SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF644STRRPBF Vishay Siliconix IRF644STRRPBF 3.7500
RFQ
ECAD 7952 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRFU9014 Vishay Siliconix IRFU9014 -
RFQ
ECAD 3953 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU9014 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 5.1A (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRLR024TRL Vishay Siliconix irlr024trl -
RFQ
ECAD 2113 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQJA76EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja76ep-t1_ge3 1.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA76 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 2.4mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 5250 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRF9Z34PBF Vishay Siliconix IRF9Z34PBF 1.8300
RFQ
ECAD 745 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z34 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF9Z34PBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 88W (TC)
SI5485DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5485DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4626 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5485 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TC) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 5.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 42 NC @ 8 v ± 12V 1100 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
SIHD7N60ET5-GE3 Vishay Siliconix SIHD7N60ET5-GE3 0.8080
RFQ
ECAD 7810 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
SI7850DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7850DP-T1-E3 2.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7850 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6.2A (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 10.3a, 10V 3V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V - 1.8W (TA)
SI6463BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6463BDQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3319 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6463 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6.2A (TA) 15mohm @ 7.4a, 4.5v 800MV @ 250µA 60 nc @ 5 v -
IRLI540GPBF Vishay Siliconix IRLI540GPBF 2.1600
RFQ
ECAD 364 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irli540 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 17A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 48W (TC)
SIR178DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir178DP-T1-RE3 1.7200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir178 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIR178DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 100A (TA), 430A (TC) 2.5V, 10V 0.4mohm @ 30a, 10V 1.5V @ 250µA 310 nc @ 10 v +12V, -8V 12430 pf @ 10 v - 6.3W (TA), 104W (TC)
SQ2310ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_GE3 0.9000
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2310 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TC) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ± 8V 485 pf @ 10 v - 2W (TC)
SUM40N02-12P-E3 Vishay Siliconix SUM40N02-12P-E3 -
RFQ
ECAD 8901 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum40 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 40A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1000 pf @ 10 v - 3.75W (TA), 83W (TC)
SI4778DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4778DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8387 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4778 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 8A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 7a, 10V 2.2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 16V 680 pf @ 13 v - 2.4W (TA), 5W (TC)
IRFB16N60LPBF Vishay Siliconix IRFB16N60LPBF -
RFQ
ECAD 9786 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB16 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB16N60LPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 460mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 30V 2720 ​​pf @ 25 v - 310W (TC)
SIA425EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA425EDJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2797 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA425 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TC) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 4.2a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V - 2.9W (TA), 15.6W (TC)
SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA471DJ-T1-GE3 0.5900
RFQ
ECAD 8282 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA471 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12.9A (TA), 30.3A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 27.8 NC @ 10 v +16V, -20V 1170 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19.2W (TC)
SISF20DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISF20DN-T1-GE3 1.5900
RFQ
ECAD 6407 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SCD 듀얼 SISF20 MOSFET (금속 (() 5.2W (TA), 69.4W (TC) PowerPak® 1212-8SCD 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 14A (TA), 52A (TC) 13mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 33NC @ 10V 1290pf @ 30V -
SQM50034EL_GE3 Vishay Siliconix SQM50034EL_GE3 2.1900
RFQ
ECAD 450 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM50034 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 150W (TC)
SISS73DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS73DN-T1-GE3 1.5100
RFQ
ECAD 5309 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS73 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 4.4A (TA), 16.2A (TC) 10V 125mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 719 pf @ 75 v - 5.1W (TA), 65.8W (TC)
SIHD2N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHD2N80AE-GE3 0.5174
RFQ
ECAD 1677 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2266-SIHD2N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 2.9A (TC) 10V 2.9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 180 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
SIHG22N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG22N60EF-GE3 4.2500
RFQ
ECAD 456 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG22 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 182mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQJA78EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja78ep-t1_ge3 1.7100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA78 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 72A (TC) 10V 5.3mohm @ 10a, 10V 3.3V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIS128LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS128LDN-T1-GE3 0.9900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS128 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 10.2A (TA), 33.7A (TC) 4.5V, 10V 15.6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 40 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
SUP60020E-GE3 Vishay Siliconix SUP60020E-GE3 3.1100
RFQ
ECAD 198 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP60020 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 150A (TC) 7.5V, 10V 2.4mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 227 NC @ 10 v ± 20V 10680 pf @ 40 v - 375W (TC)
SIHLL110TR-GE3 Vishay Siliconix sihll110tr-ge3 0.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA SIHLL110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1.5A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 900ma, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRFZ34SPBF Vishay Siliconix IRFZ34SPBF 1.5800
RFQ
ECAD 6732 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 50mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SIHB11N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHB11N80E-GE3 3.8100
RFQ
ECAD 3833 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 440mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 30V 1670 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQJA36EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja36ep-t1_ge3 1.9800
RFQ
ECAD 2113 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA36 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqja36ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 350A (TC) 10V 1.24mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 6636 pf @ 25 v - 500W (TC)
SQJ464EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj464ep-t2_ge3 0.3687
RFQ
ECAD 7735 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ464 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj464ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 32A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 7.1a, 10V 2.5V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 2086 pf @ 30 v - 45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고