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불연속 불연속 제품 (5717)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI1317DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1317DL-T1-GE3 0.4600
RFQ
 ECAD 8393 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1317 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.4A (TC) 1.8V, 4.5V 150mohm @ 1.4a, 4.5v 800MV @ 250µA 6.5 NC @ 4.5 v ± 8V 272 pf @ 10 v - 500MW (TC)
SQJ992EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj992ep-t1_ge3 1.3900
RFQ
 ECAD 5070 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ992 MOSFET (금속 (() 34W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 15a 56.2mohm @ 3.7a, 10V 2.5V @ 250µA 12NC @ 10V 446pf @ 30v -
SI4913DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4913DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2949 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4913 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 7.1A 15mohm @ 9.4a, 4.5v 1V @ 500µA 65NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI2307BDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2307BDS-T1-E3 0.6400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2307 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 78mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 380 pf @ 15 v - 750MW (TA)
SI4404DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4404DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5046 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4404 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 23a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
SI7230DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7230DN-T1-E3 0.6174
RFQ
 ECAD 7373 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7230 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 14A, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIHP7N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP7N60E-GE3 2.0900
RFQ
 ECAD 4958 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP7 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP7N60EGE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
SIE860DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE860DF-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2361 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (M) SIE860 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (M) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 21.7a, 10V 2.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
IRF630L Vishay Siliconix IRF630L -
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF630 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF630L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 400mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - -
SI4634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4634DY-T1-GE3 0.8080
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4634 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 24.5A (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 15a, 10V 2.6V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 3150 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
SI2333DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2333DS-T1-BE3 0.8600
RFQ
 ECAD 1239 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI23DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 4.1A (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 5.3a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 8V 1100 pf @ 6 v - 750MW (TA)
SQ7414AEN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ7414AEN-T1_BE3 -
RFQ
 ECAD 6320 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQ7414 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 742-SQ7414AEN-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 16A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 5.7a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 980 pf @ 30 v - 62W (TC)
SIS612EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SIS612 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50A (TC) 2.5V, 4.5V 3.9mohm @ 14a, 4.5v 1.2v @ 1ma 70 nc @ 10 v ± 12V 2060 pf @ 10 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI4368DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4368DY-T1-E3 2.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4368 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TA) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 25a, 10V 1.8V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 12V 8340 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
SI7501DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7501DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4503 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7501 MOSFET (금속 (() 1.6W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 공통 p 채널, 공통 배수 30V 5.4A, 4.5A 35mohm @ 7.7a, 10V 3V @ 250µA 14NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SQD50034E_GE3 Vishay Siliconix SQD50034E_GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50034 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 107W (TC)
IRF840ASPBF Vishay Siliconix IRF840ASPBF 2.5500
RFQ
 ECAD 940 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF840ASPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1018 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SQS484EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS484EN-T1_BE3 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS484 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 16A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1855 pf @ 25 v - 62W (TC)
IRFPC60PBF Vishay Siliconix IRFPC60PBF 7.1300
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC60 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFPC60PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 400mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 3900 pf @ 25 v - 280W (TC)
SI4845DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4845DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2208 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4845 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 2.7A (TC) 2.5V, 4.5V 2A @ 2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 4.5 nc @ 4.5 v ± 12V 312 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.75W (TA), 2.75W (TC)
SIR168DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir168DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3321 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir168 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 2040 pf @ 15 v - 5W (TA), 34.7W (TC)
SQS944ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS944ENW-T1_GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 1520 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8W 듀얼 SQS944 MOSFET (금속 (() 27.8W (TC) PowerPak® 1212-8W 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6A (TC) 25mohm @ 1.25a, 10V 2.5V @ 250µA 10nc @ 10v 615pf @ 25v -
SIR432DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir432DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7648 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir432 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 28.4A (TC) 7.5V, 10V 30.6MOHM @ 8.6A, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1170 pf @ 50 v - 5W (TA), 54W (TC)
SI7882DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7882DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9527 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7882 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 13A (TA) 2.5V, 4.5V 5.5mohm @ 17a, 4.5v 1.4V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.9W (TA)
IRFR120PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR120PBF-BE3 1.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfr120pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 7.7A (TC) 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQ2303ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2303ES-T1_BE3 0.5300
RFQ
 ECAD 658 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2303 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SQ2303ES-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TC) 4.5V, 10V 170mohm @ 1.7a, 10V 2.5V @ 250µA 6.8 NC @ 10 v ± 20V 210 pf @ 25 v - 1.9W (TC)
IRFIB7N50APBF Vishay Siliconix irfib7n50apbf 3.1400
RFQ
 ECAD 838 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfib7 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfib7n50apbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 6.6A (TC) 10V 520mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 25 v - 60W (TC)
SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7115DN-T1-E3 2.1000
RFQ
 ECAD 3583 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7115 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 8.9A (TC) 6V, 10V 295mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1190 pf @ 50 v - 52W (TC)
SI3585DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3585DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5975 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3585 MOSFET (금속 (() 830MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 2A, 1.5A 125mohm @ 2.4a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 3.2NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRF710STRR Vishay Siliconix irf710strr -
RFQ
 ECAD 5518 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF710 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 36W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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