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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	저항 -rds (on)
SI4404DY-T1-E3	-	RFQ	5046	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4404	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	15A (TA)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 23a, 10V	3V @ 250µA	55 NC @ 4.5 v	± 20V		-	1.6W (TA)
SIHFBF30S-GE3	1.8700	RFQ	933	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드		1 (무제한)		742-SIHFB30S-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	900 v	3.6A (TC)	10V	3.7ohm @ 2.2a, 100v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 25 v	-	125W (TC)
SI1317DL-T1-GE3	0.4600	RFQ	8393	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	SI1317	MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	1.4A (TC)	1.8V, 4.5V	150mohm @ 1.4a, 4.5v	800MV @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 v	± 8V	272 pf @ 10 v	-	500MW (TC)
SI7382DP-T1-GE3	-	RFQ	1071	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7382	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	14A (TA)	4.5V, 10V	4.7mohm @ 24a, 10V	3V @ 250µA	40 nc @ 4.5 v	± 20V		-	1.8W (TA)
SISH536DN-T1-GE3	0.6400	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8SH		MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8SH	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	24.7A (TA), 67.4A (TC)	4.5V, 10V	3.25mohm @ 10a, 10V	2.2V @ 250µA	25 nc @ 10 v	+16V, -12V	1150 pf @ 15 v	-	3.57W (TA), 26.5W (TC)
U441-E3	-	RFQ	1468	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	To-71-6	U441		500MW	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	200		2 n 채널 (채널)								3pf @ 10V			25 v	6 ma @ 10 v	1 v @ 1 na
SIHK155N60EF-T1GE3	5.4300	RFQ	4843	Vishay Siliconix	ef	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerbsfn	SIHK155	MOSFET (금속 (()		PowerPak®10 x 12	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	600 v	18A (TC)	10V	52mohm @ 10a, 10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	1465 pf @ 100 v	-	156W (TC)
2N5114	-	RFQ	2077	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N5114			TO-206AA (TO-18)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	200		-								-
U290	-	RFQ	4132	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AC, TO-52-3 금속 캔	U290		500MW	TO-206AC (TO-52)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	200		n 채널								160pf @ 0v			30 v	500 ma @ 10 v	4 v @ 3 na	3 옴
SIHF840LCS-GE3	0.8313	RFQ	5669	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHF840	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIHF840LCS-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 30V	1100 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 125W (TC)
SI5461EDC-T1-E3	-	RFQ	7426	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5461	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	4.5A (TA)	1.8V, 4.5V	45mohm @ 5a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	20 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.3W (TA)
SIDR608DP-T1-RE3	2.4300	RFQ	6315	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SIDR608	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8DC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	45 v	51A (TA), 208A (TC)	4.5V, 10V	1.2MOHM @ 20A, 10V	2.3V @ 250µA	167 NC @ 10 v	+20V, -16V	8900 pf @ 20 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SI1967DH-T1-E3	0.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1967	MOSFET (금속 (()	1.25W	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	1.3a		490mohm @ 910ma, 4.5v	1V @ 250µA	4NC @ 8V		110pf @ 10V	논리 논리 게이트
SI7674DP-T1-GE3	-	RFQ	9853	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7674	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	90 NC @ 10 v	± 20V	5910 pf @ 15 v	-	5.4W (TA), 83W (TC)
SIHP30N60E-GE3	5.9800	RFQ	7039	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP30	MOSFET (금속 (()			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	29A (TC)	10V	125mohm @ 15a, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 v	± 30V	2600 pf @ 100 v	-	250W (TC)
SI7190DP-T1-GE3	2.0400	RFQ	4001	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7190	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	250 v	18.4A (TC)	6V, 10V	118mohm @ 4.4a, 10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 v	± 20V	2214 pf @ 125 v	-	5.4W (TA), 96W (TC)
SUD50P04-08-GE3	1.5000	RFQ	6216	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD50	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	40 v	50A (TC)	4.5V, 10V	8.1mohm @ 22a, 10V	2.5V @ 250µA	159 NC @ 10 v	± 20V	5380 pf @ 20 v	-	2.5W (TA), 73.5W (TC)
SQ2348CES-T1_GE3	0.4300	RFQ	9162	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2348	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)					3,000		n 채널	30 v	8A (TC)	4.5V, 10V	24mohm @ 12a, 10V	2.5V @ 250µA	14.5 nc @ 10 v	± 20V	540 pf @ 15 v	-	3W (TC)
SQS411ENW-T1_GE3	0.9400	RFQ	7842	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8W	SQS411	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	40 v	16A (TC)	4.5V, 10V	27.3MOHM @ 8A, 10V	2.5V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 20V	3191 pf @ 25 v	-	39.5W (TC)
SI7138DP-T1-GE3	-	RFQ	5350	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7138	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	30A (TC)	6V, 10V	7.8mohm @ 19.7a, 10V	4V @ 250µA	135 NC @ 10 v	± 20V	6900 pf @ 30 v	-	5.4W (TA), 96W (TC)
SI2307BDS-T1-BE3	0.6400	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	2.5A (TA)	4.5V, 10V	78mohm @ 3.2a, 10V	3V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	380 pf @ 15 v	-	750MW (TA)
SQ2398ES-T1_BE3	0.6300	RFQ	4432	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2398	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	-		1 (무제한)		742-SQ2398ES-T1_BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	1.6A (TC)	10V	300mohm @ 1.5a, 10V	3.5V @ 250µA	3.4 NC @ 10 v	± 20V	152 pf @ 50 v	-	2W (TC)
IRFZ48SPBF	4.4200	RFQ	104	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFZ48	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	60 v	50A (TC)	10V	18mohm @ 43a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 190W (TC)
SQ2348ES-T1_GE3	0.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2348	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	8A (TC)	4.5V, 10V	24mohm @ 12a, 10V	2.5V @ 250µA	14.5 nc @ 10 v	± 20V	540 pf @ 15 v	-	3W (TC)
SI4650DY-T1-E3	-	RFQ	4186	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4650	MOSFET (금속 (()	3.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널 교량)		30V	8a		18mohm @ 8a, 10V	3V @ 1mA	40NC @ 10V		1550pf @ 15V	-
SI5463EDC-T1-E3	-	RFQ	7368	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5463	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	3.8A (TA)	1.8V, 4.5V	62mohm @ 4a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	15 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.25W (TA)
SIHP15N60E-BE3	2.9500	RFQ	977	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	15A (TC)	10V	280mohm @ 8a, 10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 v	± 30V	1350 pf @ 100 v	-	180W (TC)
SI3460DDV-T1-BE3	0.4400	RFQ	8960	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6		MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드		1 (무제한)		742-SI3460DDV-T1-BE3CT	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	6.2A (TA), 7.9A (TC)	1.8V, 4.5V	28mohm @ 5.1a, 4.5v	1V @ 250µA	18 nc @ 8 v	± 8V	666 pf @ 10 v	-	1.7W (TA), 2.7W (TC)
2N5547JTXV01	-	RFQ	3922	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	To-71-6	2N5547			To-71	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	20		-								-
SIRA14DP-T1-GE3	0.6900	RFQ	8431	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	siRA14	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	58A (TC)	4.5V, 10V	5.1MOHM @ 10A, 10V	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 v	+20V, -16V	1450 pf @ 15 v	-	3.6W (TA), 31.2W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²