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불연속 불연속 제품 (5717)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SISA10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA10DN-T1-GE3 1.0400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA10 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 51 NC @ 10 v +20V, -16V 2425 pf @ 15 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
IRF9Z14PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9Z14PBF-BE3 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRF9Z14PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 6.7A (TC) 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 43W (TC)
SQJB46EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb46ep-t1_ge3 1.2200
RFQ
 ECAD 4536 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB46 MOSFET (금속 (() 34W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 2 n 채널 40V 30A (TC) 8mohm @ 8a, 10V 3.3V @ 250µA 32NC @ 10V 1800pf @ 25V -
2N5547JTXL01 Vishay Siliconix 2N5547JTXL01 -
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 To-71-6 2N5547 To-71 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 40 - -
SIE820DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE820DF-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2063 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (S) SIE820 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (S) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50A (TC) 2.5V, 4.5V 3.5mohm @ 18a, 4.5v 2V @ 250µA 143 NC @ 10 v ± 12V 4300 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2314EDS-T1-E3 0.8300
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2314 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.77A (TA) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 5a, 4.5v 950MV @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 12V - 750MW (TA)
SI4386DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4386DY-T1-E3 1.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4386 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.47W (TA)
IRFP460BPBF Vishay Siliconix IRFP460BPBF 3.3700
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 3094 pf @ 100 v - 278W (TC)
SMM2348ES-T1-GE3 Vishay Siliconix SMM2348ES-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9464 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMM2348 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 15 v - 3W (TC)
IRFB18N50K Vishay Siliconix IRFB18N50K -
RFQ
 ECAD 2953 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB18 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFB18N50K 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 17A (TC) 10V 290mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 2830 pf @ 25 v - 220W (TC)
SIZF920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3 1.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Sizf920 MOSFET (금속 (() 3.9W (TA), 28W (TC), 4.5W (TA), 74W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 28A (TA), 76A (TC), 49A (TA), 197A (TC) 3.07mohm @ 10a, 10v, 1.05mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 29NC @ 10V, 125NC @ 10V 1300pf @ 15V, 5230pf @ 15V -
SIHP050N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP050N60E-GE3 9.3000
RFQ
 ECAD 4125 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP050 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 51A (TC) 10V 50mohm @ 23a, 10V 5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 30V 3459 pf @ 100 v - 278W (TC)
SI1405BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1405BDH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4668 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1405 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 1.6A (TC) 1.8V, 4.5V 112mohm @ 2.8a, 4.5v 950MV @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 8V 305 pf @ 4 v - 1.47W (TA), 2.27W (TC)
SIHG47N60E-E3 Vishay Siliconix SIHG47N60E-E3 9.7500
RFQ
 ECAD 485 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG47 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHG47N60EE3 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 64mohm @ 24a, 10V 4V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 30V 9620 pf @ 100 v - 357W (TC)
SQJQ480E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ480E-T1_GE3 3.0300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 SQJQ480 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 150A (TC) 10V 3MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 144 NC @ 10 v ± 20V 8625 pf @ 25 v - 136W (TC)
SI6967DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6967DQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7554 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6967 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 8V - 30mohm @ 5a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 40nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SI2302CDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2302CDS-T1-E3 0.4100
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2302 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.6A (TA) 2.5V, 4.5V 57mohm @ 3.6a, 4.5v 850MV @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 8V - 710MW (TA)
IRFR224 Vishay Siliconix IRFR224 -
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR224 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR224 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 250 v 3.8A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Siliconix SIZF5302DT-T1-RE3 1.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-PowerPair ™ SIZF5302 MOSFET (금속 (() 3.8W (TA), 48.1W (TC) PowerPair® 3x3fs 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIZF5302DT-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 28.1A (TA), 100A (TC) 3.2mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 22.2NC @ 10V 1030pf @ 15V -
IRF530S Vishay Siliconix IRF530S -
RFQ
 ECAD 4348 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF530S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SI7121DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7121DN-T1-GE3 1.3200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7121 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 1960 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SQ1470EH-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ1470EH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8977 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SQ1470 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.8A (TC) 65mohm @ 3.8a, 4.5v 1.6V @ 250µA 6.6 NC @ 4.5 v 610 pf @ 25 v -
SI2304BDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-E3 0.4700
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2304 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 70mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 250µA 4 NC @ 5 v ± 20V 225 pf @ 15 v - 750MW (TA)
IRFBF30STRLPBF Vishay Siliconix IRFBF30STRLPBF 3.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBF30 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 3.7ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
VP1008B Vishay Siliconix VP1008B -
RFQ
 ECAD 6699 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 VP1008 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 p 채널 100 v 790MA (TA) 10V 5ohm @ 1a, 10V 4.5V @ 1mA ± 20V 150 pf @ 25 v - 6.25W (TA)
SUP60N10-18P-E3 Vishay Siliconix sup60n10-18p-e3 -
RFQ
 ECAD 7050 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup60 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 60A (TC) 8V, 10V 18.3mohm @ 15a, 10V 4.5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 50 v - 3.75W (TA), 150W (TC)
SIR440DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir440dp-t1-ge3 2.0100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir440 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.55mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 10 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SI8824EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8824EDB-T2-E1 0.4300
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8824 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.1A (TA) 1.2V, 4.5V 75mohm @ 1a, 4.5v 800MV @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 5V 400 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SI1012X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1012X-T1-GE3 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 SI1012 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 500MA (TA) 1.8V, 4.5V 700mohm @ 600ma, 4.5v 900MV @ 250µA 0.75 nc @ 4.5 v ± 6V - 250MW (TA)
IRFR9214TRPBF Vishay Siliconix irfr9214trpbf 1.5500
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 3ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 50W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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