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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF840ASPBF | 2.5500 |  | 940 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF840 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | *IRF840ASPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 30V | 1018 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
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| SIHD6N62ET1-GE3 | 0.6924 | | 9883 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD6 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 620 v | 6A (TC) | 10V | 900mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 30V | 578 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | ||||||
| SIS435DNT-T1-GE3 | 0.7900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS435 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 30A (TC) | 1.8V, 4.5V | 5.4mohm @ 13a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 180 NC @ 8 v | ± 8V | 5700 pf @ 10 v | - | 3.7W (TA), 39W (TC) | |||||
| SQRS140ELP-T1_GE3 | 2.6800 | | 8072 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8SW | - | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 3,000 | n 채널 | 40 v | 504A (TC) | 4.5V, 10V | 600µohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 294 NC @ 10 v | ± 20V | 15398 pf @ 25 v | - | 266W (TC) | ||||||||
 | SQJ858AEP-T1_GE3 | 1.2300 | | 9644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ858 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 58A (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 14a, 10V | 2.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 2450 pf @ 20 v | - | 48W (TC) | |||||
| SI2305ADS-T1-GE3 | - | | 1910 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2305 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 5.4A (TC) | 1.8V, 4.5V | 4.1A, 4.5V 40mohm | 800MV @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 8V | 740 pf @ 4 v | - | 960MW (TA), 1.7W (TC) | ||||
 | IRFBA22N50APBF | - | | 2342 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Super-220 ™ | IRFBA22 | MOSFET (금속 (() | Super-220 ™ (TO-273AA) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBA22N50APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 24A (TC) | 10V | 230mohm @ 13.8a, 10V | 4V @ 250µA | 115 NC @ 10 v | ± 30V | 3400 pf @ 25 v | - | 340W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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