SIC
close

불연속 불연속 제품 (5717)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI3493DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3493DDV-T1-GE3 0.3900
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3493 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 7.5a, 4.5v 1V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 8V 1825 pf @ 10 v - 3.6W (TC)
SIR638DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir638dp-t1-Re3 0.7316
RFQ
 ECAD 1703 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir638 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 0.88mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 204 NC @ 10 v +20V, -16V 10500 pf @ 20 v - 104W (TC)
SQM50034EL_GE3 Vishay Siliconix SQM50034EL_GE3 2.1900
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM50034 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI8809EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8809EDB-T2-E1 -
RFQ
 ECAD 9905 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA SI8809 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.94 (TA) 1.8V, 4.5V 90mohm @ 1.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 15 nc @ 8 v ± 8V - 500MW (TA)
SI6969DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6969DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4252 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6969 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V - 34mohm @ 4.6a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 40nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SIHF12N60E-E3 Vishay Siliconix SIHF12N60E-E3 2.8200
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF12 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHF12N60EE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 937 pf @ 100 v - 33W (TC)
SIHF840LCS-GE3 Vishay Siliconix SIHF840LCS-GE3 0.8313
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHF840LCS-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRFP22N60K Vishay Siliconix IRFP22N60K -
RFQ
 ECAD 1857 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP22 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 280mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 30V 3570 pf @ 25 v - 370W (TC)
SUM90N03-2M2P-E3 Vishay Siliconix SUM90N03-2M2P-E3 3.7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 32A, 10V 2.5V @ 250µA 257 NC @ 10 v ± 20V 12065 pf @ 15 v - 3.75W (TA), 250W (TC)
SIE810DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE810DF-T1-E3 1.7317
RFQ
 ECAD 1049 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE810 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 60A (TC) 2.5V, 10V 1.4mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 300 NC @ 10 v ± 12V 13000 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SI4288DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4288DY-T1-GE3 1.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4288 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 9.2A 20mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 15NC @ 10V 580pf @ 20V 논리 논리 게이트
SI7415DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7415DN-T1-E3 1.6000
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7415 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 5.7a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIE820DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE820DF-T1-GE3 2.4200
RFQ
 ECAD 730 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (S) SIE820 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (S) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50A (TC) 2.5V, 4.5V 3.5mohm @ 18a, 4.5v 2V @ 250µA 143 NC @ 10 v ± 12V 4300 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF4800LDT-T1-GE3 1.5500
RFQ
 ECAD 8706 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-PowerPair ™ MOSFET (금속 (() 4.5W (TA), 56.8W (TC) PowerPair® 3x3fs 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 80V 10A (TA), 36A (TC) 19mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 23NC @ 10V 950pf @ 40v 기준
SIHG125N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG125N60EF-GE3 4.9100
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG125 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 742-SIHG125N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 30V 1533 pf @ 100 v - 179W (TC)
SIS330DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS330DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7569 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS330 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SQJ186ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ186ELP-T1_GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 66A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2325 pf @ 25 v - 135W (TC)
IRF840BPBF Vishay Siliconix IRF840BPBF 1.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8.7A (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 527 pf @ 100 v - 156W (TC)
SI7405BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7405BDN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3273 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7405 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 16A (TC) 1.8V, 4.5V 13.5A, 4.5V 1V @ 250µA 115 NC @ 8 v ± 8V 3500 pf @ 6 v - 3.6W (TA), 33W (TC)
SI7530DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7530DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7254 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7530 MOSFET (금속 (() 1.4W, 1.5W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 60V 3A, 3.2A 75mohm @ 4.6a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
IRFD9010 Vishay Siliconix IRFD9010 -
RFQ
 ECAD 2341 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9010 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFD9010 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 50 v 1.1A (TC) 10V 500mohm @ 580ma, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 1W (TC)
IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr9310trlpbf-be3 1.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9310 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRFR014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR014TRPBF-BE3 1.0000
RFQ
 ECAD 155 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 742-irfr014trpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SUP90N08-6M8P-E3 Vishay Siliconix sup90n08-6m8p-e3 -
RFQ
 ECAD 2120 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 90A (TC) 10V 6.8mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 4620 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 272W (TC)
SIHP15N50E-BE3 Vishay Siliconix SIHP15N50E-BE3 2.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 14.5A (TC) 10V 280mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 30V 1162 pf @ 100 v - 156W (TC)
IRFBA22N50APBF Vishay Siliconix IRFBA22N50APBF -
RFQ
 ECAD 2342 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Super-220 ™ IRFBA22 MOSFET (금속 (() Super-220 ™ (TO-273AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBA22N50APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 24A (TC) 10V 230mohm @ 13.8a, 10V 4V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 30V 3400 pf @ 25 v - 340W (TC)
SI1563EDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1563EDH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9088 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1563 MOSFET (금속 (() 570MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 1.13a, 880ma 280mohm @ 1.13a, 4.5v 1V @ 100µA 1NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIE854DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE854DF-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6300 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE854 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 60A (TC) 10V 14.2MOHM @ 13.2A, 10V 4.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 50 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
IRFS11N50ATRRP Vishay Siliconix IRFS11N50ATRRP 2.9400
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 520mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 25 v - 170W (TC)
SI1405BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1405BDH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4668 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1405 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 1.6A (TC) 1.8V, 4.5V 112mohm @ 2.8a, 4.5v 950MV @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 8V 305 pf @ 4 v - 1.47W (TA), 2.27W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다