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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
IRF840LC	-	RFQ	3579	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF840	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		*IRF840LC	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 30V	1100 pf @ 25 v	-	125W (TC)
SI7810DN-T1-GE3	1.5100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7810	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	3.4A (TA)	6V, 10V	62mohm @ 5.4a, 10V	4.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V		-	1.5W (TA)
SI2301CDS-T1-E3	0.3900	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2301	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	3.1A (TC)	2.5V, 4.5V	112mohm @ 2.8a, 4.5v	1V @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	± 8V	405 pf @ 10 v	-	860MW (TA), 1.6W (TC)
SI4862DY-T1-GE3	-	RFQ	9308	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4862	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	16 v	17A (TA)	2.5V, 4.5V	3.3mohm @ 25a, 4.5v	600MV @ 250µa (최소)	70 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.6W (TA)
SI2333CDS-T1-BE3	0.6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	5.1A (TA), 7.1A (TC)	1.8V, 4.5V	35mohm @ 5.1a, 4.5v	1V @ 250µA	25 nc @ 4.5 v	± 8V	1225 pf @ 6 v	-	1.25W (TA), 2.5W (TC)
SI1013R-T1-E3	-	RFQ	6433	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-75, SOT-416	SI1013	MOSFET (금속 (()		SC-75A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	350MA (TA)	1.8V, 4.5V	1.2ohm @ 350ma, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	1.5 nc @ 4.5 v	± 6V		-	150MW (TA)
SIHP14N60E-GE3	2.3600	RFQ	5682	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP14	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	13A (TC)	10V	309mohm @ 7a, 10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 v	± 30V	1205 pf @ 100 v	-	147W (TC)
sqa413cejw-t1_ge3	0.4300	RFQ	5	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	PowerPak® SC-70-6	SQA413	MOSFET (금속 (()		PowerPak®SC-70W-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	7.5A (TC)	2.5V, 4.5V	38mohm @ 4.5a, 4.5v	1.3V @ 250µA	16 nc @ 4.5 v	± 12V	1350 pf @ 10 v	-	13.6W (TC)
sir838dp-t1-ge3	-	RFQ	3144	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir838	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	150 v	35A (TC)	10V	33mohm @ 8.3a, 10V	4V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 20V	2075 pf @ 75 v	-	5.4W (TA), 96W (TC)
SI4565ADY-T1-GE3	-	RFQ	8321	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4565	MOSFET (금속 (()	3.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	n 및 p 채널		40V	6.6a, 5.6a		39mohm @ 5a, 10V	2.2V @ 250µA	22NC @ 10V		625pf @ 20V	-
SI1401EDH-T1-BE3	0.4100	RFQ	4662	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1401	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	742-SI1401EDH-T1-BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	4A (TA), 4A (TC)		34mohm @ 5.5a, 4.5v	1V @ 250µA	36 nc @ 8 v	± 10V		-	1.6W (TA), 2.8W (TC)
SIS110DN-T1-GE3	0.6600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS110	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	5.2A (TA), 14.2A (TC)	7.5V, 10V	54mohm @ 4a, 10V	4V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	550 pf @ 50 v	-	3.2W (TA), 24W (TC)
SIHB24N65ET1-GE3	3.7126	RFQ	2884	Vishay Siliconix	이자형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB24	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	650 v	24A (TC)	10V	145mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 v	± 30V	2740 pf @ 100 v	-	250W (TC)
SIDR680DP-T1-RE3	2.9200	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8DC	다운로드		1 (무제한)		742-SIDR680DP-T1-RE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	32.8A (TA), 100A (TC)	7.5V, 10V	2.9mohm @ 20a, 10V	3.4V @ 250µA	105 NC @ 10 v	± 20V	5150 pf @ 40 v	-	6.25W (TA), 125W (TC)
SI3424DV-T1-GE3	-	RFQ	8248	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3424	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	5A (TA)	4.5V, 10V	28mohm @ 6.7a, 10V	800mv @ 250µa (최소)	18 nc @ 10 v	± 20V		-	1.14W (TA)
