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불연속 불연속 제품 (5717)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI7107DN-T1-E3 Vishay Siliconix Si7107dn-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7107 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 9.8A (TA) 1.8V, 4.5V 10.8mohm @ 15.3a, 4.5v 1V @ 450µA 44 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
SQS484EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS484EN-T1_BE3 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS484 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 16A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1855 pf @ 25 v - 62W (TC)
IRFR010PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR010PBF-BE3 1.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR010 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfr010pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 50 v 8.2A (TC) 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 25W (TC)
SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1050X-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1050 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8 v 1.34A (TA) 1.5V, 4.5V 86mohm @ 1.34a, 4.5v 900MV @ 250µA 11.6 NC @ 5 v ± 5V 585 pf @ 4 v - 236MW (TA)
SQS460EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS460EN-T1_BE3 1.2900
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS460 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 742-SQS460EN-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 8A (TC) 4.5V, 10V 36mohm @ 5.3a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 755 pf @ 25 v - 39W (TC)
SI7636DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7636DP-T1-GE3 1.1907
RFQ
 ECAD 4995 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7636 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 17A (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5600 pf @ 15 v - 1.9W (TA)
SIA811ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA811ADJ-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA811 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TC) 1.8V, 4.5V 116mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 13 nc @ 8 v ± 8V 345 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.8W (TA), 6.5W (TC)
SQ3989EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3989EV-T1_GE3 0.6000
RFQ
 ECAD 2652 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3989 MOSFET (금속 (() 1.67W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 2.5A (TC) 155mohm @ 400ma, 10V 1.5V @ 250µA 11.1NC @ 10V - -
SISA01DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA01DN-T1-GE3 0.9300
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA01 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 22.4A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 84 NC @ 10 v +16V, -20V 3490 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4800BDY-T1-GE3 0.9200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4800 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 18.5mohm @ 9a, 10V 1.8V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 25V - 1.3W (TA)
SQS840EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS840EN-T1_BE3 0.9700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 742-SQS840EN-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 250µA 22.5 nc @ 10 v ± 20V 1031 pf @ 20 v - 33W (TC)
SQSA70CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQSA70CENW-T1_GE3 0.9900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 18A (TC) 10V 68.5mohm @ 7a, 10V 3.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 25 v - 62.5W (TC)
SIHLR120-GE3 Vishay Siliconix SIHLR120-GE3 0.2893
RFQ
 ECAD 2209 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHLR120 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHLR120-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI5943DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5943DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5749 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5943 MOSFET (금속 (() 8.3W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 6A 64mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 15nc @ 8v 460pf @ 6v 논리 논리 게이트
SIB417EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB417EDK-T1-GE3 0.3969
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB417 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 9A (TC) 1.2V, 4.5V 58mohm @ 5.8a, 4.5v 1V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 5V 565 pf @ 4 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SI5432DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5432DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9623 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5432 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 8.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 12V 1200 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 6.3W (TC)
SQ1922AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1922AEEH-T1_GE3 0.4600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SQ1922 MOSFET (금속 (() 1.5W (TC) SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 850MA (TC) 300mohm @ 400ma, 4.5v 2.5V @ 250µA 1.2NC @ 4.5V 60pf @ 10V -
SI4850BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4850BDY-T1-GE3 0.9800
RFQ
 ECAD 7873 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4850 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 8.4A (TA), 11.3A (TC) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 4.5W (TC)
SIHF15N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHF15N65E-GE3 1.9257
RFQ
 ECAD 6692 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF15 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 280mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 34W (TC)
SIHG460B-GE3 Vishay Siliconix SIHG460B-GE3 2.4869
RFQ
 ECAD 3690 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 3094 pf @ 100 v - 278W (TC)
SI2351DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2351DS-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2309 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2351 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.8A (TC) 115mohm @ 2.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.1 NC @ 5 v 250 pf @ 10 v -
SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH114ADN-T1-GE3 0.7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH114 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1230 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 39W (TC)
IRF510 Vishay Siliconix IRF510 -
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF510 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 540mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 43W (TC)
SI4804BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4804BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4804 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.7a 22mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
IRF614SPBF Vishay Siliconix IRF614SPBF 1.7300
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF614 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 2ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 36W (TC)
SIHG24N65E-E3 Vishay Siliconix SIHG24N65E-E3 3.8346
RFQ
 ECAD 8861 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG24 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHG24N65EE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2740 pf @ 100 v - 250W (TC)
SIHA17N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHA17N80E-GE3 4.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA17N80E-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 6A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2408 pf @ 100 v - 35W (TC)
SIHF520STRL-GE3 Vishay Siliconix SIHF520STRL-GE3 0.5608
RFQ
 ECAD 3677 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF520 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHF520STRL-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 9.2A (TC) 10V 270mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SUD08P06-155L-BE3 Vishay Siliconix SUD08P06-155L-BE3 1.0000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD08 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-sud08p06-155L-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 8.2A (TC) 4.5V, 10V 155mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 1.7W (TA), 20.8W (TC)
SI7322DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7322DN-T1-E3 1.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7322 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v - 10V 58mohm @ 5.5a, 10V 4.4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 750 pf @ 50 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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