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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	저항 -rds (on)
SI4892DY-T1-E3	-	RFQ	1612	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4892	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	8.8A (TA)	4.5V, 10V	12.4A, 10V	800mv @ 250µa (최소)	10.5 nc @ 5 v	± 20V		-	1.6W (TA)
IRFR9220PBF	1.8300	RFQ	245	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9220	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	75		p 채널	200 v	3.6A (TC)	10V	1.5ohm @ 2.2a, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	340 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
sir610dp-t1-RE3	1.8800	RFQ	4446	Vishay Siliconix	Thunderfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir610	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	200 v	35.4A (TC)	7.5V, 10V	31.9mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	1380 pf @ 100 v	-	104W (TC)
SIHP180N60E-GE3	3.2500	RFQ	3536	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP180	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	19A (TC)	10V	180mohm @ 9.5a, 10V	5V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 30V	1085 pf @ 100 v	-	156W (TC)
IRF620	-	RFQ	7136	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF620	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	200 v	5.2A (TC)	10V	800mohm @ 3.1a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	260 pf @ 25 v	-	50W (TC)
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irfrc20trl	-	RFQ	8772	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFRC20	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	2A (TC)	10V	4.4ohm @ 1.2a, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	350 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
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irfr110trpbf	1.0000	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR110	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	100 v	4.3A (TC)	10V	540mohm @ 2.6a, 10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 v	± 20V	180 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
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SI1303EDL-T1-E3	-	RFQ	7121	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	SI1303	MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	670MA (TA)	2.5V, 4.5V	430mohm @ 1a, 4.5v	600MV @ 250µa (최소)	2.5 NC @ 4.5 v	± 12V		-	290MW (TA)
IRF620PBF-BE3	1.1700	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF620	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-irf620pbf-be3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	200 v	5.2A (TC)		800mohm @ 3.1a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	260 pf @ 25 v	-	50W (TC)
SI4874BDY-T1-E3	1.4000	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4874	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	12A (TA)	4.5V, 10V	7mohm @ 16a, 10V	3V @ 250µA	25 nc @ 4.5 v	± 20V	3230 pf @ 15 v	-	1.6W (TA)
2N6661JTVP02	-	RFQ	3800	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N6661	MOSFET (금속 (()		To-39	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	20		n 채널	90 v	860MA (TC)	5V, 10V	4ohm @ 1a, 10V	2V @ 1mA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	725MW (TA), 6.25W (TC)
SIA975DJ-T1-GE3	0.6400	RFQ	179	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6 듀얼	SIA975	MOSFET (금속 (()	7.8W	PowerPak® SC-70-6 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		12V	4.5A		41mohm @ 4.3a, 4.5v	1V @ 250µA	26NC @ 8V		1500pf @ 6v	논리 논리 게이트
Sir812DP-T1-GE3	-	RFQ	5450	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir812	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	1.45mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	335 NC @ 10 v	± 20V	10240 pf @ 15 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SQJ420EP-T1_BE3	0.8800	RFQ	1720	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)		742-sqj420ep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	30A (TC)	4.5V, 10V	10mohm @ 9.7a, 10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	1860 pf @ 25 v	-	45W (TC)
SiHA21N80AE-GE3	2.8000	RFQ	1	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SIHA21	MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIHA21N80AE-GE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	800 v	7.5A (TC)	10V	235mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 v	± 30V	1388 pf @ 100 v	-	33W (TC)
SIA527DJ-T1-GE3	0.5500	RFQ	9764	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6 듀얼	SIA527	MOSFET (금속 (()	7.8W	PowerPak® SC-70-6 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		12V	4.5A		29mohm @ 5a, 4.5v	1V @ 250µA	15nc @ 8v		500pf @ 6v	논리 논리 게이트
irl3303d1strr	-	RFQ	9378	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	irl3303	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	30 v	38A (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 20a, 10V	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	± 16V	870 pf @ 25 v	-	68W (TC)
Sir182LDP-T1-RE3	1.9100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	31.7A (TA), 130A (TC)	4.5V, 10V	2.75mohm @ 15a, 10V	2.4V @ 250µA	84 NC @ 10 v	± 20V	3700 pf @ 30 v	-	5W (TA), 83W (TC)
SI7309DN-T1-GE3	1.0400	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7309	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	8A (TC)	4.5V, 10V	115mohm @ 3.9a, 10V	3V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	600 pf @ 30 v	-	3.2W (TA), 19.8W (TC)
SIHH24N65EF-T1-GE3	4.2342	RFQ	7509	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	SIHH24	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	650 v	23A (TC)	10V	158mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 30V	2780 pf @ 100 v	-	202W (TC)
SIA777EDJ-T1-GE3	-	RFQ	8542	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6 듀얼	SIA777	MOSFET (금속 (()	5W, 7.8W	PowerPak® SC-70-6 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		20V, 12V	1.5A, 4.5A		225mohm @ 1.6a, 4.5v	1V @ 250µA	2.2NC @ 5V		-	논리 논리 게이트
SQM40N10-30_GE3	2.2500	RFQ	800	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SQM40	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	100 v	40A (TC)	6V, 10V	30mohm @ 15a, 10V	3.5V @ 250µA	62 NC @ 10 v	± 20V	3345 pf @ 25 v	-	107W (TC)
2N5545JTX01	-	RFQ	4003	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	To-71-6	2N5545			To-71	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1		-								-
SIHA120N60E-GE3	5.2500	RFQ	3707	Vishay Siliconix	이자형	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SIHA120	MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	25A (TC)	10V	120mohm @ 12a, 10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 30V	1562 pf @ 100 v	-	34W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²