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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQJ860EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj860ep-t1_ge3 0.9600
RFQ
 ECAD 8541 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ860 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 48W (TC)
SIHG150N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG150N60E-GE3 4.3000
RFQ
 ECAD 8547 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG150 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHG150N60E-GE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 155mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1514 pf @ 100 v - 179W (TC)
SIR876ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir876adp-t1-ge3 1.6700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir876 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 20a, 10V 2.8V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1630 pf @ 50 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SQS142ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS142ELNW-T1_GE3 0.9700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 40 v 86A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 2442 pf @ 25 v - 70W (TC)
SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira20bdp-t1-ge3 1.6500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira20 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 82A (TA), 335A (TC) 0.58mohm @ 20a, 10V 2.1V @ 250µA 186 NC @ 10 v +16V, -12V 9950 pf @ 15 v - 6.3W (TA), 104W (TC)
SI2341DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2341DS-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4512 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2341 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 72mohm @ 2.8a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 15 v - 710MW (TA)
SIHG125N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG125N60EF-GE3 4.9100
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG125 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 742-SIHG125N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 30V 1533 pf @ 100 v - 179W (TC)
SIHA20N50E-GE3 Vishay Siliconix siha20n50e-ge3 2.9600
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-siha20n50e-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 19A (TC) 10V 184mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 34W (TC)
SISH892BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH892BDN-T1-GE3 0.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 6.8A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 30.4mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 26.5 nc @ 10 v ± 20V 1110 pf @ 50 v - 3.4W (TA), 29W (TC)
SIRA16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA16DP-T1-GE3 0.2240
RFQ
 ECAD 7092 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira16 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 47 NC @ 10 v +20V, -16V 2060 pf @ 15 v - -
SUP70101EL-GE3 Vishay Siliconix SUP70101EL-GE3 2.9700
RFQ
 ECAD 9952 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup70101 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 120A (TC) 4.5V, 10V 2.5V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 7000 pf @ 50 v - 375W (TC)
SQJ560EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ560EP-T1_BE3 1.3500
RFQ
 ECAD 2934 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ560 MOSFET (금속 (() 34W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqj560ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 60V 30A (TC), 18A (TC) 12MOHM @ 10A, 10V, 52.6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30NC @ 10V, 45NC @ 10V 1650pf @ 25v -
SISA10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA10DN-T1-GE3 1.0400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA10 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 51 NC @ 10 v +20V, -16V 2425 pf @ 15 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
IRF9Z14PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9Z14PBF-BE3 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRF9Z14PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 6.7A (TC) 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 43W (TC)
SQJB46EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb46ep-t1_ge3 1.2200
RFQ
 ECAD 4536 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB46 MOSFET (금속 (() 34W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 2 n 채널 40V 30A (TC) 8mohm @ 8a, 10V 3.3V @ 250µA 32NC @ 10V 1800pf @ 25V -
SI5435BDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5435BDC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3502 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5435 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.3A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 4.3a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V - 1.3W (TA)
2N5547JTXL01 Vishay Siliconix 2N5547JTXL01 -
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 To-71-6 2N5547 To-71 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 40 - -
SIE820DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE820DF-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2063 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (S) SIE820 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (S) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50A (TC) 2.5V, 4.5V 3.5mohm @ 18a, 4.5v 2V @ 250µA 143 NC @ 10 v ± 12V 4300 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
SI3467DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3467DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6683 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3467 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 54mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SIHD5N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHD5N50D-GE3 1.0500
RFQ
 ECAD 1756 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD5 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 5.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 325 pf @ 100 v - 104W (TC)
SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2314EDS-T1-E3 0.8300
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2314 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.77A (TA) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 5a, 4.5v 950MV @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 12V - 750MW (TA)
SI7636DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7636DP-T1-GE3 1.1907
RFQ
 ECAD 4995 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7636 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 17A (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5600 pf @ 15 v - 1.9W (TA)
SI7460DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7460DP-T1-E3 2.2000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7460 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 11A (TA) 4.5V, 10V 9.6mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI4386DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4386DY-T1-E3 1.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4386 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.47W (TA)
SIHG039N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG039N60E-GE3 11.1400
RFQ
 ECAD 392 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG039 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 63A (TC) 10V 39mohm @ 32a, 10V 5V @ 250µA 126 NC @ 10 v ± 30V 4369 pf @ 100 v - 357W (TC)
IRFP460BPBF Vishay Siliconix IRFP460BPBF 3.3700
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 3094 pf @ 100 v - 278W (TC)
SMM2348ES-T1-GE3 Vishay Siliconix SMM2348ES-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9464 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMM2348 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 15 v - 3W (TC)
IRFB18N50K Vishay Siliconix IRFB18N50K -
RFQ
 ECAD 2953 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB18 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFB18N50K 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 17A (TC) 10V 290mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 2830 pf @ 25 v - 220W (TC)
SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ340DT-T1-GE3 0.9200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix PowerPair®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz340 MOSFET (금속 (() 16.7W, 31W 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 30A, 40A 9.5mohm @ 15.6a, 10V 2.4V @ 250µA 19NC @ 10V 760pf @ 15V -
SIZF920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3 1.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Sizf920 MOSFET (금속 (() 3.9W (TA), 28W (TC), 4.5W (TA), 74W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 28A (TA), 76A (TC), 49A (TA), 197A (TC) 3.07mohm @ 10a, 10v, 1.05mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 29NC @ 10V, 125NC @ 10V 1300pf @ 15V, 5230pf @ 15V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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