SIRS5100DP-T1-GE3	3.3100	RFQ	3510	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	Sirs5100	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)					3,000		n 채널	100 v	39A (TA), 225A (TC)	7.5V, 10V	2.5mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	102 NC @ 10 v	± 20V	5400 pf @ 50 v	-	7.4W (TA), 240W (TC)
SIR5708DP-T1-RE3	1.5100	RFQ	3427	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	150 v	9.5A (TA), 33.8A (TC)	7.5V, 10V	23mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	975 pf @ 75 v	-	5.2W (TA), 65.7W (TC)
irfr9220pbf-be3	1.0490	RFQ	2691	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9220	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드				742-irfr9220pbf-be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	200 v	3.6A (TC)	10V	1.5ohm @ 2.2a, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	340 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI5504BDC-T1-E3	1.0000	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5504	MOSFET (금속 (()	3.12W, 3.1W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		30V	4A, 3.7A		65mohm @ 3.1a, 10V	3V @ 250µA	7NC @ 10V		220pf @ 15V	논리 논리 게이트
sqj182ep-t1_ge3	1.5800	RFQ	3808	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-sqj182ep-t1_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	210A (TC)	10V	5mohm @ 15a, 10V	3.5V @ 250µA	96 NC @ 10 v	± 20V	5392 pf @ 25 v	-	395W (TC)
SI4686DY-T1-E3	1.4000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4686	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	18.2A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 13.8a, 10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	1220 pf @ 15 v	-	3W (TA), 5.2W (TC)
SQ9407EY-T1_GE3	1.1800	RFQ	8	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ9407	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	60 v	4.6A (TC)	4.5V, 10V	85mohm @ 3.5a, 10V	2.5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	1140 pf @ 30 v	-	3.75W (TC)
SI7386DP-T1-E3	1.6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7386	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	12A (TA)	4.5V, 10V	7mohm @ 19a, 10V	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 v	± 20V		-	1.8W (TA)
SI6913DQ-T1-BE3	2.1400	RFQ	8472	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6913	MOSFET (금속 (()	830MW (TA)	8-tssop	다운로드		1 (무제한)		742-SI6913DQ-T1-BE3TR	귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		12V	4.9A (TA)		21mohm @ 5.8a, 4.5v	900MV @ 400µA	28NC @ 4.5V		-	-
Sir178DP-T1-RE3	1.7200	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir178	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIR178DP-T1-RE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	100A (TA), 430A (TC)	2.5V, 10V	0.4mohm @ 30a, 10V	1.5V @ 250µA	310 nc @ 10 v	+12V, -8V	12430 pf @ 10 v	-	6.3W (TA), 104W (TC)
SQ1470EH-T1-GE3	-	RFQ	8977	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SQ1470	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	2.8A (TC)		65mohm @ 3.8a, 4.5v	1.6V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 v		610 pf @ 25 v	-
VQ1004p	-	RFQ	4690	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-	-	-	VQ1004	-		-	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	25		-		830MA (TA)	5V, 10V	-	-		± 20V		-	-
SIA917DJ-T1-GE3	-	RFQ	2807	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6 듀얼	SIA917	MOSFET (금속 (()	6.5W	PowerPak® SC-70-6 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	4.5A		110mohm @ 2.5a, 4.5v	1.5V @ 250µA	9NC @ 10V		250pf @ 10V	논리 논리 게이트
SI1032R-T1-GE3	0.5200	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-75, SOT-416	SI1032	MOSFET (금속 (()		SC-75A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	140MA (TA)	1.5V, 4.5V	5ohm @ 200ma, 4.5v	1.2V @ 250µA	0.75 nc @ 4.5 v	± 6V		-	250MW (TA)
SI7866ADP-T1-E3	-	RFQ	5378	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7866	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	40A (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	125 nc @ 10 v	± 20V	5415 pf @ 10 v	-	5.4W (TA), 83W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²