SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SUP70101EL-GE3 Vishay Siliconix SUP70101EL-GE3 2.9700
RFQ
ECAD 9952 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup70101 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 120A (TC) 4.5V, 10V 2.5V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 7000 pf @ 50 v - 375W (TC)
SQJA04EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja04ep-t1_be3 1.1900
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja04ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 6.2MOHM @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIA443DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA443DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7594 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA443 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 45mohm @ 4.7a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 8 v ± 8V 750 pf @ 10 v - 3.3W (TA), 15W (TC)
SIA517DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA517DJ-T1-GE3 0.6400
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA517 MOSFET (금속 (() 6.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 12V 4.5A 29mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 15nc @ 8v 500pf @ 6v 논리 논리 게이트
IRFR9210PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR9210PBF-BE3 0.7655
RFQ
ECAD 3570 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9210 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr9210pbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 1.9A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SISS30ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS30ADN-T1-GE3 1.3500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS30 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 15.9A (TA), 54.7A (TC) 7.5V, 10V 8.9mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1295 pf @ 40 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
IRL520PBF-BE3 Vishay Siliconix irl520pbf-be3 1.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL520 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irl520pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.2A (TC) 270mohm @ 5.5a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 60W (TC)
SI3453DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3453DV-T1-GE3 0.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3453 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.4A (TC) 4.5V, 10V 165mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 6.8 NC @ 10 v ± 20V 155 pf @ 15 v - 3W (TC)
2N5114 Vishay Siliconix 2N5114 -
RFQ
ECAD 2077 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5114 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 - -
2N5116-E3 Vishay Siliconix 2N5116-E3 -
RFQ
ECAD 1404 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5116 TO-206AA (TO-18) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 - -
SIA411DJ-T1-E3 Vishay Siliconix SIA411DJ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8393 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA411 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TC) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 5.9a, 4.5v 1V @ 250µA 38 NC @ 8 v ± 8V 1200 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SI5463EDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5463EDC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7368 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5463 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.8A (TA) 1.8V, 4.5V 62mohm @ 4a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 15 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.25W (TA)
SIA814DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA814DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7117 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA814 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TC) 2.5V, 10V 61mohm @ 3.3a, 10V 1.5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 12V 340 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.9W (TA), 6.5W (TC)
SUC85N15-19DWF Vishay Siliconix suc85n15-19dwf -
RFQ
ECAD 5169 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - - suc85 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
SIE820DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE820DF-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2063 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (S) SIE820 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (S) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50A (TC) 2.5V, 4.5V 3.5mohm @ 18a, 4.5v 2V @ 250µA 143 NC @ 10 v ± 12V 4300 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
SUP90N15-18P-E3 Vishay Siliconix SUP90N15-18P-E3 -
RFQ
ECAD 4416 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 150 v 90A (TC) 10V 18mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4180 pf @ 75 v - 3.75W (TA), 375W (TC)
SIHP24N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHP24N80AE-GE3 3.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP24 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 21A (TC) 10V 184mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 30V 1836 PF @ 100 v - 208W (TC)
SI2305DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2305DS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1335 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2305 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 3.5A (TA) 52mohm @ 3.5a, 4.5v 800MV @ 250µA 15 nc @ 4.5 v 1245 pf @ 4 v -
SI5920DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5920DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9081 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5920 MOSFET (금속 (() 3.12W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 8V 4a 32mohm @ 6.8a, 4.5v 1V @ 250µA 12NC @ 5V 680pf @ 4v 논리 논리 게이트
2N4338 Vishay Siliconix 2N4338 -
RFQ
ECAD 7153 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4338 300MW TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 7pf @ 15V 50 v 200 µa @ 15 v 300 mV @ 100 NA
IRL530PBF-BE3 Vishay Siliconix irl530pbf-be3 1.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL530 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irl530pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 15A (TC) 160mohm @ 9a, 5V 2V @ 250µA 28 NC @ 5 v ± 10V 930 pf @ 25 v - 88W (TC)
SI8451DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8451DB-T2-E1 -
RFQ
ECAD 7660 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA SI8451 MOSFET (금속 (() 6 (™ ™ (1.5x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 10.8A (TC) 1.5V, 4.5V 80mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 24 nc @ 8 v ± 8V 750 pf @ 10 v - 2.77W (TA), 13W (TC)
SI7495DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7495DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5532 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7495 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 13A (TA) 1.8V, 4.5V 6.5mohm @ 21a, 4.5v 900mv @ 1ma 140 nc @ 5 v ± 8V - 1.8W (TA)
SIRA14DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA14DP-T1-GE3 0.6900
RFQ
ECAD 8431 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 siRA14 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 58A (TC) 4.5V, 10V 5.1MOHM @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 29 NC @ 10 v +20V, -16V 1450 pf @ 15 v - 3.6W (TA), 31.2W (TC)
IRF840LC Vishay Siliconix IRF840LC -
RFQ
ECAD 3579 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF840LC 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI7810DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7810DN-T1-GE3 1.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7810 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 3.4A (TA) 6V, 10V 62mohm @ 5.4a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SI2301CDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-E3 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2301 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.1A (TC) 2.5V, 4.5V 112mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 405 pf @ 10 v - 860MW (TA), 1.6W (TC)
SI4862DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4862DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9308 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4862 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 16 v 17A (TA) 2.5V, 4.5V 3.3mohm @ 25a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 70 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.6W (TA)
SI2333CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2333CDS-T1-BE3 0.6200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 5.1A (TA), 7.1A (TC) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 8V 1225 pf @ 6 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SIHP14N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP14N60E-GE3 2.3600
RFQ
ECAD 5682 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 309mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 30V 1205 pf @ 100 v - 147W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고