RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id
IRFP340PBF	5.1700	RFQ	999	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP340	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	400 v	11A (TC)	10V	550mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 25 v	-	150W (TC)
SQ2389ES-T1_BE3	0.6900	RFQ	37	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2389	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	40 v	4.1A (TC)	4.5V, 10V	94mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	420 pf @ 20 v	-	3W (TC)
SI7402DN-T1-E3	-	RFQ	7384	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7402	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	12 v	13A (TA)	1.8V, 4.5V	5.7mohm @ 20a, 4.5v	850MV @ 250µA	55 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
SI4845DY-T1-E3	-	RFQ	2208	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4845	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	2.7A (TC)	2.5V, 4.5V	2A @ 2A, 4.5V	1.5V @ 250µA	4.5 nc @ 4.5 v	± 12V	312 pf @ 10 v	Schottky 분리 (다이오드)	1.75W (TA), 2.75W (TC)
Sir168DP-T1-GE3	-	RFQ	3321	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir168	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	4.4mohm @ 15a, 10V	2.4V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 20V	2040 pf @ 15 v	-	5W (TA), 34.7W (TC)
SI4114DY-T1-GE3	1.3400	RFQ	8737	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4114	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	20A (TC)	4.5V, 10V	6MOHM @ 10A, 10V	2.1V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 16V	3700 pf @ 10 v	-	2.5W (TA), 5.7W (TC)
SI6465DQ-T1-GE3	-	RFQ	3452	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6465	MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	8 v	8.8A (TA)	1.8V, 4.5V	12MOHM @ 8.8A, 4.5V	450MV @ 250µA (최소)	80 nc @ 4.5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
IRFPG30	-	RFQ	9904	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFPG30	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFPG30	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	1000 v	3.1A (TC)	10V	5ohm @ 1.9a, 10V	4V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	980 pf @ 25 v	-	125W (TC)
sqa700cejw-t1_ge3	0.5600	RFQ	11	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	9A (TC)	4.5V, 10V	79mohm @ 3a, 10V	2.5V @ 250µA	9.5 nc @ 10 v	± 20V	380 pf @ 25 v	-	13.6W (TC)
SI5435BDC-T1-GE3	-	RFQ	9346	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5435	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	4.3A (TA)	4.5V, 10V	45mohm @ 4.3a, 10V	3V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V		-	1.3W (TA)
IRF640SPBF	2.2000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF640	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	200 v	18A (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 130W (TC)
sqj868ep-t1_ge3	0.9800	RFQ	8598	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ868	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	58A (TC)	10V	7.35mohm @ 14a, 10V	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 v	± 20V	2450 pf @ 20 v	-	48W (TC)
IRFB16N50K	-	RFQ	2631	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFB16	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFB16N50K	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	17A (TC)	10V	350mohm @ 10a, 10V	5V @ 250µA	89 NC @ 10 v	± 30V	2210 pf @ 25 v	-	280W (TC)
SI1450DH-T1-E3	-	RFQ	1280	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1450	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	8 v	4.53A (TA), 6.04A (TC)	1.5V, 4.5V	47mohm @ 4a, 4.5v	1V @ 250µA	7.05 nc @ 5 v	± 5V	535 pf @ 4 v	-	1.56W (TA), 2.78W (TC)
SQD19P06-60L_GE3	1.6000	RFQ	9867	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SQD19	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	60 v	20A (TC)	4.5V, 10V	55mohm @ 19a, 10V	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	1490 pf @ 25 v	-	46W (TC)
IRF634STRR	-	RFQ	4361	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF634	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	250 v	8.1A (TC)	10V	450mohm @ 5.1a, 10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	770 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 74W (TC)
IRFP23N50L	-	RFQ	9469	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP23	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFP23N50L	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	500 v	23A (TC)	10V	235mohm @ 14a, 10V	5V @ 250µA	150 nc @ 10 v	± 30V	3600 pf @ 25 v	-	370W (TC)
SI4426DY-T1-GE3	-	RFQ	4632	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4426	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	6.5A (TA)	2.5V, 4.5V	25mohm @ 8.5a, 4.5v	1.4V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.5W (TA)
SI4403BDY-T1-GE3	-	RFQ	6298	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4403	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	7.3A (TA)	1.8V, 4.5V	17mohm @ 9.9a, 4.5v	1V @ 350µA	50 nc @ 5 v	± 8V		-	1.35W (TA)
SI5480DU-T1-E3	-	RFQ	5994	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® ChipFet ™ 싱글	SI5480	MOSFET (금속 (()		PowerPak® ChipFet ™ 싱글	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	12A (TC)	4.5V, 10V	16mohm @ 7.2a, 10V	3V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 20V	1230 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 31W (TC)
SQJ912AEP-T1_GE3	-	RFQ	5227	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ912	MOSFET (금속 (()	48W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	30A		9.3mohm @ 9.7a, 10V	2.5V @ 250µA	38NC @ 10V		1835pf @ 20V	-
sqj211p-t1_ge3	1.6100	RFQ	9037	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ211	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	100 v	33.6a (TC)		30mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	68 NC @ 10 v	± 20V	3800 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SI1308EDL-T1-GE3	0.4600	RFQ	68	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	SI1308	MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	1.4A (TC)	2.5V, 10V	132mohm @ 1.4a, 10V	1.5V @ 250µA	4.1 NC @ 10 v	± 12V	105 pf @ 15 v	-	400MW (TA), 500MW (TC)
SQD10950E_GE3	1.4500	RFQ	9860	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SQD10950	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	250 v	11.5A (TC)	7.5V, 10V	162mohm @ 12a, 10V	3.5V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 20V	785 pf @ 25 v	-	62W (TC)
SISH536DN-T1-GE3	0.6400	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8SH		MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8SH	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	24.7A (TA), 67.4A (TC)	4.5V, 10V	3.25mohm @ 10a, 10V	2.2V @ 250µA	25 nc @ 10 v	+16V, -12V	1150 pf @ 15 v	-	3.57W (TA), 26.5W (TC)
SIHF530-GE3	-	RFQ	1771	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHF530	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	100 v	14A (TC)	10V	160mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	670 pf @ 25 v	-	88W (TC)
SI4943CDY-T1-GE3	1.7000	RFQ	6726	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4943	MOSFET (금속 (()	3.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		20V	8a		19.2mohm @ 8.3a, 10V	3V @ 250µA	62NC @ 10V		1945pf @ 10v	논리 논리 게이트
U441-E3	-	RFQ	1468	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	To-71-6	U441		500MW	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	200		2 n 채널 (채널)								3pf @ 10V			25 v	6 ma @ 10 v	1 v @ 1 na
SIHK155N60EF-T1GE3	5.4300	RFQ	4843	Vishay Siliconix	ef	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerbsfn	SIHK155	MOSFET (금속 (()		PowerPak®10 x 12	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	600 v	18A (TC)	10V	52mohm @ 10a, 10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	1465 pf @ 100 v	-	156W (TC)
irf9z34strlpbf	2.0000	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF9Z34	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	60 v	18A (TC)	10V	140mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 20V	1100 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 88W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²