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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id |
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![]() | suc85n15-19dwf | - | ![]() | 5169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | - | suc85 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||
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![]() | SIHP24N80AE-GE3 | 3.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP24 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 21A (TC) | 10V | 184mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 89 NC @ 10 v | ± 30V | 1836 PF @ 100 v | - | 208W (TC) | ||||||||
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![]() | SI5920DC-T1-GE3 | - | ![]() | 9081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5920 | MOSFET (금속 (() | 3.12W | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 8V | 4a | 32mohm @ 6.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 12NC @ 5V | 680pf @ 4v | 논리 논리 게이트 | |||||||||
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![]() | SI7495DP-T1-E3 | - | ![]() | 5532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7495 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 13A (TA) | 1.8V, 4.5V | 6.5mohm @ 21a, 4.5v | 900mv @ 1ma | 140 nc @ 5 v | ± 8V | - | 1.8W (TA) | ||||||||
![]() | SIRA14DP-T1-GE3 | 0.6900 | ![]() | 8431 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | siRA14 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 58A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1MOHM @ 10A, 10V | 2.2V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | +20V, -16V | 1450 pf @ 15 v | - | 3.6W (TA), 31.2W (TC) | ||||||||
IRF840LC | - | ![]() | 3579 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF840 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF840LC | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||
![]() | SI7810DN-T1-GE3 | 1.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7810 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 3.4A (TA) | 6V, 10V | 62mohm @ 5.4a, 10V | 4.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||||||
![]() | SI2301CDS-T1-E3 | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2301 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.1A (TC) | 2.5V, 4.5V | 112mohm @ 2.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 8V | 405 pf @ 10 v | - | 860MW (TA), 1.6W (TC) | |||||||
![]() | SI4862DY-T1-GE3 | - | ![]() | 9308 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4862 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 16 v | 17A (TA) | 2.5V, 4.5V | 3.3mohm @ 25a, 4.5v | 600MV @ 250µa (최소) | 70 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.6W (TA) | |||||||||
![]() | SI2333CDS-T1-BE3 | 0.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 5.1A (TA), 7.1A (TC) | 1.8V, 4.5V | 35mohm @ 5.1a, 4.5v | 1V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1225 pf @ 6 v | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||||||||
SIHP14N60E-GE3 | 2.3600 | ![]() | 5682 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP14 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 13A (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 30V | 1205 pf @ 100 v | - | 147W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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