RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI236DS-T1-GE3	0.4600	RFQ	1291	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2366	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	5.8A (TC)	10V	36mohm @ 4.5a, 10V	2.5V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 20V	335 pf @ 15 v	-	1.25W (TA), 2.1W (TC)
sqj420ep-t1_ge3	0.8800	RFQ	1	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ420	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	30A (TC)	4.5V, 10V	10mohm @ 9.7a, 10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	1860 pf @ 25 v	-	45W (TC)
SI4425BDY-T1-E3	1.2900	RFQ	133	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4425	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	8.8A (TA)	4.5V, 10V	12MOHM @ 11.4A, 10V	3V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V		-	1.5W (TA)
SI3469DV-T1-GE3	1.0700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3469	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5A (TA)	4.5V, 10V	30mohm @ 6.7a, 10V	3V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V		-	1.14W (TA)
SI1023X-T1-E3	-	RFQ	5914	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1023	MOSFET (금속 (()	250MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	370ma		1.2ohm @ 350ma, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	1.5NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI4992EY-T1-E3	-	RFQ	7042	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4992	MOSFET (금속 (()	1.4W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		75V	3.6a		48mohm @ 4.8a, 10V	3V @ 250µA	21NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
SIE864DF-T1-GE3	-	RFQ	3559	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-Polarpak® (U)	SIE864	MOSFET (금속 (()		10-Polarpak® (U)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	45A (TC)	4.5V, 10V	5.6MOHM @ 20A, 10V	2V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	1510 pf @ 15 v	-	5.2W (TA), 25W (TC)
SI7456DDP-T1-GE3	1.6700	RFQ	9553	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7456	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	27.8A (TC)	4.5V, 10V	23mohm @ 10a, 10V	2.8V @ 250µA	29.5 nc @ 10 v	± 20V	900 pf @ 50 v	-	5W (TA), 35.7W (TC)
SI7898DP-T1-E3	1.8300	RFQ	20	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7898	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	150 v	3A (TA)	6V, 10V	85mohm @ 3.5a, 10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 v	± 20V		-	1.9W (TA)
sijh112e-t1-ge3	4.6000	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	sijh112	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	-		1 (무제한)		742-SIJH112E-T1-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	100 v	23A (TA), 225A (TC)		2.8mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	160 nc @ 10 v	± 20V	8050 pf @ 50 v	-	3.3W (TA), 333W (TC)
SI1405DL-T1-E3	-	RFQ	5210	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1405	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	8 v	1.6A (TA)	1.8V, 4.5V	125mohm @ 1.8a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	7 NC @ 4.5 v	± 8V		-	568MW (TA)
IRF830BPBF-BE3	1.1200	RFQ	33	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF830	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-irf830bpbf-be3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	5.3A (TC)		1.5ohm @ 2.5a, 10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 30V	325 pf @ 100 v	-	104W (TC)
SIJA74DP-T1-GE3	0.9700	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sija74	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	24A (TA), 81.2A (TC)		3.99mohm @ 10a, 10V	2.4V @ 250µA	41 NC @ 10 v	+20V, -16V	2000 pf @ 20 v	-	4.1W (TA), 46.2W (TC)
Sir690DP-T1-RE3	0.7316	RFQ	3012	Vishay Siliconix	Thunderfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir690	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	200 v	34.4A (TC)	7.5V, 10V	35mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 v	± 20V	1935 pf @ 100 v	-	104W (TC)
SIHB24N65E-E3	3.1311	RFQ	8758	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB24	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		SIHB24N65EE3	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	650 v	24A (TC)	10V	145mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 v	± 30V	2740 pf @ 100 v	-	250W (TC)
IRFP064PBF	5.3400	RFQ	452	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP064	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFP064PBF	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	60 v	70A (TC)	10V	9mohm @ 78a, 10V	4V @ 250µA	190 NC @ 10 v	± 20V	7400 pf @ 25 v	-	300W (TC)
SI4670DY-T1-E3	-	RFQ	2066	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4670	MOSFET (금속 (()	2.8W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		25V	8a		23mohm @ 7a, 10V	2.2V @ 250µA	18NC @ 10V		680pf @ 13v	논리 논리 게이트
SI1419DH-T1-E3	-	RFQ	3440	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1419	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	200 v	300MA (TA)	6V, 10V	5ohm @ 400ma, 10V	4.5V @ 100µa	6.2 NC @ 10 v	± 20V		-	1W (TA)
SQM50N04-4M0L_GE3	1.5475	RFQ	2748	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SQM50	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	40 v	50A (TC)	4.5V, 10V	4MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 v	± 20V	6100 pf @ 25 v	-	150W (TC)
Siz926DT-T1-GE3	1.3000	RFQ	221	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	Siz926	MOSFET (금속 (()	20.2W, 40W	8-PowerPair® (6x5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		25V	40A (TC), 60A (TC)		4.8mohm @ 5a, 10v, 2.2mohm @ 8a, 10v	2.2V @ 250µA	19NC @ 10V, 41NC @ 10V		925pf @ 10v, 2150pf @ 10v	-
sqj443ep-t1_ge3	1.4100	RFQ	3995	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TA)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ443	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	40 v	40A (TC)	4.5V, 10V	29mohm @ 18a, 10V	2.5V @ 250µA	57 NC @ 10 v	± 20V	2030 pf @ 20 v	-	83W (TC)
SQJ980AEP-T1_GE3	1.3100	RFQ	2	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TA)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ980	MOSFET (금속 (()	34W (TC)	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		75V	17A (TC)		50mohm @ 3.8a, 10V	2.5V @ 250µA	21NC @ 10V		790pf @ 35v	-
IRLZ14SPBF	1.6300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRLZ14	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	60 v	10A (TC)	4V, 5V	200mohm @ 6a, 5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 v	± 10V	400 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 43W (TC)
SUP60N06-12P-E3	-	RFQ	1117	Vishay Siliconix	Trenchfet®	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	sup60	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SUP60N0612PE3	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	60 v	60A (TC)	10V	12MOHM @ 30A, 10V	4.5V @ 250µA	55 NC @ 10 v	± 20V	1970 pf @ 30 v	-	3.25W (TA), 100W (TC)
SI2309CDS-T1-E3	0.5500	RFQ	8186	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2309	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	1.6A (TC)	4.5V, 10V	345mohm @ 1.25a, 10V	3V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 v	± 20V	210 pf @ 30 v	-	1W (TA), 1.7W (TC)
SQ4050EY-T1_BE3	1.0500	RFQ	390	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4050	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	19A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 20V	2406 pf @ 20 v	-	6W (TC)
SUP70042E-GE3	3.0700	RFQ	500	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SUP70042E-GE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	150A (TC)	7.5V, 10V	4MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	6490 pf @ 50 v	-	278W (TC)
SUD80460E-BE3	0.9700	RFQ	1259	Vishay Siliconix	Thunderfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD80460	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	-		1 (무제한)		742-sud80460e-be3	귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	150 v	42A (TC)	10V	44.7mohm @ 8.3a, 10V	4V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 20V	560 pf @ 50 v	-	65.2W (TC)
SI4943CDY-T1-GE3	1.7000	RFQ	6726	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4943	MOSFET (금속 (()	3.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		20V	8a		19.2mohm @ 8.3a, 10V	3V @ 250µA	62NC @ 10V		1945pf @ 10v	논리 논리 게이트
SI9433BDY-T1-E3	0.8900	RFQ	17	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI9433	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	4.5A (TA)	2.7V, 4.5V	40mohm @ 6.2a, 4.5v	1.5V @ 250µA	14 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.3W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²