SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIHP25N60EFL-GE3 Vishay Siliconix SIHP25N60EFL-GE3 4.7300
RFQ
ECAD 1625 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP25 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 146mohm @ 12.5a, 10V 5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 30V 2274 pf @ 100 v - 250W (TC)
SUP85N02-03-E3 Vishay Siliconix SUP85N02-03-E3 -
RFQ
ECAD 3975 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup85 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 20 v 85A (TC) 2.5V, 4.5V 3MOHM @ 30A, 4.5V 450MV @ 2MA (Min) 200 nc @ 4.5 v ± 8V 21250 pf @ 20 v - 250W (TC)
SI2316BDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2316BDS-T1-E3 0.5900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2316 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250µA 9.6 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 1.66W (TC)
IRFZ24STRR Vishay Siliconix IRFZ24STRR -
RFQ
ECAD 4910 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 17A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SI7388DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7388DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2658 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7388 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 19a, 10V 1.6V @ 250µA 24 nc @ 5 v ± 20V - 1.9W (TA)
IRLI540GPBF Vishay Siliconix IRLI540GPBF 2.1600
RFQ
ECAD 364 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irli540 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 17A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 48W (TC)
SIB914DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB914DK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8727 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6L 듀얼 SIB914 MOSFET (금속 (() 3.1W PowerPak® SC-75-6L 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 8V 1.5A 113mohm @ 2.5a, 4.5v 800MV @ 250µA 2.6NC @ 5V 125pf @ 4v -
SIHP28N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP28N65EF-GE3 3.4119
RFQ
ECAD 1126 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP28 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 28A (TC) 10V 117mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 146 NC @ 10 v ± 30V 3249 pf @ 100 v - 250W (TC)
SUP90N04-3M3P-GE3 Vishay Siliconix SUP90N04-3M3P-GE3 -
RFQ
ECAD 7148 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 22a, 10V 2.5V @ 250µA 131 NC @ 10 v ± 20V 5286 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SQJA06EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja06ep-t1_ge3 1.2100
RFQ
ECAD 1742 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA06 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 57A (TC) 10V 8.7mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 25 v - 55W (TC)
SI4668DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4668DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9051 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4668 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 16.2A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 15a, 10V 2.6V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 16V 1654 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1464EEH-T1_GE3 0.5000
RFQ
ECAD 41 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SQ1464 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 440MA (TC) 1.5V 1.41ohm @ 2a, 1.5v 1V @ 250µA 4.1 NC @ 4.5 v ± 8V 140 pf @ 25 v - 430MW (TC)
SIHJ690N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHJ690N60E-T1-GE3 1.7400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIHJ690 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 5.6A (TC) 10V 700mohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 347 pf @ 100 v - 48W (TC)
SI4448DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4448DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6508 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4448 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 12 v 50A (TC) 1.8V, 4.5V 1.7mohm @ 20a, 4.5v 1V @ 250µA 150 nc @ 4.5 v ± 8V 12350 pf @ 6 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SIR876DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir876dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 1737 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir876 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 20a, 10V 2.8V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1640 pf @ 50 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
IRFZ24S Vishay Siliconix IRFZ24S -
RFQ
ECAD 2518 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ24S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 17A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SI7302DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7302DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2381 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7302 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 220 v 8.4A (TC) 4.5V, 10V 320mohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 645 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
IRFD014PBF Vishay Siliconix IRFD014PBF 1.3900
RFQ
ECAD 248 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD014 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD014PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 1.7A (TA) 10V 200mohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 310 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SI2302ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2302ADS-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2961 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2302 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.1A (TA) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 3.6a, 4.5v 1.2V @ 50µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 300 pf @ 10 v - 700MW (TA)
SQJA72EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja72ep-t1_be3 1.4100
RFQ
ECAD 3317 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja72ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 37A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1390 pf @ 25 v - 55W (TC)
SQJ958EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ958EP-T1_GE3 1.1100
RFQ
ECAD 3783 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ958 MOSFET (금속 (() 35W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 20A (TC) 34.9mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA 23NC @ 10V 1075pf @ 30v -
SIHFR9310TRR-GE3 Vishay Siliconix SIHFR9310TRR-GE3 0.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
SI4426DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4426DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4632 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4426 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 6.5A (TA) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 8.5a, 4.5v 1.4V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
SI2302DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2302DDS-T1-BE3 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2302DDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.6A (TA) 2.5V, 4.5V 57mohm @ 3.6a, 4.5v 850MV @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 8V - 710MW (TA)
SUP60N10-18P-E3 Vishay Siliconix sup60n10-18p-e3 -
RFQ
ECAD 7050 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup60 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 60A (TC) 8V, 10V 18.3mohm @ 15a, 10V 4.5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 50 v - 3.75W (TA), 150W (TC)
SI3446ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3446ADV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4627 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3446 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 37mohm @ 5.8a, 4.5v 1.8V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 12V 640 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.2W (TC)
IRLZ24L Vishay Siliconix IRLZ24L -
RFQ
ECAD 4476 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRLZ24 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ24L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 17A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SIHD11N80AE-T4-GE3 Vishay Siliconix SIHD11N80AE-T4-GE3 1.8000
RFQ
ECAD 9661 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 742-SIHD11N80AE-T4-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 450mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 804 pf @ 100 v - 78W (TC)
SQM50P03-07_GE3 Vishay Siliconix SQM50P03-07_GE3 2.6100
RFQ
ECAD 3270 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM50 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 5380 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRFD310 Vishay Siliconix IRFD310 -
RFQ
ECAD 7524 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD310 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD310 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 400 v 350MA (TA) 10V 3.6ohm @ 210ma, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고