- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
불연속 불연속 제품 (5717)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHB12N60E-GE3 | 2.0800 |  | 1481 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB12 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHB12N60EGE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | ± 30V | 937 pf @ 100 v | - | 147W (TC) | ||||
 | Sir882ADP-T1-GE3 | 2.5100 | | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir882 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 20a, 10V | 2.8V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1975 PF @ 50 v | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SQJ147ELP-T1_GE3 | 0.9900 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ147 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 90A (TC) | 12.5mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 5500 pf @ 25 v | - | 183W (TC) | |||||||
 | SISA04DN-T1-GE3 | 1.2500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SISA04 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.15mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | +20V, -16V | 3595 pf @ 15 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SQ4401EY-T1_BE3 | 2.9300 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4401 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 17.3A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 115 NC @ 10 v | ± 20V | 4250 pf @ 20 v | - | 7.14W (TC) | ||||||
 | IRF830LPBF | 1.1708 | | 1636 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF830 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF830LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 4.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 610 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| sira06dp-t1-ge3 | 1.1800 | | 710 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira06 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | +20V, -16V | 3595 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
 | IRFP254 | - | | 8500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP254 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFP254 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 250 v | 23A (TC) | 10V | 140mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | |||
 | irfr9220trl | - | | 6528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 200 v | 3.6A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 340 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | irfl014tr | - | | 6279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL014 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 2.7A (TC) | 10V | 200mohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | SI6913DQ-T1-E3 | 2.1400 | | 3095 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6913 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 4.9A | 21mohm @ 5.8a, 4.5v | 900MV @ 400µA | 28NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SQ4282EY-T1_GE3 | 1.5100 | | 210 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4282 | MOSFET (금속 (() | 3.9W | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 8A (TC) | 12.3mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 47NC @ 10V | 2367pf @ 15V | - | ||||||||
 | SiHA22n60e-ge3 | 3.9000 | | 997 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 엘자 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 8A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 30V | 1920 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | |||||||
 | irfi510g | - | | 8574 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI510 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI510G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 4.5A (TC) | 10V | 540mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 27W (TC) | |||
| SI7143DP-T1-GE3 | 1.3900 | | 173 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7143 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 16.1a, 10V | 2.8V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 20V | 2230 pf @ 15 v | - | 4.2W (TA), 35.7W (TC) | |||||
| IRFI630GPBF | 2.9500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI630 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFI630GPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 5.9A (TC) | 10V | 400mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||
 | SUM70060E-GE3 | 2.0800 | | 9950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | sum70060 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 131A (TC) | 7.5V, 10V | 5.6MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 81 NC @ 10 v | ± 20V | 3330 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | |||||
 | IRL540 | - | | 6749 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRL540 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL540 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 28A (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | 2V @ 250µA | 64 NC @ 5 v | ± 10V | 2200 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||
| SQ4182EY-T1_GE3 | 1.6500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4182 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 14a, 10V | 2.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5400 pf @ 15 v | - | 7.1W (TC) | ||||||
| IRFI620 | - | | 8489 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI620 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRFI620 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 4.1A (TC) | 10V | 800mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | ||||
| SI4038DY-T1-GE3 | - | | 8417 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4038 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 42.5A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 15a, 10V | 2.1V @ 250µA | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 4070 pf @ 20 v | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
 | SQD10950E_GE3 | 1.4500 | | 9860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD10950 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 250 v | 11.5A (TC) | 7.5V, 10V | 162mohm @ 12a, 10V | 3.5V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 785 pf @ 25 v | - | 62W (TC) | |||||
 | SI2331DS-T1-GE3 | - | | 2644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2331 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 3.2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 48mohm @ 3.6a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 8V | 780 pf @ 6 v | - | 710MW (TA) | ||||
| irfr420trr | - | | 4069 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 500 v | 2.4A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | IRF9510SPBF | 2.0400 | | 996 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9510 | MOSFET (금속 (() | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 100 v | 4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 43W (TC) | ||||||
| SUM110N04-03-E3 | - | | 3985 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM110 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 110A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 250 nc @ 10 v | ± 20V | 8250 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | ||||
| IRFP360LC | - | | 3655 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP360 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFP360LC | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 400 v | 23A (TC) | 10V | 200mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 30V | 3400 pf @ 25 v | - | 280W (TC) | |||
 | SI7994DP-T1-GE3 | 3.7000 | | 1087 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7994 | MOSFET (금속 (() | 46W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 60a | 5.6MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 80nc @ 10V | 3500pf @ 15V | - | |||||||
| SI2311DS-T1-E3 | - | | 5828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2311 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 45mohm @ 3.5a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 8V | 970 pf @ 4 v | - | 710MW (TA) | ||||
 | SI3499DV-T1-GE3 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3499 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 5.3A (TA) | 1.5V, 4.5V | 23mohm @ 7a, 4.5v | 750MV @ 250µA | 42 NC @ 4.5 v | ± 5V | - | 1.1W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)