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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id
SUP90N15-18P-E3	-	RFQ	4416	Vishay Siliconix	Trenchfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	sup90	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	150 v	90A (TC)	10V	18mohm @ 20a, 10V	4.5V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	4180 pf @ 75 v	-	3.75W (TA), 375W (TC)
SIHP24N80AE-GE3	3.3400	RFQ	2	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP24	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	800 v	21A (TC)	10V	184mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 v	± 30V	1836 PF @ 100 v	-	208W (TC)
SI2305DS-T1-E3	-	RFQ	1335	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2305	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	8 v	3.5A (TA)		52mohm @ 3.5a, 4.5v	800MV @ 250µA	15 nc @ 4.5 v		1245 pf @ 4 v	-
SI5920DC-T1-GE3	-	RFQ	9081	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5920	MOSFET (금속 (()	3.12W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		8V	4a		32mohm @ 6.8a, 4.5v	1V @ 250µA	12NC @ 5V		680pf @ 4v	논리 논리 게이트
2N4338	-	RFQ	7153	Vishay Siliconix	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N4338		300MW	TO-206AA (TO-18)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	200		n 채널								7pf @ 15V			50 v	200 µa @ 15 v	300 mV @ 100 NA
irl530pbf-be3	1.6900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRL530	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-irl530pbf-be3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	15A (TC)		160mohm @ 9a, 5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 v	± 10V	930 pf @ 25 v	-	88W (TC)
SI8451DB-T2-E1	-	RFQ	7660	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-UFBGA	SI8451	MOSFET (금속 (()		6 (™ ™ (1.5x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	10.8A (TC)	1.5V, 4.5V	80mohm @ 1a, 4.5v	1V @ 250µA	24 nc @ 8 v	± 8V	750 pf @ 10 v	-	2.77W (TA), 13W (TC)
SI7495DP-T1-E3	-	RFQ	5532	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7495	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	13A (TA)	1.8V, 4.5V	6.5mohm @ 21a, 4.5v	900mv @ 1ma	140 nc @ 5 v	± 8V		-	1.8W (TA)
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IRF840LC	-	RFQ	3579	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF840	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		*IRF840LC	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 30V	1100 pf @ 25 v	-	125W (TC)
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SI4862DY-T1-GE3	-	RFQ	9308	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4862	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	16 v	17A (TA)	2.5V, 4.5V	3.3mohm @ 25a, 4.5v	600MV @ 250µa (최소)	70 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.6W (TA)
SI2333CDS-T1-BE3	0.6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	5.1A (TA), 7.1A (TC)	1.8V, 4.5V	35mohm @ 5.1a, 4.5v	1V @ 250µA	25 nc @ 4.5 v	± 8V	1225 pf @ 6 v	-	1.25W (TA), 2.5W (TC)
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sir838dp-t1-ge3	-	RFQ	3144	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir838	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	150 v	35A (TC)	10V	33mohm @ 8.3a, 10V	4V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 20V	2075 pf @ 75 v	-	5.4W (TA), 96W (TC)
SI4565ADY-T1-GE3	-	RFQ	8321	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4565	MOSFET (금속 (()	3.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	n 및 p 채널		40V	6.6a, 5.6a		39mohm @ 5a, 10V	2.2V @ 250µA	22NC @ 10V		625pf @ 20V	-
SI1401EDH-T1-BE3	0.4100	RFQ	4662	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1401	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	742-SI1401EDH-T1-BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	4A (TA), 4A (TC)		34mohm @ 5.5a, 4.5v	1V @ 250µA	36 nc @ 8 v	± 10V		-	1.6W (TA), 2.8W (TC)
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SIHB24N65ET1-GE3	3.7126	RFQ	2884	Vishay Siliconix	이자형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB24	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	650 v	24A (TC)	10V	145mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 v	± 30V	2740 pf @ 100 v	-	250W (TC)
SIDR680DP-T1-RE3	2.9200	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8DC	다운로드		1 (무제한)		742-SIDR680DP-T1-RE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	32.8A (TA), 100A (TC)	7.5V, 10V	2.9mohm @ 20a, 10V	3.4V @ 250µA	105 NC @ 10 v	± 20V	5150 pf @ 40 v	-	6.25W (TA), 125W (TC)
SI3424DV-T1-GE3	-	RFQ	8248	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3424	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	5A (TA)	4.5V, 10V	28mohm @ 6.7a, 10V	800mv @ 250µa (최소)	18 nc @ 10 v	± 20V		-	1.14W (TA)
SIRS5100DP-T1-GE3	3.3100	RFQ	3510	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	Sirs5100	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)					3,000		n 채널	100 v	39A (TA), 225A (TC)	7.5V, 10V	2.5mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	102 NC @ 10 v	± 20V	5400 pf @ 50 v	-	7.4W (TA), 240W (TC)
SIR5708DP-T1-RE3	1.5100	RFQ	3427	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	150 v	9.5A (TA), 33.8A (TC)	7.5V, 10V	23mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	975 pf @ 75 v	-	5.2W (TA), 65.7W (TC)
irfr9220pbf-be3	1.0490	RFQ	2691	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9220	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드				742-irfr9220pbf-be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	200 v	3.6A (TC)	10V	1.5ohm @ 2.2a, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	340 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI5504BDC-T1-E3	1.0000	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5504	MOSFET (금속 (()	3.12W, 3.1W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		30V	4A, 3.7A		65mohm @ 3.1a, 10V	3V @ 250µA	7NC @ 10V		220pf @ 15V	논리 논리 게이트
sqj182ep-t1_ge3	1.5800	RFQ	3808	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-sqj182ep-t1_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	210A (TC)	10V	5mohm @ 15a, 10V	3.5V @ 250µA	96 NC @ 10 v	± 20V	5392 pf @ 25 v	-	395W (TC)
SI4686DY-T1-E3	1.4000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4686	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	18.2A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 13.8a, 10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	1220 pf @ 15 v	-	3W (TA), 5.2W (TC)
SQ9407EY-T1_GE3	1.1800	RFQ	8	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ9407	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	60 v	4.6A (TC)	4.5V, 10V	85mohm @ 3.5a, 10V	2.5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	1140 pf @ 30 v	-	3.75W (TC)
SI7386DP-T1-E3	1.6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7386	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	12A (TA)	4.5V, 10V	7mohm @ 19a, 10V	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 v	± 20V		-	1.8W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²