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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
IRFR9310TRRPBF Vishay Siliconix irfr9310trrpbf -
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
SQ2301ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2301ES-T1_GE3 0.5300
RFQ
 ECAD 6065 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2301 MOSFET (금속 (() TO-236 (SOT-23) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.9A (TC) 2.5V, 4.5V 120mohm @ 2.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 8 NC @ 4.5 v ± 8V 425 pf @ 10 v - 3W (TC)
SQ7415AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ7415AEN-T1_GE3 -
RFQ
 ECAD 7233 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQ7415 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 16A (TC) 4.5V, 10V 65mohm @ 5.7a, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1385 pf @ 25 v - 53W (TC)
SQD10N30-330H_4GE3 Vishay Siliconix SQD10N30-330H_4GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 300 v 10A (TC) 10V 330mohm @ 14a, 10V 4.4V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 30V 2190 pf @ 25 v - 107W (TC)
SI5468DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5468DC-T1-GE3 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5468 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6A (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 6.8a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 435 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 5.7W (TC)
SI7601DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7601DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7601 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 16A (TC) 2.5V, 4.5V 19.2mohm @ 11a, 4.5v 1.6V @ 250µA 27 NC @ 5 v ± 12V 1870 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
IRFI710G Vishay Siliconix irfi710g -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI710 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) *irfi710g 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 1.6A (TA) - 4V @ 250µA - -
SIHFR9310TRR-GE3 Vishay Siliconix SIHFR9310TRR-GE3 0.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4491edy-T1-GE3 0.9700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4491 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 17.3A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 13a, 10V 2.8V @ 250µA 153 NC @ 10 v ± 25V 4620 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 6.9W (TC)
SIHP105N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP105N60EF-GE3 2.8386
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP105 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 102mohm @ 13a, 10v 5V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1804 pf @ 100 v - 208W (TC)
SIHP6N40D-E3 Vishay Siliconix SIHP6N40D-E3 1.6000
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP6N40DE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 311 PF @ 100 v - 104W (TC)
SIS448DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS448DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1078 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS448 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1575 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SQJ848EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj848ep-t1_ge3 1.6600
RFQ
 ECAD 3110 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ848 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 47A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10.3a, 10V 2.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 20 v - 68W (TC)
SIB414DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB414DK-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2983 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB414 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 9A (TC) 1.2V, 4.5V 26mohm @ 7.9a, 4.5v 1V @ 250µA 14.03 NC @ 5 v ± 5V 732 pf @ 4 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SQJ858EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj858ep-t1_ge3 0.5821
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ858 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 75A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 11a, 10V 2.5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 20 v - 68W (TC)
SQJ160EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ160EP-T1_GE3 1.9300
RFQ
 ECAD 5784 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj160ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 362A (TC) 10V 2MOHM @ 15A, 10V 3.5V @ 250µA 119 NC @ 10 v ± 20V 6697 pf @ 25 v - 500W (TC)
SIR472DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir472DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir472 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 13.8A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 820 pf @ 15 v - 3.9W (TA), 29.8W (TC)
SI7668ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7668ADP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7275 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7668 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 25A, 10V 1.8V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 12V 8820 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SI4390DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4390DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4455 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4390 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8.5A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 12.5a, 10V 2.8V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.4W (TA)
SIHU6N62E-GE3 Vishay Siliconix sihu6n62e-ge3 1.6500
RFQ
 ECAD 5294 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA Sihu6 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 620 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 30V 578 pf @ 100 v - 78W (TC)
SISS67DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss67dn-t1-ge3 1.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS67 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 v ± 25V 4380 pf @ 15 v - 65.8W (TC)
SIRS4302DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRS4302DP-T1-GE3 2.9600
RFQ
 ECAD 2620 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sirs4302 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 87A (TA), 478A (TC) 4.5V, 10V 0.57mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 230 nc @ 10 v +20V, -16V 10150 pf @ 15 v - 6.9W (TA), 208W (TC)
SIR186DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir186DP-T1-RE3 1.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir186 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 23A (TA), 60A (TC) 6V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10V 3.6V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 30 v - 5W (TA), 57W (TC)
2N6661-2 Vishay Siliconix 2N6661-2 -
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6661 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 90 v 860MA (TC) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SI4404DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4404DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5046 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4404 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 23a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
SIHFBF30S-GE3 Vishay Siliconix SIHFBF30S-GE3 1.8700
RFQ
 ECAD 933 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHFB30S-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 3.7ohm @ 2.2a, 100v 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI1317DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1317DL-T1-GE3 0.4600
RFQ
 ECAD 8393 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1317 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.4A (TC) 1.8V, 4.5V 150mohm @ 1.4a, 4.5v 800MV @ 250µA 6.5 NC @ 4.5 v ± 8V 272 pf @ 10 v - 500MW (TC)
SI7382DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7382DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1071 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7382 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 24a, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
SISH536DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH536DN-T1-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 24.7A (TA), 67.4A (TC) 4.5V, 10V 3.25mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 25 nc @ 10 v +16V, -12V 1150 pf @ 15 v - 3.57W (TA), 26.5W (TC)
U441-E3 Vishay Siliconix U441-E3 -
RFQ
 ECAD 1468 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-71-6 U441 500MW - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 2 n 채널 (채널) 3pf @ 10V 25 v 6 ma @ 10 v 1 v @ 1 na
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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