20V	8625 pf @ 25 v	-	136W (TC)
SI6967DQ-T1-GE3	-	RFQ	7554	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6967	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		8V	-		30mohm @ 5a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	40nc @ 4.5v		-	논리 논리 게이트
SI2302CDS-T1-E3	0.4100	RFQ	137	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2302	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	2.6A (TA)	2.5V, 4.5V	57mohm @ 3.6a, 4.5v	850MV @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 v	± 8V		-	710MW (TA)
IRFZ14L	-	RFQ	8748	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRFZ14	MOSFET (금속 (()		TO-262-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		*IRFZ14L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	60 v	10A (TC)	10V	200mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	300 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 43W (TC)
IRFR224	-	RFQ	1277	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR224	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFR224	귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	250 v	3.8A (TC)	10V	1.1ohm @ 2.3a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	260 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SIZF5302DT-T1-RE3	1.7500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	12-PowerPair ™	SIZF5302	MOSFET (금속 (()	3.8W (TA), 48.1W (TC)	PowerPair® 3x3fs	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIZF5302DT-T1-RE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	28.1A (TA), 100A (TC)		3.2mohm @ 10a, 10V	2V @ 250µA	22.2NC @ 10V		1030pf @ 15V	-
IRF530S	-	RFQ	4348	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF530	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF530S	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	14A (TC)	10V	160mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	670 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 88W (TC)
SI6463BDQ-T1-GE3	-	RFQ	3319	Vishay Siliconix	Trenchfet®	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6463	MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	6.2A (TA)		15mohm @ 7.4a, 4.5v	800MV @ 250µA	60 nc @ 5 v			-
Sir804DP-T1-GE3	2.8500	RFQ	6593	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir804	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	60A (TC)	4.5V, 10V	7.2MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	76 NC @ 10 v	± 20V	2450 pf @ 50 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SI7121DN-T1-GE3	1.3200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7121	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	16A (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	65 nc @ 10 v	± 25V	1960 pf @ 15 v	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SQ1470EH-T1-GE3	-	RFQ	8977	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SQ1470	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	2.8A (TC)		65mohm @ 3.8a, 4.5v	1.6V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 v		610 pf @ 25 v	-
SI2304BDS-T1-E3	0.4700	RFQ	41	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2304	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	2.6A (TA)	4.5V, 10V	70mohm @ 2.5a, 10V	3V @ 250µA	4 NC @ 5 v	± 20V	225 pf @ 15 v	-	750MW (TA)
IRFBF30STRLPBF	3.5800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFBF30	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	900 v	3.6A (TC)	10V	3.7ohm @ 2.2a, 10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 25 v	-	125W (TC)
SI7322DN-T1-E3	1.7200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7322	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	-	10V	58mohm @ 5.5a, 10V	4.4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	750 pf @ 50 v	-	3.8W (TA), 52W (TC)
VP1008B	-	RFQ	6699	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	VP1008	MOSFET (금속 (()		To-39	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	100		p 채널	100 v	790MA (TA)	10V	5ohm @ 1a, 10V	4.5V @ 1mA		± 20V	150 pf @ 25 v	-	6.25W (TA)
sup60n10-18p-e3	-	RFQ	7050	Vishay Siliconix	Trenchfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	sup60	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	100 v	60A (TC)	8V, 10V	18.3mohm @ 15a, 10V	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 20V	2600 pf @ 50 v	-	3.75W (TA), 150W (TC)
sir440dp-t1-ge3	2.0100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir440	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	60A (TC)	4.5V, 10V	1.55mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	150 nc @ 10 v	± 20V	6000 pf @ 10 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SI8824EDB-T2-E1	0.4300	RFQ	34	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-XFBGA, CSPBGA	SI8824	MOSFET (금속 (()		4 마이크로 푸드	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	2.1A (TA)	1.2V, 4.5V	75mohm @ 1a, 4.5v	800MV @ 250µA	6 NC @ 4.5 v	± 5V	400 pf @ 10 v	-	500MW (TA)
SQJ474EP-T1_BE3	0.9800	RFQ	3488	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)		742-sqj474ep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	26A (TC)	4.5V, 10V	30mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1100 pf @ 25 v	-	45W (TC)
SI1012X-T1-GE3	0.4500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-89, SOT-490	SI1012	MOSFET (금속 (()		SC-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	500MA (TA)	1.8V, 4.5V	700mohm @ 600ma, 4.5v	900MV @ 250µA	0.75 nc @ 4.5 v	± 6V		-	250MW (TA)
irf630strlpbf	1.6900	RFQ	94	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF630	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	200 v	9A (TC)	10V	400mohm @ 5.4a, 10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 v	± 20V	800 pf @ 25 v	-	3W (TA), 74W (TC)
irfr9214trpbf	1.5500	RFQ	44	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9214	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	250 v	2.7A (TC)	10V	3ohm @ 1.7a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	220 pf @ 25 v	-	50W (TC)
SQ4840EY-T1_GE3	3.3100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4840	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	20.7A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 14a, 10V	2.5V @ 250µA	62 NC @ 10 v	± 20V	2440 pf @ 20 v	-	7.1W (TC)
IRFZ14PBF-BE3	1.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFZ14	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-IRFZ14PBF-BE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	60 v	10A (TC)		200mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	300 pf @ 25 v	-	43W (TC)
IRF530STRLPBF	1.7300	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF530	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	100 v	14A (TC)	10V	160mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	670 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 88W (TC)
SI7425DN-T1-GE3	-	RFQ	2675	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7425	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	8.3A (TA)	1.8V, 4.5V	16mohm @ 12.6a, 4.5v	1V @ 300µA	39 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.5W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²